環(huán)境應(yīng)力測(cè)試兼容性,部分工業(yè)或車(chē)規(guī)級(jí)MEMS需在高低溫、高濕等環(huán)境下工作。國(guó)磊(Guolei)GT600支持與溫控探針臺(tái)/分選機(jī)聯(lián)動(dòng),通過(guò)GPIB/TTL接口實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化環(huán)境應(yīng)力篩選(ESS)。其小型化、低功耗設(shè)計(jì)也便于集成到溫箱內(nèi)部,確保在-40℃~125℃范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,滿足AEC-Q100等車(chē)規(guī)認(rèn)證要求。國(guó)產(chǎn)替代保障MEMS產(chǎn)業(yè)鏈安全 中國(guó)是全球比較大的MEMS消費(fèi)市場(chǎng),但**MEMS芯片及測(cè)試設(shè)備長(zhǎng)期依賴進(jìn)口。國(guó)磊(Guolei)GT600作為國(guó)產(chǎn)高性能ATE,已在部分國(guó)內(nèi)MEMS廠商中部署,用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平臺(tái)。這不僅降低采購(gòu)與維護(hù)成本,更避免因國(guó)際供應(yīng)鏈波動(dòng)影響產(chǎn)能,助力構(gòu)建“MEMS設(shè)計(jì)—制造—封裝—測(cè)試”全鏈條自主可控生態(tài)。雖然國(guó)磊SoC測(cè)試機(jī)不直接測(cè)試MEMS的機(jī)械結(jié)構(gòu)(如諧振頻率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析儀),但它精細(xì)覆蓋了MEMS產(chǎn)品中占比70%以上的電子功能測(cè)試環(huán)節(jié)。隨著MEMS向智能化、集成化、高精度方向發(fā)展,其配套SoC/ASIC的復(fù)雜度將持續(xù)提升,對(duì)測(cè)試設(shè)備的要求也將水漲船高。國(guó)磊(Guolei)GT600憑借高精度、高靈活性與國(guó)產(chǎn)化優(yōu)勢(shì),正成為支撐中國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)可有效支持90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、12nm、7nm等主流CMOS工藝節(jié)點(diǎn)的電源門(mén)控測(cè)試。杭州國(guó)磊高阻測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)

每一部智能手機(jī)的**都是一顆名為SoC的“超級(jí)大腦”。以蘋(píng)果為例,每一代iPhone都搭載自研的A系列或M系列芯片(如A18、M4)。這顆芯片集成了CPU、GPU、NPU、ISP、基帶、內(nèi)存控制器等數(shù)十個(gè)模塊。但這顆芯片在量產(chǎn)前,必須經(jīng)歷SoC測(cè)試機(jī)成千上萬(wàn)次的測(cè)試。比如功能驗(yàn)證:檢查芯片的每一個(gè)邏輯門(mén)是否正常工作。當(dāng)你用iPhone拍照時(shí),ISP是否能正確處理圖像?A18芯片的NPU是否能準(zhǔn)確識(shí)別人臉?國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)會(huì)模擬各種使用場(chǎng)景,輸入測(cè)試向量,驗(yàn)證輸出結(jié)果。性能篩選:國(guó)磊GT600SoC芯片測(cè)試機(jī)會(huì)進(jìn)行速度分級(jí)測(cè)試,將芯片分為不同等級(jí)。只有通過(guò)最高速度測(cè)試的芯片,才會(huì)被用于旗艦機(jī)型。功耗與漏電檢測(cè):手機(jī)續(xù)航至關(guān)重要。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)的PPMU能精確測(cè)量芯片的靜態(tài)電流(Iddq),確保待機(jī)時(shí)不“偷電”,避免手機(jī)“一天三充”??煽啃员U希涸跇O端溫度、電壓下運(yùn)行芯片,篩選出可能早期失效的“弱雞芯片”。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)支持老化測(cè)試,確保每一顆裝進(jìn)iPhone的芯片都經(jīng)得起長(zhǎng)期使用?;旌闲盘?hào)測(cè)試:現(xiàn)代SoC不僅有數(shù)字電路,還有大量模擬模塊(如音頻編解碼、電源管理)。國(guó)磊GT600芯片測(cè)試機(jī)可選配AWG和TMU,精確測(cè)試這些模擬功能,確保通話清晰、充電穩(wěn)定。國(guó)產(chǎn)替代CAF測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)廣適用于AI、移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、工業(yè)等領(lǐng)域的SoC研發(fā)與量產(chǎn)驗(yàn)證。

