近年來，oled顯示器廣泛應(yīng)用于手機(jī)和平板顯示。金屬銀以優(yōu)異的電導(dǎo)率和載流子遷移率被廣泛應(yīng)用于oled顯示器的陽極布線(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中。為了對此進(jìn)行蝕刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna)。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀，但在實(shí)際使用過程中仍會存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問題。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過程中存在少量的銀殘留、銀再吸附沉積問題。5.本發(fā)明通過以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問題的：6.一種銀蝕刻液組合物，其成分由質(zhì)量占比為40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有機(jī)酸、％硝酸鹽、％含氮元素有機(jī)物、其余為水組成。銅蝕刻液哪里可以買到；綿陽蝕刻液供應(yīng)商

以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖，以及宣泄孔的表面張力局部放大圖，其中該宣泄孔121為直通孔的態(tài)樣，當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會往該復(fù)數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖8所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外。廣東市面上哪家蝕刻液銷售廠家歡迎光臨蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。

圖7：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖。圖8：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖11：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實(shí)用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號說明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實(shí)用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211***壁面1212第二壁面122下表面123上表面13第三擋板20基板30輸送裝置31滾輪40風(fēng)刀裝置41***風(fēng)刀42第二風(fēng)刀43氣體50噴灑裝置51藥液s1步驟一s2步驟二s3步驟三s4步驟四h長度θ夾角θ1***夾角θ2第二夾角θ3第三夾角θ4接觸角a0孔徑a1上孔徑a2下孔徑w、w1、w2距離。具體實(shí)施方式首先，請參閱圖2與圖3所示，為本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其一較佳實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖，以及宣泄孔排列示意圖，其中本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)10適用于一濕式蝕刻機(jī)(圖式未標(biāo)示)。

蝕刻液也可含有α-羥基羧酸和/或其鹽。α-羥基羧酸及其鹽具有作為鈦的絡(luò)合劑的效果，可抑制蝕刻液中產(chǎn)生鈦的沉淀。作為所述α-羥基羧酸，例如可舉出酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度并無特別限制，從絡(luò)合效果及溶解性的觀點(diǎn)來看，推薦為％至5重量％，更推薦為％至2重量％。另外，蝕刻液也可含有亞硫酸及/或其鹽。亞硫酸及其鹽具有作為還原劑的效果，可提高鈦的蝕刻速度。亞硫酸和/或其鹽的濃度并無特別限制，從還原性及臭氣的觀點(diǎn)來看，推薦為％至％，更推薦為％至％。蝕刻液中除了上述的成分以外，也能以不妨礙本發(fā)明效果的程度添加其他成分。作為其他成分，例如可舉出表面活性劑、成分穩(wěn)定劑及消泡劑等。蝕刻液可通過使所述各成分溶解于水中而容易地制備。作為所述水，推薦為將離子性物質(zhì)及雜質(zhì)除去的水，例如推薦為離子交換水、純水、超純水等。蝕刻液可在使用時將各成分以成為預(yù)定濃度的方式調(diào)配，也可預(yù)先制備濃縮液并在即將使用之前稀釋而使用。使用本發(fā)明的蝕刻液的鈦的蝕刻方法并無特別限制，例如可舉出：對含有銅及鈦的對象物涂布或噴霧蝕刻液的方法；將含有銅及鈦的對象物浸漬在蝕刻液中的方法等。處理溫度并無特別限制。什么樣的蝕刻液可以蝕刻鋁同時保護(hù)銅？

提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進(jìn)行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設(shè)有通過電路控制的電磁閥，當(dāng)純水溫度高于10℃時，電磁閥無法打開。第二步：配制和準(zhǔn)備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應(yīng)的原料罐中，經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對應(yīng)的原料罐，備用。亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸需要稀釋后使用，hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2無需調(diào)配可直接用于制備蝕刻液。第三步：根據(jù)混酸配制表算出各個原料的添加量，按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調(diào)配罐，將上述混料充分?jǐn)嚢?，攪拌時間為3～5h。第四步：在第三步的混料中再添加h2o2，繼續(xù)攪拌混勻，攪拌時間為3～5h，用磁力泵將混合液通過過濾器循環(huán)過濾。蝕刻液可以蝕刻什么金屬材質(zhì)；深圳哪家蝕刻液蝕刻液推薦廠家

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etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式本發(fā)明人確認(rèn)了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數(shù)值時能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中，蝕刻對象膜可以為氮化物膜，保護(hù)對象膜可以為氧化物膜。此外，本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。<蝕刻液組合物>具體而言，本發(fā)明可以包含磷酸、添加劑和水，上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。本發(fā)明的上述添加劑的特征在于，使上述添加劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以(參照以下數(shù)學(xué)式)滿足。本發(fā)明中，各添加劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量和添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量的例子示于表3中。此外，由此計(jì)算的各添加劑的aeff值和與此有關(guān)的蝕刻程度的例示示于表2中。參照上述結(jié)果，可以確認(rèn)到上述添加劑的aeff值推薦滿足。綿陽蝕刻液供應(yīng)商