現(xiàn)代手機(jī)SoC是高度集成的“微型超級(jí)計(jì)算機(jī)”，一顆芯片內(nèi)融合了CPU（**處理器）、GPU（圖形處理器）、NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎）、ISP（圖像信號(hào)處理器）、基帶（5G/4G通信模塊）、內(nèi)存控制器、電源管理單元等數(shù)十個(gè)功能模塊，協(xié)同完成從AI計(jì)算、高清拍照到高速聯(lián)網(wǎng)的復(fù)雜任務(wù)。這對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了“全能型”要求。國(guó)磊GT600憑借512個(gè)高速數(shù)字通道，可并行激勵(lì)與捕獲CPU/GPU的邏輯響應(yīng)，驗(yàn)證運(yùn)算正確性；通過(guò)可選配AWG（任意波形發(fā)生器）板卡，可生成高保真模擬圖像信號(hào)，精細(xì)測(cè)試ISP對(duì)色彩、噪聲、動(dòng)態(tài)范圍的處理能力；再結(jié)合高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，分辨率10ps），可精確捕捉基帶芯片收發(fā)信號(hào)的時(shí)間抖動(dòng)與延遲，確保5G通信的穩(wěn)定性和低時(shí)延。16個(gè)通用插槽支持靈活配置，讓國(guó)磊GT600能像“變形金剛”一樣，針對(duì)不同模塊組合比較好測(cè)試方案，真正實(shí)現(xiàn)“一機(jī)通測(cè)”，***保障國(guó)產(chǎn)**SoC的功能完整性與性能可靠性。監(jiān)測(cè)參數(shù)齊全，包括電阻、電流、電壓、溫濕度等，一目了然。國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

在現(xiàn)代手機(jī)SoC中，高速接口如LPDDR5內(nèi)存、PCIe4.0存儲(chǔ)、USB3.2/4.0數(shù)據(jù)傳輸?shù)龋殉蔀樾阅芷款i的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其協(xié)議復(fù)雜、時(shí)序嚴(yán)苛，對(duì)測(cè)試設(shè)備的速率和深度提出極高要求。國(guó)磊GT600支持400MHz測(cè)試速率，可精細(xì)模擬高速信號(hào)邊沿與時(shí)鐘同步，確保接口在極限頻率下穩(wěn)定工作；其128M超大向量深度，足以容納完整的AI大模型推理流程、多任務(wù)并發(fā)調(diào)度等長(zhǎng)周期測(cè)試用例，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足頻繁加載數(shù)據(jù)導(dǎo)致的測(cè)試中斷或覆蓋不全，真正實(shí)現(xiàn)“一次加載，全程跑完”，保障功能驗(yàn)證的完整性與可靠性。珠海CAF測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商國(guó)磊設(shè)備，幫助您提升產(chǎn)品品質(zhì)與可靠性。

當(dāng)前，AI大模型與高性能計(jì)算正以前所未有的速度推動(dòng)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）技術(shù)爆發(fā)式增長(zhǎng)。HBM3、HBM3E成為英偉達(dá)、AMD、華為等巨頭AI芯片的標(biāo)配，全球需求激增，市場(chǎng)缺口持續(xù)擴(kuò)大。然而，HBM不**改變了芯片架構(gòu)，更對(duì)后端測(cè)試提出了前所未有的挑戰(zhàn)——高引腳數(shù)、高速接口、復(fù)雜時(shí)序與電源完整性要求，使得傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以勝任。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)應(yīng)勢(shì)而生，專(zhuān)為應(yīng)對(duì)HBM時(shí)代**SoC測(cè)試難題而設(shè)計(jì)。它不是直接測(cè)試HBM芯片，而是**服務(wù)于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能驗(yàn)證與量產(chǎn)測(cè)試，成為國(guó)產(chǎn)**ATE在HBM浪潮中的關(guān)鍵支撐力量，助力中國(guó)芯突破“內(nèi)存墻”背后的“測(cè)試墻”。

