AI眼鏡的崛起標(biāo)志著消費(fèi)電子向“感知+計(jì)算+交互”一體化演進(jìn)。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信號(hào)器件，測(cè)試難度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)MCU。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借nA級(jí)電流測(cè)量、高精度模擬測(cè)試、10ps時(shí)序分析、高并行架構(gòu)與開(kāi)放軟件平臺(tái)，成為AI眼鏡SoC從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)落地的關(guān)鍵支撐。它不**滿足當(dāng)前40/28nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)試需求，更具備向更先進(jìn)工藝延伸的能力。在AI終端加速滲透的浪潮中，GT600為國(guó)產(chǎn)可穿戴芯片提供可靠、高效、自主可控的測(cè)試解決方案，助力中國(guó)智造搶占下一代人機(jī)交互入口。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行電源門控測(cè)試即驗(yàn)證PowerGating開(kāi)關(guān)的漏電控制效果。金華CAF測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）預(yù)測(cè)的人工智能服務(wù)器市場(chǎng)高速增長(zhǎng)（2024年1251億美元→2028年2227億美元），本質(zhì)上是高算力芯片（GPU、ASIC）在功耗、密度與可靠性層面極限挑戰(zhàn)的集中體現(xiàn)。每一塊AI加速卡背后，都是數(shù)百瓦功耗、數(shù)千電源引腳、多級(jí)電壓域、復(fù)雜電源門控與瞬態(tài)電流管理的設(shè)計(jì)博弈。而這些，正是國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)憑借其高精度電源與功耗驗(yàn)證能力，**切入并把握產(chǎn)業(yè)機(jī)遇的技術(shù)支點(diǎn)。AI芯片普遍采用7nm/5nm等先進(jìn)工藝，靜態(tài)漏電（Leakage）隨工藝微縮呈指數(shù)增長(zhǎng)。國(guó)磊GT600通過(guò)每通道PPMU，支持nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，可**識(shí)別G**SIC在待機(jī)、休眠模式下的異常漏電，確保電源門控（PowerGating）機(jī)制有效，避免“隱形功耗”拖累整機(jī)能效。其高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓輸出，可**控制AI芯片的Core、Memory、I/O等多電源域，驗(yàn)證上電時(shí)序（PowerSequencing）與電壓裕量（VoltageMargining），防止因電源順序錯(cuò)誤導(dǎo)致的閂鎖或功能失效。杭州國(guó)磊高阻測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)實(shí)時(shí)電流監(jiān)測(cè)與快速數(shù)據(jù)采集，完整掌握電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。

科研創(chuàng)新的“開(kāi)放平臺(tái)” 在高校與科研院所，芯片研發(fā)需要高度靈活的測(cè)試環(huán)境。杭州國(guó)磊GT600的開(kāi)放式GTFY系統(tǒng)支持C++/Python編程，研究人員可自由開(kāi)發(fā)測(cè)試算法，驗(yàn)證新型架構(gòu)（如存算一體、類腦芯片）。其16個(gè)通用插槽可接入自研測(cè)試板卡，實(shí)現(xiàn)定制化測(cè)量。128M向量深度支持復(fù)雜實(shí)驗(yàn)程序運(yùn)行，避免頻繁加載。杭州國(guó)磊GT600還支持探針臺(tái)接口，便于對(duì)晶圓上裸片進(jìn)行特性表征。在國(guó)產(chǎn)芯片從“模仿”到“創(chuàng)新”的轉(zhuǎn)型中，杭州國(guó)磊GT600不僅是量產(chǎn)工具，更是科研探索的“開(kāi)放實(shí)驗(yàn)臺(tái)”，為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的突破提供關(guān)鍵支持。

