面對(duì)國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)乃至上億顆的年出貨量，傳統(tǒng)“單顆或小批量測(cè)試”模式早已無(wú)法滿足產(chǎn)能與成本需求。國(guó)磊GT600憑借512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，開(kāi)創(chuàng)“集體考試”新模式——512顆芯片同步上電、同步輸入測(cè)試向量、同步采集響應(yīng)、同步判定Pass/Fail，測(cè)試效率呈指數(shù)級(jí)提升。這不僅將單位時(shí)間產(chǎn)出提高數(shù)十倍，更大幅縮短新品從試產(chǎn)到大規(guī)模鋪貨的周期，搶占市場(chǎng)先機(jī)。更重要的是，測(cè)試成本（CostofTest）是芯片總成本的重要組成部分。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)，同測(cè)數(shù)（ParallelTestSites）每翻一倍，單顆芯片測(cè)試成本可下降30%~40%。國(guó)磊GT600的512站點(diǎn)能力，相較傳統(tǒng)32或64站點(diǎn)設(shè)備，成本降幅可達(dá)70%以上，為國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在激烈市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏得價(jià)格優(yōu)勢(shì)。國(guó)磊GT600以“高速（400MHz）+高密度（512通道）+高并行（512Sites）”三位一體架構(gòu)，構(gòu)建起支撐國(guó)產(chǎn)**芯片量產(chǎn)的“超級(jí)測(cè)試流水線”，可以讓中國(guó)芯不僅“造得出”，更能“測(cè)得快、賣得起、用得穩(wěn)”。國(guó)磊GT600通過(guò)可擴(kuò)展的硬件架構(gòu)、高精度模擬測(cè)量能力和開(kāi)放軟件平臺(tái)，為各高jiSoC提供定制測(cè)試方案。國(guó)產(chǎn)PCB測(cè)試系統(tǒng)精選廠家

每通道PPMU：芯片健康的“精密聽(tīng)診器” 。杭州國(guó)磊GT600的每通道集成PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），是其高精度測(cè)試的**。PPMU可在FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式下，精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），相當(dāng)于檢測(cè)每秒流過(guò)數(shù)億個(gè)電子的微小電流。在手機(jī)芯片測(cè)試中，這能識(shí)別因工藝缺陷導(dǎo)致的“待機(jī)耗電”問(wèn)題，確保續(xù)航達(dá)標(biāo)。在FIMV（強(qiáng)制電流測(cè)電壓）模式下，可驗(yàn)證電源調(diào)整率，防止芯片在高負(fù)載下電壓跌落導(dǎo)致死機(jī)。PPMU還支持快速哨兵測(cè)試（Quick Sentinel），在毫秒內(nèi)完成所有引腳的開(kāi)路/短路檢測(cè)，大幅提升初篩效率。對(duì)于AI芯片，PPMU可逐核測(cè)量功耗，篩選出“能效比較好”**。這一“每引腳級(jí)”測(cè)量能力，讓杭州國(guó)磊GT600成為芯片可靠性的“***守門人”。吉安導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)制作系統(tǒng)集成高效軟件，提供強(qiáng)大數(shù)據(jù)分析與報(bào)告生成能力。

測(cè)試數(shù)據(jù)閉環(huán)助力量子芯片協(xié)同優(yōu)化，國(guó)磊（Guolei）GT600支持STDF、CSV等格式輸出，并具備數(shù)據(jù)分析與圖形化顯示功能。這些測(cè)試數(shù)據(jù)可與量子芯片的設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)聯(lián)動(dòng)，形成“測(cè)試—反饋—優(yōu)化”閉環(huán)。例如，若某批次控制芯片的相位噪聲超標(biāo)，可反向指導(dǎo)量子比特布局或?yàn)V波器設(shè)計(jì)，提升整體系統(tǒng)相干時(shí)間。國(guó)產(chǎn)化替代保障量子科技供應(yīng)鏈安全 量子技術(shù)屬于國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，其**裝備的自主可控至關(guān)重要。國(guó)磊（Guolei）作為國(guó)產(chǎn)**ATE廠商，其GT600系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際同類設(shè)備（如Advantest、Teradyne）部分功能的替代。