適配多元化國(guó)產(chǎn)芯片架構(gòu) 中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)百花齊放態(tài)勢(shì):RISC-V CPU、存算一體AI芯片、光子集成芯片、量子控制SoC等新型架構(gòu)層出不窮。這些芯片往往具有非標(biāo)I/O、特殊電源域或混合信號(hào)需求。國(guó)磊(Guolei)GT600的16個(gè)通用插槽、多種VI浮動(dòng)電源板卡(如-2.5V~7V)、每引腳PPMU及可選配的高精度模擬板卡,使其能靈活適配各類異構(gòu)芯片的測(cè)試需求,避免因測(cè)試平臺(tái)僵化而制約創(chuàng)新芯片的發(fā)展,從而維護(hù)技術(shù)路線的多樣性與供應(yīng)鏈的抗風(fēng)險(xiǎn)能力。保障關(guān)鍵領(lǐng)域芯片供應(yīng)安全 在**、航空航天、智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車(chē)等關(guān)乎國(guó)計(jì)民生的關(guān)鍵領(lǐng)域,芯片供應(yīng)鏈安全直接關(guān)系**。國(guó)磊(Guolei)GT600已應(yīng)用于**AD/DA、顯示驅(qū)動(dòng)、MCU等芯片測(cè)試,未來(lái)可進(jìn)一步拓展至安全加密芯片、高可靠通信芯片等領(lǐng)域。通過(guò)部署國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備,這些敏感芯片的測(cè)試數(shù)據(jù)、良率信息、失效模式等**知識(shí)產(chǎn)權(quán)得以保留在境內(nèi),杜絕信息泄露風(fēng)險(xiǎn)。
天璣9000系列集成了高性能CPU集群與**NPU,支持多模態(tài)AI推理、端側(cè)大模型運(yùn)行,其芯片內(nèi)部信號(hào)復(fù)雜度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)SoC。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**2048個(gè)數(shù)字通道和400MHz測(cè)試速率,可完整覆蓋天璣類SoC的高并發(fā)I/O接口測(cè)試需求。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜AI指令序列的Pattern加載,確保NPU功能邏輯的完整驗(yàn)證。更關(guān)鍵的是,GT600支持512Sites高并行測(cè)試,**提升測(cè)試吞吐量,降低單顆芯片測(cè)試成本,滿足手機(jī)SoC大規(guī)模量產(chǎn)的效率要求。在AI芯片“拼性能、拼量產(chǎn)”的競(jìng)爭(zhēng)中,國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)為國(guó)產(chǎn)SoC廠商提供了高效、穩(wěn)定的測(cè)試保障。國(guó)磊GT600多通道浮動(dòng)SMU設(shè)計(jì),支持多電源域模擬芯片(如多路電源管理IC)的單一電壓施加與電流監(jiān)測(cè)。

HBM的集成不****是帶寬提升,更帶來(lái)了復(fù)雜的混合信號(hào)測(cè)試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號(hào)完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R(Skew)等問(wèn)題,直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì),支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡,實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測(cè)試。例如,通過(guò)GT-TMUHA04(10ps分辨率)精確測(cè)量HBM接口時(shí)序偏差,利用GT-AWGLP02(-122dBTHD)生成純凈激勵(lì)信號(hào),**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問(wèn)題系統(tǒng)化解決,為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號(hào)的**測(cè)試保障,確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過(guò)PPMU測(cè)量芯片在不同電源域下的靜態(tài)電流,精度達(dá)nA級(jí),適用于低功耗模式驗(yàn)證。珠海CAF測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)
強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析功能,助您快速定位問(wèn)題。杭州國(guó)磊高阻測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)
測(cè)試數(shù)據(jù)閉環(huán)助力量子芯片協(xié)同優(yōu)化,杭州國(guó)磊(Guolei)GT600支持STDF、CSV等格式輸出,并具備數(shù)據(jù)分析與圖形化顯示功能。這些測(cè)試數(shù)據(jù)可與量子芯片的設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)聯(lián)動(dòng),形成“測(cè)試—反饋—優(yōu)化”閉環(huán)。例如,若某批次控制芯片的相位噪聲超標(biāo),可反向指導(dǎo)量子比特布局或?yàn)V波器設(shè)計(jì),提升整體系統(tǒng)相干時(shí)間。國(guó)產(chǎn)化替代保障量子科技供應(yīng)鏈安全量子技術(shù)屬于國(guó)家戰(zhàn)略科技力量,其**裝備的自主可控至關(guān)重要。杭州國(guó)磊(Guolei)作為國(guó)產(chǎn)**ATE廠商,其GT600系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際同類設(shè)備(如Advantest、Teradyne)部分功能的替代。在量子科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)構(gòu)建本土化測(cè)控生態(tài)時(shí),采用國(guó)產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)可降低技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn),加速?gòu)膶?shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。雖然杭州國(guó)磊(Guolei)GT600并非直接用于測(cè)量量子態(tài)或操控量子比特,但作為支撐量子系統(tǒng)“經(jīng)典側(cè)”電子學(xué)的**測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施,它在量子芯片外圍電路驗(yàn)證、控制SoC量產(chǎn)、供應(yīng)鏈安全等方面具有不可替代的價(jià)值。未來(lái),隨著“量子-經(jīng)典混合系統(tǒng)”復(fù)雜度提升,高性能SoC測(cè)試設(shè)備與量子科技的耦合將更加緊密。因此,杭州國(guó)磊的SoC測(cè)試系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利器,也正在成為量子科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的一塊關(guān)鍵拼圖。 杭州國(guó)磊高阻測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)