AI芯片在推理或訓(xùn)練突發(fā)負(fù)載下，電流可在微秒級(jí)劇烈波動(dòng)，易引發(fā)電壓塌陷（VoltageDroop）。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高采樣率動(dòng)態(tài)電流監(jiān)測(cè)，可捕獲電源門控開啟瞬間的浪涌電流（InrushCurrent）與工作過(guò)程中的瞬態(tài)功耗波形，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化去耦電容布局與電源完整性（PI）設(shè)計(jì)。其128M向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度支持長(zhǎng)時(shí)間功耗行為記錄，用于分析AI工作負(fù)載的能耗模式?，F(xiàn)代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模塊，引腳數(shù)常超2000。國(guó)磊GT600支持**2048個(gè)數(shù)字通道與400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋AI芯片的I/O接口功能驗(yàn)證。其512Sites高并行測(cè)試架構(gòu)**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆芯片測(cè)試成本，滿足AI服務(wù)器芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求。
國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可通過(guò)配置相應(yīng)板卡和開發(fā)測(cè)試程序?qū)崿F(xiàn)SoC全測(cè)試。國(guó)磊SIR測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)

國(guó)磊GT600支持可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，每塊SMU可**輸出電壓與監(jiān)測(cè)電流。對(duì)于具有多個(gè)電源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可為每個(gè)域分配**SMU通道，實(shí)現(xiàn)各電源域**上電/斷電、不同電壓值（如1.8V、1.2V、0.9V）同時(shí)施加、防止電源域間相互干擾?，F(xiàn)代SoC要求多個(gè)電源域按特定順序上電（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免閂鎖效應(yīng)。國(guó)磊GT600通過(guò)GTFY軟件系統(tǒng)編程控制各SMU的開啟時(shí)間，精確設(shè)置各域電壓的上升延遲（精度達(dá)ms級(jí)），驗(yàn)證SoC在正確與錯(cuò)誤時(shí)序下的行為，確保設(shè)計(jì)符合規(guī)范。國(guó)磊GT600的SMU和PPMU支持實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)電源域的電流消耗，可用于識(shí)別某電源域的異常功耗（如漏電、短路）、分析不同工作模式（運(yùn)行、睡眠、喚醒）下的域級(jí)功耗分布、驗(yàn)證電源門控模塊是否有效切斷目標(biāo)域供電。國(guó)磊GT600可編程調(diào)節(jié)各電源域電壓（如±5%波動(dòng)），測(cè)試SoC在電壓偏移條件下的功能穩(wěn)定性，評(píng)估電源完整性設(shè)計(jì)余量。對(duì)于國(guó)磊GT600SMU電壓范圍外的電源（如高壓模擬域），可通過(guò)GPIB/TTL接口控制外部源表或電源模塊，實(shí)現(xiàn)與GT600內(nèi)部SMU的同步操作，構(gòu)建完整的多電源域測(cè)試系統(tǒng)。國(guó)產(chǎn)替代GEN3測(cè)試系統(tǒng)哪家好國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)有靈活的硬件配置和開放的軟件平臺(tái)，適配多種工藝節(jié)點(diǎn)、封裝形式和功能架構(gòu)的SoC。

    低溫CMOS芯片的常溫預(yù)篩與參數(shù)表征許多用于量子計(jì)算的控制芯片需在毫開爾文溫度下工作，但其制造仍基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。在封裝并送入稀釋制冷機(jī)前，必須通過(guò)常溫下的嚴(yán)格電性測(cè)試進(jìn)行預(yù)篩選。杭州國(guó)磊（Guolei）GT600支持每引腳PPMU（參數(shù)測(cè)量單元）和可編程浮動(dòng)電源（），能精確測(cè)量微弱電流、漏電及閾值電壓漂移等關(guān)鍵參數(shù)，有效剔除早期失效器件，避免昂貴的低溫測(cè)試資源浪費(fèi)。量子測(cè)控SoC的量產(chǎn)驗(yàn)證平臺(tái)隨著量子計(jì)算機(jī)向百比特以上規(guī)模演進(jìn)，集成化“量子測(cè)控SoC”成為趨勢(shì)（如Intel的HorseRidge芯片）。這類芯片集成了多通道微波信號(hào)調(diào)制、頻率合成、反饋控制等功能，結(jié)構(gòu)復(fù)雜度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行測(cè)試能力、128M向量深度及400MHz測(cè)試速率，完全可滿足此類**SoC在工程驗(yàn)證與小批量量產(chǎn)階段的功能覆蓋與性能分bin需求。

