面對(duì)AI架構(gòu)日新月異（如存算一體、稀疏計(jì)算、類腦芯片），測(cè)試平臺(tái)必須具備高度靈活性。GT600采用開放軟件架構(gòu)，支持C++、Python及Visual Studio開發(fā)環(huán)境，允許用戶自定義測(cè)試邏輯、數(shù)據(jù)分析模塊與自動(dòng)化腳本。高校、初創(chuàng)企業(yè)甚至“六小龍”中的技術(shù)團(tuán)隊(duì)均可基于GT600快速搭建專屬驗(yàn)證方案，無需依賴封閉廠商的黑盒工具鏈。這種開放性極大縮短了從算法原型到芯片驗(yàn)證的周期，使杭州成為AI芯片創(chuàng)新的“快速試驗(yàn)田”。GT600不僅是量產(chǎn)設(shè)備，更是推動(dòng)中國AI底層硬件從“跟隨”走向“原創(chuàng)”的創(chuàng)新引擎。低功耗SoC應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等高量產(chǎn)場景。國磊GT600支持512Sites并行測(cè)試，降低芯片的測(cè)試成本。湘潭導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

國磊GT600支持可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，每塊SMU可**輸出電壓與監(jiān)測(cè)電流。對(duì)于具有多個(gè)電源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可為每個(gè)域分配**SMU通道，實(shí)現(xiàn)各電源域**上電/斷電、不同電壓值（如1.8V、1.2V、0.9V）同時(shí)施加、防止電源域間相互干擾?，F(xiàn)代SoC要求多個(gè)電源域按特定順序上電（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免閂鎖效應(yīng)。國磊GT600通過GTFY軟件系統(tǒng)編程控制各SMU的開啟時(shí)間，精確設(shè)置各域電壓的上升延遲（精度達(dá)ms級(jí)），驗(yàn)證SoC在正確與錯(cuò)誤時(shí)序下的行為，確保設(shè)計(jì)符合規(guī)范。國磊GT600的SMU和PPMU支持實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)電源域的電流消耗，可用于識(shí)別某電源域的異常功耗（如漏電、短路）、分析不同工作模式（運(yùn)行、睡眠、喚醒）下的域級(jí)功耗分布、驗(yàn)證電源門控模塊是否有效切斷目標(biāo)域供電。國磊GT600可編程調(diào)節(jié)各電源域電壓（如±5%波動(dòng)），測(cè)試SoC在電壓偏移條件下的功能穩(wěn)定性，評(píng)估電源完整性設(shè)計(jì)余量。對(duì)于國磊GT600SMU電壓范圍外的電源（如高壓模擬域），可通過GPIB/TTL接口控制外部源表或電源模塊，實(shí)現(xiàn)與GT600內(nèi)部SMU的同步操作，構(gòu)建完整的多電源域測(cè)試系統(tǒng)。湘潭導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過輸入/輸出電平測(cè)試（VIH/VIL,VOH/VOL）驗(yàn)證數(shù)字接口的高低電平閾值與驅(qū)動(dòng)能力。

杭州國磊GT600提供高達(dá)128M的向量存儲(chǔ)深度，相當(dāng)于可存儲(chǔ)1.28億個(gè)測(cè)試步驟，這是保障復(fù)雜芯片測(cè)試完整性的關(guān)鍵?，F(xiàn)代SoC的測(cè)試程序極為龐大，如AI芯片運(yùn)行ResNet-50模型推理、手機(jī)SoC執(zhí)行多任務(wù)調(diào)度、通信芯片處理完整5G協(xié)議棧，這些測(cè)試序列動(dòng)輒數(shù)百萬甚至上千萬向量。若向量深度不足，測(cè)試機(jī)需頻繁從硬盤加載數(shù)據(jù)，導(dǎo)致測(cè)試中斷、效率驟降。杭州國磊GT600的128M深度可將整個(gè)測(cè)試程序一次性載入內(nèi)存，實(shí)現(xiàn)“全速連續(xù)運(yùn)行”，避免性能瓶頸。在工程調(diào)試階段，長向量也便于復(fù)現(xiàn)偶發(fā)性失效。對(duì)于需要長時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試的車規(guī)芯片，128M空間可容納老化測(cè)試的完整循環(huán)序列。這一參數(shù)確保杭州國磊GT600能應(yīng)對(duì)未來更復(fù)雜的芯片驗(yàn)證需求。

