國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
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維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
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國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機(jī)遇并存
在量子科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)構(gòu)建本土化測控生態(tài)時(shí),采用國產(chǎn)測試平臺可降低技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn),加速從實(shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。雖然國磊(Guolei)GT600并非直接用于測量量子態(tài)或操控量子比特,但作為支撐量子系統(tǒng)“經(jīng)典側(cè)”電子學(xué)的**測試基礎(chǔ)設(shè)施,它在量子芯片外圍電路驗(yàn)證、控制SoC量產(chǎn)、供應(yīng)鏈安全等方面具有不可替代的價(jià)值。未來,隨著“量子-經(jīng)典混合系統(tǒng)”復(fù)雜度提升,高性能SoC測試設(shè)備與量子科技的耦合將更加緊密。因此,杭州國磊(Guolei)的SoC測試系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利器,也正在成為量子科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的一塊關(guān)鍵拼圖。國磊GT600可利用高速數(shù)字通道捕獲時(shí)鐘與控制信號;結(jié)合TMU測量狀態(tài)切換延遲;來驗(yàn)證DVFS策略的有效性。無錫PCB測試系統(tǒng)供應(yīng)商

AI眼鏡SoC普遍采用40nm以下工藝,集成高精度ADC、DAC、PLL、LDO等模擬模塊,用于麥克風(fēng)陣列信號采集、骨傳導(dǎo)音頻輸出與電源穩(wěn)壓。國磊GT600測試機(jī)支持可選配GT-AWGLP02任意波形發(fā)生器(THD-122dB,SNR110dB)與20/24bit分辨率Digitizer,可用于語音前端信號鏈的INL、DNL、THD、SNR等參數(shù)測試,確保AI語音識別輸入的準(zhǔn)確性。其高精度浮動SMU板卡支持寬電壓范圍輸出,可用于LDO負(fù)載調(diào)整率、PSRR及上電時(shí)序驗(yàn)證,保障音頻與傳感模塊的電源穩(wěn)定性。GT600的模塊化16插槽架構(gòu)支持?jǐn)?shù)字、模擬、混合信號板卡混插,實(shí)現(xiàn)從NPU到傳感器接口的一站式測試,避免多設(shè)備切換帶來的數(shù)據(jù)割裂。國產(chǎn)替代高阻測試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)國磊GT600支持C++編程與自定義測試流程,便于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜模擬參數(shù)的閉環(huán)掃描與數(shù)據(jù)分析。

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的“量產(chǎn)引擎” 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)設(shè)備對芯片的可靠性與成本極為敏感,且需求量大。杭州國磊GT600的512站點(diǎn)并行測試能力,可一次測試512顆MCU或傳感器芯片,極大提升測試吞吐量,***降低單顆測試成本。據(jù)行業(yè)測算,同測數(shù)每翻一倍,測試成本可下降30%以上。杭州國磊GT600支持長時(shí)間老化測試,篩選出能在高溫、高濕、強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的“工業(yè)級”芯片。其GTFY系統(tǒng)支持STDF數(shù)據(jù)導(dǎo)出,可無縫對接工廠MES系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)良率分析與智能制造。杭州國磊GT600以“高效率、高可靠、低成本”的優(yōu)勢,為國產(chǎn)IIoT芯片的大規(guī)模量產(chǎn)提供強(qiáng)大引擎,助力中國智造走向全球。
國際數(shù)據(jù)公司(IDC)預(yù)測的人工智能服務(wù)器市場高速增長(2024年1251億美元→2028年2227億美元),本質(zhì)上是高算力芯片(GPU、ASIC)在功耗、密度與可靠性層面極限挑戰(zhàn)的集中體現(xiàn)。每一塊AI加速卡背后,都是數(shù)百瓦功耗、數(shù)千電源引腳、多級電壓域、復(fù)雜電源門控與瞬態(tài)電流管理的設(shè)計(jì)博弈。而這些,正是國磊GT600SoC測試機(jī)憑借其高精度電源與功耗驗(yàn)證能力,**切入并把握產(chǎn)業(yè)機(jī)遇的技術(shù)支點(diǎn)。AI芯片普遍采用7nm/5nm等先進(jìn)工藝,靜態(tài)漏電(Leakage)隨工藝微縮呈指數(shù)增長。國磊GT600通過每通道PPMU,支持nA級靜態(tài)電流測量,可**識別G**SIC在待機(jī)、休眠模式下的異常漏電,確保電源門控(PowerGating)機(jī)制有效,避免“隱形功耗”拖累整機(jī)能效。其高精度浮動SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓輸出,可**控制AI芯片的Core、Memory、I/O等多電源域,驗(yàn)證上電時(shí)序(PowerSequencing)與電壓裕量(VoltageMargining),防止因電源順序錯誤導(dǎo)致的閂鎖或功能失效。國磊GT600提供測試向量轉(zhuǎn)換工具,支持從傳統(tǒng)模擬測試平臺遷移測試程序,降低工程師學(xué)習(xí)成本與導(dǎo)入周期。