對(duì)于時(shí)間測(cè)量要求極高的場(chǎng)景（如ADAS傳感器信號(hào)），杭州國(guó)磊GT600可選配高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，分辨率10ps），精確捕捉信號(hào)延遲與抖動(dòng)，確保通信實(shí)時(shí)性。 再次，GT600支持混合信號(hào)測(cè)試。 現(xiàn)代車規(guī)芯片（如智能座艙、域控制器SoC）集成了CPU、GPU、ISP、音頻編解碼等模塊。國(guó)磊GT600通過(guò)可選AWG板卡生成高保真模擬信號(hào)，測(cè)試攝像頭ISP的圖像處理能力；通過(guò)高速數(shù)字通道驗(yàn)證CAN-FD、Ethernet等通信接口功能。 ***，國(guó)磊GT600的512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，大幅提升了車規(guī)芯片的量產(chǎn)效率，降低了單顆測(cè)試成本，助力國(guó)產(chǎn)車規(guī)芯片快速上車。關(guān)注電化學(xué)反應(yīng)對(duì)電路組件的影響，GM8800助您一臂之力！

每通道PPMU：芯片健康的“精密聽診器” 。杭州國(guó)磊GT600的每通道集成PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），是其高精度測(cè)試的**。PPMU可在FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式下，精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），相當(dāng)于檢測(cè)每秒流過(guò)數(shù)億個(gè)電子的微小電流。在手機(jī)芯片測(cè)試中，這能識(shí)別因工藝缺陷導(dǎo)致的“待機(jī)耗電”問(wèn)題，確保續(xù)航達(dá)標(biāo)。在FIMV（強(qiáng)制電流測(cè)電壓）模式下，可驗(yàn)證電源調(diào)整率，防止芯片在高負(fù)載下電壓跌落導(dǎo)致死機(jī)。PPMU還支持快速哨兵測(cè)試（Quick Sentinel），在毫秒內(nèi)完成所有引腳的開路/短路檢測(cè)，大幅提升初篩效率。對(duì)于AI芯片，PPMU可逐核測(cè)量功耗，篩選出“能效比較好”**。這一“每引腳級(jí)”測(cè)量能力，讓杭州國(guó)磊GT600成為芯片可靠性的“***守門人”。從實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證到量產(chǎn)測(cè)試，我們提供全流程支持。廣東PCB測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)

國(guó)磊半導(dǎo)體，您值得信賴的測(cè)試伙伴。國(guó)磊SIR測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)

國(guó)磊（Guolei）的SoC測(cè)試機(jī)（如GT600）雖然主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試，但其技術(shù)能力與MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊（包含機(jī)械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等），但在實(shí)際應(yīng)用中，絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝（如慣性測(cè)量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等），而這些配套電路的測(cè)試正是國(guó)磊SoC測(cè)試機(jī)的**應(yīng)用場(chǎng)景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測(cè)試需求，現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如，加速度計(jì)/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量，而配套的ASIC則完成信號(hào)調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和數(shù)字接口輸出。這類ASIC往往具備高精度模擬前端（如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC）、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口，屬于典型的混合信號(hào)SoC。 國(guó)磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測(cè)量單元及TMU時(shí)間測(cè)量功能，可***驗(yàn)證此類MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時(shí)序響應(yīng)和電源抑制比，確保傳感器整體精度與可靠性。國(guó)磊SIR測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)貨直發(fā)