高速數(shù)字接口驗(yàn)證保障系統(tǒng)集成，**MEMSIMU（如用于AR/VR或自動(dòng)駕駛）常集成SPI/QSPI接口，速率可達(dá)50MHz以上。國(guó)磊（Guolei）GT600支持400MHz測(cè)試速率和100ps邊沿精度，不僅能驗(yàn)證數(shù)字協(xié)議合規(guī)性，還可進(jìn)行眼圖分析、抖動(dòng)測(cè)試和建立/保持時(shí)間檢查，確保MEMS模塊在高速數(shù)據(jù)交互中不失效，避免因接口時(shí)序問(wèn)題導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。并行測(cè)試提升MEMS量產(chǎn)效率 消費(fèi)級(jí)MEMS芯片（如手機(jī)中的六軸傳感器）年出貨量達(dá)數(shù)億顆，對(duì)測(cè)試成本極其敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600支持比較高512 Sites并行測(cè)試，可在單次測(cè)試中同時(shí)驗(yàn)證數(shù)百顆MEMS-ASIC芯片，大幅降低單顆測(cè)試時(shí)間與成本。結(jié)合其向量存儲(chǔ)深度（比較高128M）和ALPG（自動(dòng)邏輯圖形生成）功能，可高效覆蓋復(fù)雜校準(zhǔn)算法（如六點(diǎn)溫度補(bǔ)償）的測(cè)試流程。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)邊沿精度（EPA）達(dá)100ps，確保HBM高速信號(hào)建立/保持時(shí)間（Setup/Hold）的精確測(cè)量。

面對(duì)AI架構(gòu)日新月異（如存算一體、稀疏計(jì)算、類(lèi)腦芯片），測(cè)試平臺(tái)必須具備高度靈活性。GT600采用開(kāi)放軟件架構(gòu)，支持C++、Python及Visual Studio開(kāi)發(fā)環(huán)境，允許用戶(hù)自定義測(cè)試邏輯、數(shù)據(jù)分析模塊與自動(dòng)化腳本。高校、初創(chuàng)企業(yè)甚至“六小龍”中的技術(shù)團(tuán)隊(duì)均可基于GT600快速搭建專(zhuān)屬驗(yàn)證方案，無(wú)需依賴(lài)封閉廠商的黑盒工具鏈。這種開(kāi)放性極大縮短了從算法原型到芯片驗(yàn)證的周期，使杭州成為AI芯片創(chuàng)新的“快速試驗(yàn)田”。GT600不僅是量產(chǎn)設(shè)備，更是推動(dòng)中國(guó)AI底層硬件從“跟隨”走向“原創(chuàng)”的創(chuàng)新引擎。堅(jiān)持創(chuàng)新，持續(xù)為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值是我們的價(jià)值觀。GEN3測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

國(guó)磊GT600可利用高速數(shù)字通道捕獲時(shí)鐘與控制信號(hào)；結(jié)合TMU測(cè)量狀態(tài)切換延遲；來(lái)驗(yàn)證DVFS策略的有效性。國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

Chiplet時(shí)代的“互聯(lián)驗(yàn)證者” Chiplet（芯粒）技術(shù)通過(guò)將大芯片拆分為小芯片再集成，突破摩爾定律瓶頸，成為先進(jìn)制程的重要方向。然而，小芯片間的高速互聯(lián)（如UCIe）對(duì)信號(hào)完整性、功耗、時(shí)序提出極高要求。杭州國(guó)磊GT600憑借400MHz測(cè)試速率與100ps邊沿精度，可精確測(cè)量Chiplet間接口的信號(hào)延遲與抖動(dòng)。其高精度SMU可驗(yàn)證微凸塊（Micro-bump）的供電穩(wěn)定性，檢測(cè)微小電壓降。PPMU則用于測(cè)量封裝后各芯粒的**功耗，確保能效優(yōu)化。杭州國(guó)磊GT600的模塊化設(shè)計(jì)也便于擴(kuò)展，可針對(duì)不同芯粒配置**測(cè)試板卡。在Chiplet技術(shù)快速發(fā)展的***，杭州國(guó)磊GT600以高精度互聯(lián)驗(yàn)證能力，為國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝芯片的可靠性與性能保駕護(hù)航。國(guó)磊CAF測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家