GT600SoC測試機(jī)在測試高可靠性產(chǎn)品(如車規(guī)芯片、工業(yè)級MCU、航天電子、醫(yī)療設(shè)備芯片)時(shí),展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢,確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。首先,高精度參數(shù)測量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU(參數(shù)測量單元),可精確測量nA級靜態(tài)漏電流(Iddq),識別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常,但在高溫或長期使用后極易失效。GT600通過精密篩查,提前剔除隱患,大幅提升產(chǎn)品早期失效率(InfantMortality)的控制能力。其次,支持***的可靠性測試項(xiàng)目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測試(Burn-in),在高溫高壓下運(yùn)行芯片數(shù)百小時(shí),加速暴露早期缺陷。其浮動SMU電源板卡能模擬車載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境,驗(yàn)證芯片在電壓波動、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對于通信類高可靠產(chǎn)品,高精度TMU(10ps分辨率)可檢測信號時(shí)序漂移,確保長期通信無誤碼。再次,高穩(wěn)定性與長周期測試能力。GT600硬件設(shè)計(jì)冗余,散熱優(yōu)良,支持7x24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行,可執(zhí)行長達(dá)數(shù)周的耐久性測試,模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長周期測試程序不中斷,數(shù)據(jù)完整。***,數(shù)據(jù)可追溯性強(qiáng)。 具備多類報(bào)警功能,包括低阻、溫濕度異常等,保障測試安全。湖州CAF測試系統(tǒng)定制價(jià)格
國磊GT600SoC測試機(jī)尤其適用于高引腳數(shù)、高集成度、混合信號特征明顯的先進(jìn)芯片。無錫PCB測試系統(tǒng)供應(yīng)商
可穿戴設(shè)備的“微功耗**” AI眼鏡、智能手表等可穿戴設(shè)備依賴電池供電,對SoC功耗極其敏感。一顆芯片若待機(jī)漏電超標(biāo),可能導(dǎo)致設(shè)備“一天三充”。杭州國磊GT600的PPMU可精確測量nA級靜態(tài)電流(Iddq),相當(dāng)于每秒流過數(shù)億個(gè)電子的微小電流,能識別芯片內(nèi)部的“隱形漏電點(diǎn)”。通過FVMI模式,杭州國磊GT600可在不同電壓下測試芯片功耗,驗(yàn)證其電源門控(Power Gating)與休眠喚醒機(jī)制是否有效。其高精度測量能力確保只有“省電體質(zhì)”的芯片進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí),杭州國磊GT600支持混合信號測試,可驗(yàn)證傳感器融合、語音喚醒等低功耗功能。在追求“輕薄長續(xù)航”的可穿戴市場,杭州國磊GT600以“微電流級”檢測能力,為國產(chǎn)芯片的用戶體驗(yàn)提供底層保障。無錫PCB測試系統(tǒng)供應(yīng)商