天璣9000系列集成了高性能CPU集群與**NPU，支持多模態(tài)AI推理、端側(cè)大模型運(yùn)行，其芯片內(nèi)部信號(hào)復(fù)雜度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)SoC。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**2048個(gè)數(shù)字通道和400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋天璣類SoC的高并發(fā)I/O接口測(cè)試需求。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜AI指令序列的Pattern加載，確保NPU功能邏輯的完整驗(yàn)證。更關(guān)鍵的是，GT600支持512Sites高并行測(cè)試，**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆芯片測(cè)試成本，滿足手機(jī)SoC大規(guī)模量產(chǎn)的效率要求。在AI芯片“拼性能、拼量產(chǎn)”的競(jìng)爭(zhēng)中，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)為國(guó)產(chǎn)SoC廠商提供了高效、穩(wěn)定的測(cè)試保障。國(guó)磊GT600數(shù)字通道邊沿精度100ps，確保模擬IC控制信號(hào)（如Enable、Reset）的建立與保持時(shí)間精確驗(yàn)證。

    1.高邊沿精度保障高速接口時(shí)序合規(guī)性。現(xiàn)代智能駕駛SoC普遍集成PCIe、GMSL、FPD-LinkIII等高速串行接口，用于連接傳感器與**計(jì)算單元。這些接口對(duì)信號(hào)邊沿時(shí)序要求極為嚴(yán)苛。杭州國(guó)磊GT600具備100ps的向量邊沿放置精度，能夠精確模擬高速信號(hào)的上升/下降沿，并配合Digitizer板卡捕獲實(shí)際輸出波形，驗(yàn)證眼圖、抖動(dòng)與建立/保持時(shí)間是否符合協(xié)議規(guī)范。這種高精度時(shí)序控制能力，是確保車載高速通信鏈路穩(wěn)定性的關(guān)鍵測(cè)試手段。開(kāi)放式軟件生態(tài)賦能定制化測(cè)試開(kāi)發(fā)。杭州國(guó)磊GT600采用基于VisualStudio與C++的開(kāi)放式GTFY編程環(huán)境，允許客戶根據(jù)自身芯片特性開(kāi)發(fā)定制化測(cè)試流程。對(duì)于智能駕駛芯片廠商而言，這意味著可將內(nèi)部驗(yàn)證方法論（如ISO26262功能安全測(cè)試用例）直接嵌入測(cè)試程序，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化安全機(jī)制驗(yàn)證。同時(shí)，圖形化數(shù)據(jù)顯示與用戶管理界面便于測(cè)試工程師快速定位故障引腳或模塊，大幅提升調(diào)試效率，縮短芯片迭代周期。 國(guó)磊GT600在電源門控測(cè)試中，通過(guò)其高精度測(cè)量能力與靈活測(cè)試架構(gòu)，適配成熟到先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的工藝制程。高性能SIR測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過(guò)電源上電時(shí)序測(cè)試?yán)肧MU監(jiān)控多電源域的電壓建立順序，防止閂鎖效應(yīng)。金華CAF測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

手機(jī)續(xù)航是用戶體驗(yàn)的生命線，而功耗控制的**在于SoC芯片的“健康度”與“效率”。國(guó)磊GT600憑借其每通道**PPMU（精密參數(shù)測(cè)量單元），可對(duì)芯片每個(gè)引腳進(jìn)行nA（納安）級(jí)靜態(tài)電流（Iddq）測(cè)量，相當(dāng)于為芯片做“微電流心電圖”，精細(xì)識(shí)別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電——這些“隱形耗電大戶”在待機(jī)時(shí)也會(huì)悄悄吞噬電量。通過(guò)篩查剔除“高漏電”芯片，國(guó)磊GT600確保只有“省電體質(zhì)”的質(zhì)量芯片進(jìn)入量產(chǎn)。不僅如此，國(guó)磊GT600支持FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，可在不同電壓條件下模擬真實(shí)使用場(chǎng)景——如游戲高負(fù)載、多攝像頭同時(shí)工作、5G高速下載等——?jiǎng)討B(tài)測(cè)量芯片功耗曲線，驗(yàn)證其電源管理單元是否能智能調(diào)節(jié)電壓頻率，實(shí)現(xiàn)性能與功耗的比較好平衡。同時(shí)，其FIMV（強(qiáng)制電流測(cè)電壓）模式還能檢測(cè)芯片在極限負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)或重啟。通過(guò)靜態(tài)+動(dòng)態(tài)、微觀+宏觀的功耗全景測(cè)試，國(guó)磊GT600可以為國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC筑起“續(xù)航防火墻”，讓每一毫安時(shí)電量都用在刀刃上。金華CAF測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商