現(xiàn)代手機(jī)SoC普遍集成ADC、DAC、PLL、LDO等模擬模塊，用于傳感器融合、音頻處理和電源管理。GT600支持GT-AWGLP02（THD-122dB）和高分辨率Digitizer板卡，可用于AI驅(qū)動(dòng)的語音識(shí)別、圖像信號(hào)處理鏈路的動(dòng)態(tài)性能測(cè)試。其20/24bit分辨率支持INL、DNL、SNR等關(guān)鍵指標(biāo)的精確測(cè)量，確保端側(cè)AI感知系統(tǒng)的信號(hào)完整性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的16插槽模塊化架構(gòu)允許數(shù)字、AWG、TMU、SMU板卡混插，實(shí)現(xiàn)從CPU到NPU再到模擬前端的一站式測(cè)試，避免多設(shè)備切換帶來的效率損失與數(shù)據(jù)割裂。
強(qiáng)大的軟件系統(tǒng)，提供實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集和深度分析功能。湖州GEN3測(cè)試系統(tǒng)定制

當(dāng)全球HBM市場(chǎng)由三星、SK海力士主導(dǎo)，當(dāng)先進(jìn)封裝技術(shù)成為“卡脖子”關(guān)鍵，國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備的自主可控顯得尤為重要。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，正是在這一背景下崛起的國(guó)產(chǎn)**ATE**。它不**性能對(duì)標(biāo)國(guó)際**設(shè)備，更以高性價(jià)比、本地化服務(wù)與持續(xù)創(chuàng)新能力，贏得國(guó)內(nèi)頭部AI芯片企業(yè)的信賴。GT600成功應(yīng)用于多款集成了HBM接口的GPU與AI加速器測(cè)試，驗(yàn)證了其在**領(lǐng)域的實(shí)戰(zhàn)能力。選擇GT600，不**是選擇一臺(tái)測(cè)試機(jī)，更是選擇一條自主可控的國(guó)產(chǎn)化路徑。國(guó)磊GT600——智測(cè)HBM芯時(shí)代，賦能中國(guó)算力新未來！東莞高阻測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)選擇GM8800，就是選擇了一款多功能的測(cè)試平臺(tái)。

AI芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，測(cè)試成本直接影響產(chǎn)品定價(jià)與市場(chǎng)滲透率。GT600支持高達(dá)512 Sites的并行測(cè)試能力，意味著單次測(cè)試可同時(shí)驗(yàn)證數(shù)百顆芯片，將單位測(cè)試時(shí)間壓縮至傳統(tǒng)設(shè)備的1/10以下。結(jié)合其高穩(wěn)定性與自動(dòng)化軟件平臺(tái)，整體測(cè)試成本可降低70%以上。這一優(yōu)勢(shì)對(duì)年出貨量達(dá)百萬級(jí)的邊緣AI芯片、智能攝像頭主控、機(jī)器人控制器等產(chǎn)品尤為關(guān)鍵。杭州國(guó)磊通過GT600構(gòu)建的“超級(jí)測(cè)試流水線”，不僅提升了國(guó)產(chǎn)芯片的量產(chǎn)效率，更增強(qiáng)了中國(guó)AI硬件在全球市場(chǎng)的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，真正實(shí)現(xiàn)“測(cè)得起、賣得快、走得遠(yuǎn)”。

GT600每通道集成PPMU，支持nA級(jí)電流分辨率，可精確測(cè)量被電源門控關(guān)閉的模塊在“關(guān)斷狀態(tài)”下的漏電流。通過對(duì)比門控開啟與關(guān)閉時(shí)的電流差異，評(píng)估電源開關(guān)的隔離能力，確保未**模塊不會(huì)產(chǎn)生異常功耗。2.GT600支持可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，可為SoC的不同電源域提供**的電壓施加與電流監(jiān)測(cè)。在電源門控測(cè)試中，可通過SMU分別控制主電源與門控電源的開啟/關(guān)閉時(shí)序，驗(yàn)證電源域之間的依賴關(guān)系與上電順序，防止閂鎖或電壓倒灌。3.GT600配備GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元，提供10ps時(shí)間分辨率，用于測(cè)量從門控信號(hào)有效到目標(biāo)模塊恢復(fù)供電的時(shí)間、模塊喚醒后功能恢復(fù)的響應(yīng)延遲、確保電源門控機(jī)制在滿足低功耗要求的同時(shí)，不影響系統(tǒng)實(shí)時(shí)性。4.通過GTFY軟件系統(tǒng)與C++編程，工程師可編寫腳本實(shí)現(xiàn)循環(huán)執(zhí)行“上電→功能測(cè)試→門控關(guān)斷→延時(shí)→喚醒”流程；掃描不同關(guān)斷時(shí)長(zhǎng)對(duì)喚醒成功率的影響；監(jiān)測(cè)多次開關(guān)操作后的電流一致性，評(píng)估可靠性。5.GT600支持高采樣率的動(dòng)態(tài)電流監(jiān)測(cè)，可捕獲電源門控開啟瞬間的浪涌電流，避免因瞬時(shí)電流過大導(dǎo)致電壓塌陷或系統(tǒng)復(fù)位。結(jié)合Digitizer功能，記錄電壓/電流波形，用于分析電源穩(wěn)定性與去耦電容設(shè)計(jì)有效性。國(guó)磊GT600可用于測(cè)量電源上電時(shí)序（PowerSequencing），確保多域電源按正確順序激發(fā)，避免閂鎖效應(yīng)。

