現(xiàn)代手機(jī)SoC是高度集成的“微型超級(jí)計(jì)算機(jī)”，一顆芯片內(nèi)融合了CPU（**處理器）、GPU（圖形處理器）、NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎）、ISP（圖像信號(hào)處理器）、基帶（5G/4G通信模塊）、內(nèi)存控制器、電源管理單元等數(shù)十個(gè)功能模塊，協(xié)同完成從AI計(jì)算、高清拍照到高速聯(lián)網(wǎng)的復(fù)雜任務(wù)。這對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了“全能型”要求。國(guó)磊GT600憑借512個(gè)高速數(shù)字通道，可并行激勵(lì)與捕獲CPU/GPU的邏輯響應(yīng)，驗(yàn)證運(yùn)算正確性；通過可選配AWG（任意波形發(fā)生器）板卡，可生成高保真模擬圖像信號(hào)，精細(xì)測(cè)試ISP對(duì)色彩、噪聲、動(dòng)態(tài)范圍的處理能力；再結(jié)合高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，分辨率10ps），可精確捕捉基帶芯片收發(fā)信號(hào)的時(shí)間抖動(dòng)與延遲，確保5G通信的穩(wěn)定性和低時(shí)延。16個(gè)通用插槽支持靈活配置，讓國(guó)磊GT600能像“變形金剛”一樣，針對(duì)不同模塊組合比較好測(cè)試方案，真正實(shí)現(xiàn)“一機(jī)通測(cè)”，***保障國(guó)產(chǎn)**SoC的功能完整性與性能可靠性。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)是國(guó)產(chǎn)低功耗芯片實(shí)現(xiàn)“高性能+長(zhǎng)續(xù)航”目標(biāo)的關(guān)鍵測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施。絕緣電阻劣化評(píng)估設(shè)備

    杭州國(guó)磊（Guolei）SoC測(cè)試系統(tǒng)（以GT600為**）雖主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字與混合信號(hào)測(cè)試，但憑借其高精度模擬測(cè)量、靈活電源管理、高速數(shù)字接口驗(yàn)證及并行測(cè)試能力，能夠有效支持多種MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）。以下是其具體支持的典型MEMS應(yīng)用場(chǎng)景：1.慣性測(cè)量單元（IMU）IMU廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、無人機(jī)、AR/VR設(shè)備及智能駕駛系統(tǒng)，通常集成3軸加速度計(jì)+3軸陀螺儀（6DoF）甚至磁力計(jì)（9DoF）。其配套ASIC需完成微弱電容信號(hào)調(diào)理、Σ-ΔADC轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和SPI/I2C通信。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：利用24位高精度Digitizer板卡捕獲nV~μV級(jí)模擬輸出；通過TMU（時(shí)間測(cè)量單元）驗(yàn)證陀螺儀響應(yīng)延遲與帶寬；使用400MHz數(shù)字通道測(cè)試高速SPI接口時(shí)序（眼圖、抖動(dòng)）；PPMU每引腳**供電，精確測(cè)量各工作模式功耗。 衡陽導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)國(guó)磊GT600測(cè)試系統(tǒng)只需通過“配置升級(jí)”和“方案打包”，就能快速適配Chiplet的復(fù)雜測(cè)試需求。

杭州國(guó)磊GT600提供512個(gè)數(shù)字通道，并可擴(kuò)展至2048通道，配合16個(gè)通用插槽，構(gòu)建了高度靈活的硬件架構(gòu)。在測(cè)試一顆引腳數(shù)超500的手機(jī)SoC時(shí)，512通道可完全覆蓋其I/O需求，無需復(fù)用或分時(shí)測(cè)試，確保信號(hào)同步性。16個(gè)插槽支持自由組合數(shù)字板卡、模擬板卡（AWG/TMU）、電源板卡（DPS/SMU），實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬+混合信號(hào)”一體化測(cè)試。例如，測(cè)試智能座艙芯片時(shí)，部分插槽配置為高速數(shù)字通道測(cè)試CPU邏輯，另一部分接入AWG生成音頻信號(hào)測(cè)試DAC，再通過TMU測(cè)量顯示接口時(shí)序。這種模塊化設(shè)計(jì)讓GT600能像“變形金剛”一樣適配不同芯片需求，從低引腳MCU到高集成SoC，一機(jī)通測(cè)，大幅降低企業(yè)設(shè)備采購(gòu)與維護(hù)成本。

高速數(shù)字接口驗(yàn)證保障系統(tǒng)集成，**MEMSIMU（如用于AR/VR或自動(dòng)駕駛）常集成SPI/QSPI接口，速率可達(dá)50MHz以上。國(guó)磊（Guolei）GT600支持400MHz測(cè)試速率和100ps邊沿精度，不僅能驗(yàn)證數(shù)字協(xié)議合規(guī)性，還可進(jìn)行眼圖分析、抖動(dòng)測(cè)試和建立/保持時(shí)間檢查，確保MEMS模塊在高速數(shù)據(jù)交互中不失效，避免因接口時(shí)序問題導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。并行測(cè)試提升MEMS量產(chǎn)效率 消費(fèi)級(jí)MEMS芯片（如手機(jī)中的六軸傳感器）年出貨量達(dá)數(shù)億顆，對(duì)測(cè)試成本極其敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600支持比較高512 Sites并行測(cè)試，可在單次測(cè)試中同時(shí)驗(yàn)證數(shù)百顆MEMS-ASIC芯片，大幅降低單顆測(cè)試時(shí)間與成本。結(jié)合其向量存儲(chǔ)深度（比較高128M）和ALPG（自動(dòng)邏輯圖形生成）功能，可高效覆蓋復(fù)雜校準(zhǔn)算法（如六點(diǎn)溫度補(bǔ)償）的測(cè)試流程。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高達(dá)2048個(gè)數(shù)字通道，滿足HBM接口千級(jí)I/O引腳的并行測(cè)試需求。

HBM的集成不****是帶寬提升，更帶來了復(fù)雜的混合信號(hào)測(cè)試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號(hào)完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R（Skew）等問題，直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì)，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡，實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測(cè)試。例如，通過GT-TMUHA04（10ps分辨率）精確測(cè)量HBM接口時(shí)序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成純凈激勵(lì)信號(hào)，**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問題系統(tǒng)化解決，為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號(hào)的**測(cè)試保障，確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)ALPG功能可生成地址/數(shù)據(jù)模式，用于HBM存儲(chǔ)控制器的功能驗(yàn)證。湘潭CAF測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

電壓設(shè)置靈活，測(cè)試電壓1–3000V可調(diào)，適應(yīng)多種實(shí)驗(yàn)條件。絕緣電阻劣化評(píng)估設(shè)備

低功耗SoC在先進(jìn)工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時(shí)序窗口，以及混合信號(hào)模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗(yàn)證要求。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量上。此時(shí)，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的價(jià)值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，**捕捉先進(jìn)工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試與電源域上電時(shí)序驗(yàn)證。絕緣電阻劣化評(píng)估設(shè)備