PPMU功能實(shí)現(xiàn)每引腳**電源管理測(cè)試 智能駕駛SoC通常包含多個(gè)電源域，以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)功耗管理。杭州國(guó)磊GT600每通道集成PPMU（每引腳參數(shù)測(cè)量單元），支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV四種工作模式，可**控制每個(gè)引腳的電壓施加與電流測(cè)量。這一能力對(duì)于驗(yàn)證芯片在低功耗休眠、喚醒切換、電壓驟降等場(chǎng)景下的行為至關(guān)重要。例如，在模擬車輛啟動(dòng)瞬間電源波動(dòng)時(shí)，GT600可精確監(jiān)測(cè)各電源域的電流響應(yīng)，確保SoC不會(huì)因電源異常導(dǎo)致功能失效或安全風(fēng)險(xiǎn)。國(guó)磊GT600的SMU覆蓋從高壓IO（3.3V）到低電壓he心（0.6V~1.2V）的多種電源域，適配不同節(jié)點(diǎn)供電要求。珠海絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)廠家

天璣9000系列的成功，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在AI賽道的**崛起。而其背后，離不開(kāi)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的完整產(chǎn)業(yè)鏈支撐。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其高通道密度、高并行能力、混合信號(hào)支持與開(kāi)放C++軟件架構(gòu)，已成為**SoC測(cè)試的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。它不**支持STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率分析與AI模型訓(xùn)練反饋，還可通過(guò)GPIB/TTL接口與探針臺(tái)、分選機(jī)聯(lián)動(dòng)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程。選擇國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，就是選擇一條高效、自主、面向AI時(shí)代的SoC測(cè)試之路。杭州國(guó)磊高阻測(cè)試系統(tǒng)廠家國(guó)磊半導(dǎo)體致力于為全球客戶提供高性能的測(cè)試解決方案。

國(guó)磊GT600搭載GTFY軟件系統(tǒng)，支持C++編程與VisualStudio開(kāi)發(fā)環(huán)境，工程師可編寫(xiě)腳本實(shí)現(xiàn)：自動(dòng)化掃描電壓/頻率組合（DVFS驗(yàn)證）；循環(huán)執(zhí)行睡眠-喚醒-滿載測(cè)試序列；實(shí)時(shí)采集功耗數(shù)據(jù)并生成STDF/CSV報(bào)告；大幅提升測(cè)試效率與數(shù)據(jù)可追溯性，助力AI芯片從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的閉環(huán)優(yōu)化。AI服務(wù)器市場(chǎng)的爆發(fā)，本質(zhì)是算力與功耗的持續(xù)博弈。國(guó)磊GT600并未追逐“算力測(cè)試”的表層熱點(diǎn)，而是深入電源管理與功耗驗(yàn)證這一關(guān)鍵底層環(huán)節(jié)，以nA級(jí)漏電檢測(cè)、多域電源控制、動(dòng)態(tài)功耗分析與高并行量產(chǎn)能力，成為AI芯片可靠性與能效比驗(yàn)證的**測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施。

杭州國(guó)磊GT600提供高達(dá)128M的向量存儲(chǔ)深度，相當(dāng)于可存儲(chǔ)1.28億個(gè)測(cè)試步驟，這是保障復(fù)雜芯片測(cè)試完整性的關(guān)鍵?，F(xiàn)代SoC的測(cè)試程序極為龐大，如AI芯片運(yùn)行ResNet-50模型推理、手機(jī)SoC執(zhí)行多任務(wù)調(diào)度、通信芯片處理完整5G協(xié)議棧，這些測(cè)試序列動(dòng)輒數(shù)百萬(wàn)甚至上千萬(wàn)向量。若向量深度不足，測(cè)試機(jī)需頻繁從硬盤(pán)加載數(shù)據(jù)，導(dǎo)致測(cè)試中斷、效率驟降。杭州國(guó)磊GT600的128M深度可將整個(gè)測(cè)試程序一次性載入內(nèi)存，實(shí)現(xiàn)“全速連續(xù)運(yùn)行”，避免性能瓶頸。在工程調(diào)試階段，長(zhǎng)向量也便于復(fù)現(xiàn)偶發(fā)性失效。對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試的車規(guī)芯片，128M空間可容納老化測(cè)試的完整循環(huán)序列。這一參數(shù)確保杭州國(guó)磊GT600能應(yīng)對(duì)未來(lái)更復(fù)雜的芯片驗(yàn)證需求。長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，支持1–1000小時(shí)持續(xù)測(cè)試，可靠性高。

    GT600SoC測(cè)試機(jī)在測(cè)試高可靠性產(chǎn)品（如車規(guī)芯片、工業(yè)級(jí)MCU、航天電子、醫(yī)療設(shè)備芯片）時(shí)，展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢(shì)，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。首先，高精度參數(shù)測(cè)量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常，但在高溫或長(zhǎng)期使用后極易失效。GT600通過(guò)精密篩查，提前剔除隱患，大幅提升產(chǎn)品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性測(cè)試項(xiàng)目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測(cè)試（Burn-in），在高溫高壓下運(yùn)行芯片數(shù)百小時(shí)，加速暴露早期缺陷。其浮動(dòng)SMU電源板卡能模擬車載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境，驗(yàn)證芯片在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對(duì)于通信類高可靠產(chǎn)品，高精度TMU（10ps分辨率）可檢測(cè)信號(hào)時(shí)序漂移，確保長(zhǎng)期通信無(wú)誤碼。再次，高穩(wěn)定性與長(zhǎng)周期測(cè)試能力。GT600硬件設(shè)計(jì)冗余，散熱優(yōu)良，支持7x24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行，可執(zhí)行長(zhǎng)達(dá)數(shù)周的耐久性測(cè)試，模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長(zhǎng)周期測(cè)試程序不中斷，數(shù)據(jù)完整。***，數(shù)據(jù)可追溯性強(qiáng)。 GM8800是進(jìn)行絕緣劣化試驗(yàn)的理想選擇。高性能SIR測(cè)試系統(tǒng)定制

國(guó)磊GT600可利用高速數(shù)字通道捕獲時(shí)鐘與控制信號(hào)；結(jié)合TMU測(cè)量狀態(tài)切換延遲；來(lái)驗(yàn)證DVFS策略的有效性。珠海絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)廠家

國(guó)磊（Guolei）的SoC測(cè)試機(jī)（如GT600）雖然主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試，但其技術(shù)能力與MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊（包含機(jī)械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等），但在實(shí)際應(yīng)用中，絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝（如慣性測(cè)量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等），而這些配套電路的測(cè)試正是國(guó)磊SoC測(cè)試機(jī)的**應(yīng)用場(chǎng)景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測(cè)試需求，現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如，加速度計(jì)/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量，而配套的ASIC則完成信號(hào)調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和數(shù)字接口輸出。這類ASIC往往具備高精度模擬前端（如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC）、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口，屬于典型的混合信號(hào)SoC。 國(guó)磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測(cè)量單元及TMU時(shí)間測(cè)量功能，可***驗(yàn)證此類MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時(shí)序響應(yīng)和電源抑制比，確保傳感器整體精度與可靠性。珠海絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)廠家