國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動(dòng)態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動(dòng)智慧機(jī)器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級(jí)!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認(rèn)證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機(jī)遇并存
當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí),該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng),并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出,除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象,亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題;此外,為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題,因此,該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小,例如:孔徑a0小于3mm,即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用,亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與該第二擋板12的該上表面123所夾的接觸角θ4,而達(dá)到防止位于該第二擋板12的該上表面123的藥液51水滴經(jīng)由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121滴下至該基板20上。由上述的實(shí)施說明可知,本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備與現(xiàn)有技術(shù)相較之下,本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計(jì),有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄,并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異?,F(xiàn)象。哪家的蝕刻液的價(jià)格優(yōu)惠?蘇州銀蝕刻液蝕刻液銷售電話

步驟一s1:設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10,其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121;該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12,以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13,其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121,該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣,且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離,其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm,以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象,若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時(shí),則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122,但仍舊可以提供空氣宣泄的管道,以借由該宣泄孔121平衡該第二擋板12上、下二端部的壓力。步驟二s2:使用一設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10下方的輸送裝置30輸送一基板20,以經(jīng)過一噴灑裝置50進(jìn)行一藥液51噴灑;在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中,該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部,且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間,其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上,以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程,該擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免該噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程。池州銅蝕刻液蝕刻液銷售廠家使用蝕刻液,輕松打造高精度蝕刻作品,展現(xiàn)精湛工藝。

因此存在開發(fā)蝕刻液組合物時(shí)會(huì)過度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問題。美國公開**第2號(hào)公開了在3dnand閃存的制造工序中,對(duì)于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而,為了選擇構(gòu)成成分的種類和濃度,不得不需要測試蝕刻液組合物的蝕刻性能,實(shí)際情況是,與上述同樣,仍然沒有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問題?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)**文獻(xiàn)**文獻(xiàn)1:美國公開**第2號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:所要解決的課題本發(fā)明是為了改善上述以往技術(shù)問題的發(fā)明,其目的在于,提供用于選擇硅烷系偶聯(lián)劑的參數(shù)以及包含由此獲得的硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻液組合物,所述硅烷系偶聯(lián)劑作為添加劑即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也具有在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力。此外,本發(fā)明的目的在于,提供一種以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中能夠*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征的蝕刻液組合物。此外,本發(fā)明的目的在于,提供利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。此外,本發(fā)明的目的在于,提供選擇上述蝕刻液組合物所包含的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。解決課題的方法為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種蝕刻液組合物,其特征在于,包含磷酸、硅烷。
下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。圖1是實(shí)施例一中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖;圖2是實(shí)施例二中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖;圖3是實(shí)施例三中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖;圖4是實(shí)施例四中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。實(shí)施例一鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備,包括混合罐、過濾器和數(shù)個(gè)小型的儲(chǔ)存罐,混合罐通過液管與過濾器連接,過濾器的出液口處安裝有氣動(dòng)升降式出液管,每個(gè)儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口和出液口中安裝有一只單向液動(dòng)閥,過濾器的出液管自動(dòng)下行插入儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口中,將過濾后的鋁蝕刻液注入儲(chǔ)存罐內(nèi)暫存。請(qǐng)參閱圖1,儲(chǔ)存罐10固定在一輛液壓升降式拖車20的頂部,在過濾器的下方設(shè)置地磅30,載有空儲(chǔ)存罐的拖車置于地磅上方,過濾器的出液管自動(dòng)下行插入儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口中,當(dāng)?shù)匕跛鶞y得的重量達(dá)到系統(tǒng)預(yù)設(shè)重量時(shí),過濾器的出液管自動(dòng)上行離開儲(chǔ)存罐。將裝滿的儲(chǔ)存罐從鋁蝕刻液生產(chǎn)車間移動(dòng)至自動(dòng)灌裝車間中,將灌裝頭的快速接頭插入儲(chǔ)存罐的出液口中便可將儲(chǔ)存罐內(nèi)的鋁蝕刻液分裝。拖車的底部具有滾輪21,即使?jié)L輪帶有剎車。金屬蝕刻液有哪些種類分類?;

silane)系偶聯(lián)劑和水,上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外,提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法,其特征在于,選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外,本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時(shí)*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時(shí)氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。平板顯示用的蝕刻液有哪些;蘇州銀蝕刻液蝕刻液供應(yīng)商
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ITO蝕刻液的分類:已經(jīng)使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據(jù)添加不同的氧化劑又可細(xì)分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝,在生產(chǎn)過程中通過補(bǔ)加鹽酸+空氣、鹽酸加氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實(shí)現(xiàn)線路板板的連續(xù)蝕刻生產(chǎn)。ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。江蘇TIO去膜液生產(chǎn)商ITO顯影劑就是一種納米導(dǎo)光性能的材料合成的。蘇州銀蝕刻液蝕刻液銷售電話