現(xiàn)代手機(jī)SoC普遍集成ADC、DAC、PLL、LDO等模擬模塊，用于傳感器融合、音頻處理和電源管理。GT600支持GT-AWGLP02（THD-122dB）和高分辨率Digitizer板卡，可用于AI驅(qū)動(dòng)的語音識(shí)別、圖像信號(hào)處理鏈路的動(dòng)態(tài)性能測(cè)試。其20/24bit分辨率支持INL、DNL、SNR等關(guān)鍵指標(biāo)的精確測(cè)量，確保端側(cè)AI感知系統(tǒng)的信號(hào)完整性。國磊GT600測(cè)試機(jī)的16插槽模塊化架構(gòu)允許數(shù)字、AWG、TMU、SMU板卡混插，實(shí)現(xiàn)從CPU到NPU再到模擬前端的一站式測(cè)試，避免多設(shè)備切換帶來的效率損失與數(shù)據(jù)割裂。
國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過加載Pattern，驗(yàn)證SoC邏輯（如CPU、NPU、DSP）的功能正確性與邏輯測(cè)試及向量測(cè)試。

AI芯片在推理或訓(xùn)練突發(fā)負(fù)載下，電流可在微秒級(jí)劇烈波動(dòng)，易引發(fā)電壓塌陷（VoltageDroop）。國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高采樣率動(dòng)態(tài)電流監(jiān)測(cè)，可捕獲電源門控開啟瞬間的浪涌電流（InrushCurrent）與工作過程中的瞬態(tài)功耗波形，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化去耦電容布局與電源完整性（PI）設(shè)計(jì)。其128M向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度支持長時(shí)間功耗行為記錄，用于分析AI工作負(fù)載的能耗模式?，F(xiàn)代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模塊，引腳數(shù)常超2000。國磊GT600支持**2048個(gè)數(shù)字通道與400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋AI芯片的I/O接口功能驗(yàn)證。其512Sites高并行測(cè)試架構(gòu)**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆芯片測(cè)試成本，滿足AI服務(wù)器芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求。
高精度電壓輸出與測(cè)量，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。杭州GEN3測(cè)試設(shè)備

國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)高密度集成設(shè)計(jì)降低系統(tǒng)體積與功耗，適配高通道數(shù)HBM測(cè)試的緊湊型測(cè)試臺(tái)架部署。湘潭導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

    GT600SoC測(cè)試機(jī)在測(cè)試高可靠性產(chǎn)品（如車規(guī)芯片、工業(yè)級(jí)MCU、航天電子、醫(yī)療設(shè)備芯片）時(shí)，展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢(shì)，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。首先，高精度參數(shù)測(cè)量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常，但在高溫或長期使用后極易失效。GT600通過精密篩查，提前剔除隱患，大幅提升產(chǎn)品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性測(cè)試項(xiàng)目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測(cè)試（Burn-in），在高溫高壓下運(yùn)行芯片數(shù)百小時(shí)，加速暴露早期缺陷。其浮動(dòng)SMU電源板卡能模擬車載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境，驗(yàn)證芯片在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對(duì)于通信類高可靠產(chǎn)品，高精度TMU（10ps分辨率）可檢測(cè)信號(hào)時(shí)序漂移，確保長期通信無誤碼。再次，高穩(wěn)定性與長周期測(cè)試能力。GT600硬件設(shè)計(jì)冗余，散熱優(yōu)良，支持7x24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行，可執(zhí)行長達(dá)數(shù)周的耐久性測(cè)試，模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長周期測(cè)試程序不中斷，數(shù)據(jù)完整。***，數(shù)據(jù)可追溯性強(qiáng)。 湘潭導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家