高精度模擬測(cè)試能力匹配MEMS信號(hào)鏈要求，MEMS傳感器輸出信號(hào)微弱（如微伏級(jí)電容變化或納安級(jí)電流），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的本底噪聲和分辨率要求極高。國(guó)磊（Guolei）GT600可選配的GT-AWGLP02 AWG板卡具備**-122dB THD**（總諧波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超純凈激勵(lì)信號(hào)；同時(shí)其Digitizer支持20~24位采樣，可精確捕獲微弱響應(yīng)。這種能力對(duì)于測(cè)試MEMS麥克風(fēng)的靈敏度、壓力傳感器的滿量程輸出或磁力計(jì)的偏置穩(wěn)定性至關(guān)重要。支持低功耗與寬電壓范圍測(cè)試 許多MEMS器件用于可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等電池供電場(chǎng)景，對(duì)功耗極為敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08電源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**輸出，并具備每引腳**電源控制（PPMU），可精確測(cè)量待機(jī)/工作/休眠各模式下的電流（nA~mA級(jí)），驗(yàn)證MEMS-SoC是否滿足ULP（**功耗）設(shè)計(jì)目標(biāo)，這對(duì)通過(guò)終端產(chǎn)品能效認(rèn)證（如Energy Star）具有直接價(jià)值。精密的電流檢測(cè)能力，實(shí)時(shí)捕捉微小電流變化。

隨著智能手機(jī)進(jìn)入AI時(shí)代，SoC的競(jìng)爭(zhēng)已從單一CPU性能轉(zhuǎn)向“CPU+GPU+NPU”三位一體的綜合算力比拼。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，天璣9000系列憑借在AI能力上的前瞻布局，2024年出貨量同比增長(zhǎng)60%，預(yù)計(jì)2025年將再翻一番。這一成就的背后，不**是架構(gòu)設(shè)計(jì)的**，更是對(duì)NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元）和AI工作負(fù)載深度優(yōu)化的結(jié)果。而這類高度集成的AISoC，對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)：高引腳數(shù)、多電源域、復(fù)雜時(shí)序、低功耗模式、混合信號(hào)模塊等，均需在量產(chǎn)前完成**驗(yàn)證。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)正是為此類**手機(jī)SoC量身打造的測(cè)試平臺(tái)，具備從功能到參數(shù)、從數(shù)字到模擬的全棧測(cè)試能力。國(guó)磊GT600的128M向量存儲(chǔ)深度，支持長(zhǎng)時(shí)間采集模擬信號(hào)動(dòng)態(tài)行為，適用于鎖相環(huán)（PLL）、振蕩器等測(cè)試。廣東CAF測(cè)試系統(tǒng)定制價(jià)格

先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（如28nm及以下）漏電更敏感，國(guó)磊GT600的PPMU可測(cè)nA級(jí)電流，滿足FinFET等工藝的低功耗驗(yàn)證需求。國(guó)產(chǎn)PCB測(cè)試系統(tǒng)精選廠家

醫(yī)療成像芯片 CT、MRI、內(nèi)窺鏡等設(shè)備的圖像傳感器（CIS）和圖像信號(hào)處理器（ISP）對(duì)圖像質(zhì)量要求極高。國(guó)磊GT600可通過(guò)高速數(shù)字通道測(cè)試ISP的圖像處理算法（如降噪、邊緣增強(qiáng)），并通過(guò)AWG注入模擬圖像信號(hào)，驗(yàn)證成像鏈路的完整性與色彩還原度。 4. 植入式醫(yī)療設(shè)備芯片 心臟起搏器、神經(jīng)刺激器等植入設(shè)備的芯片必須**功耗、超高可靠。國(guó)磊GT600的FVMI模式可精確測(cè)量uA級(jí)靜態(tài)電流，篩選出“省電體質(zhì)”芯片；其支持長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試，可模擬10年以上使用壽命，確保植入后萬(wàn)無(wú)一失。 綜上，國(guó)磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”測(cè)試能力，為國(guó)產(chǎn)**醫(yī)療芯片的上市提供了堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。國(guó)產(chǎn)PCB測(cè)試系統(tǒng)精選廠家