    對(duì)國(guó)產(chǎn)車而言，其自研車規(guī)級(jí)MCU（微控制器）與功率半導(dǎo)體是智能汽車“大腦”與“肌肉”的**，必須通過AEC-Q100、AEC-Q101等汽車行業(yè)**嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證，確保在-40℃~150℃極端溫度、高濕、強(qiáng)振動(dòng)、長(zhǎng)期高負(fù)載等惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行十年以上。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)正是這一“車規(guī)級(jí)體檢”的關(guān)鍵設(shè)備。其每通道PPMU（精密參數(shù)測(cè)量單元）可精細(xì)測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別芯片內(nèi)部微小缺陷或工藝波動(dòng)導(dǎo)致的“潛伏性失效”，從源頭剔除“體質(zhì)虛弱”的芯片；同時(shí)支持引腳級(jí)開路/短路測(cè)試，確保封裝無瑕疵。更關(guān)鍵的是，國(guó)磊GT600可選配浮動(dòng)SMU電源板卡，能靈活模擬車載12V/24V供電系統(tǒng)，驗(yàn)證MCU在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變等真實(shí)工況下的電源管理能力，防止“掉電重啟”或“邏輯錯(cuò)亂”。此外，國(guó)磊GT600支持高溫老化測(cè)試（Burn-in）接口，可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行早期失效篩選，大幅提升車載芯片的長(zhǎng)期可靠性。在汽車“缺芯”與“安全至上”的雙重背景下，國(guó)磊GT600可以為國(guó)產(chǎn)車構(gòu)建從研發(fā)到量產(chǎn)的高可靠測(cè)試閉環(huán)，守護(hù)每一程出行安全。 AI邊緣計(jì)算SoC用于機(jī)器人、穿戴設(shè)備MCU+AI架構(gòu)芯片，GT600通過nA級(jí)PPMU、TMU支持端側(cè)AI低功耗可靠性測(cè)試。國(guó)產(chǎn)替代導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)價(jià)位

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)邊沿精度（EPA）達(dá)100ps，確保HBM高速信號(hào)建立/保持時(shí)間（Setup/Hold）的精確測(cè)量。湖州GEN3測(cè)試系統(tǒng)定制

國(guó)磊GT600支持400MHz高速測(cè)試與128M超大向量深度，足以運(yùn)行手機(jī)芯片內(nèi)部復(fù)雜的AI推理算法、多任務(wù)調(diào)度協(xié)議等長(zhǎng)周期測(cè)試程序，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足導(dǎo)致的“中斷加載”，大幅提升測(cè)試覆蓋率和效率。其512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，更可滿足手機(jī)芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求，***降低測(cè)試成本。更重要的是，國(guó)磊GT600采用開放式GTFY系統(tǒng)，支持C++自主編程，工程師可深度定制測(cè)試流程，無縫對(duì)接內(nèi)部研發(fā)與生產(chǎn)體系，實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室到工廠的快速轉(zhuǎn)化。在外部供應(yīng)鏈?zhǔn)芟薜谋尘跋?，?guó)磊GT600作為國(guó)產(chǎn)**測(cè)試設(shè)備，可以為國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片的持續(xù)迭代與穩(wěn)定量產(chǎn)，提供堅(jiān)實(shí)、安全、可控的底層保障。湖州GEN3測(cè)試系統(tǒng)定制