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很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過(guò)濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內(nèi)嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，13、運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動(dòng)孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線，20、限流銷(xiāo)，2...

經(jīng)除霧組件3除霧后的氣體會(huì)夾帶著泡沫，泡沫中還是含有銅元素，為進(jìn)一步提高回收效率，需對(duì)氣體和泡沫進(jìn)行分離，泡沫與絲網(wǎng)碰撞時(shí)會(huì)吸附在絲網(wǎng)的細(xì)絲表面，細(xì)絲表面上泡沫不斷累積和泡沫的重力沉降，使泡沫形成較大的液滴沿細(xì)絲流至兩根絲的交點(diǎn)，當(dāng)液滴累積至其自身產(chǎn)生的重力超過(guò)氣體的上升力和液體表面張力合力時(shí)，液滴就從細(xì)絲上分離下落，氣體在通過(guò)絲網(wǎng)除沫后，基本上不含泡沫。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述分離器設(shè)有液位計(jì)7、液位開(kāi)關(guān)9、液相氣相溫度傳感器6和壓力傳感器8。蒸汽從加熱器11到分離器會(huì)因分離器內(nèi)壓力小而發(fā)生閃蒸，產(chǎn)生二次蒸汽，使氣液分離的效率更高，所以要維持分離器內(nèi)的壓力不變，通過(guò)觀察液位計(jì)7來(lái)使用...

下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。圖1是實(shí)施例一中公開(kāi)的儲(chǔ)存罐與拖車(chē)的安裝結(jié)構(gòu)圖；圖2是實(shí)施例二中公開(kāi)的儲(chǔ)存罐與拖車(chē)的安裝結(jié)構(gòu)圖；圖3是實(shí)施例三中公開(kāi)的儲(chǔ)存罐與拖車(chē)的安裝結(jié)構(gòu)圖；圖4是實(shí)施例四中公開(kāi)的儲(chǔ)存罐與拖車(chē)的安裝結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。實(shí)施例一鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備，包括混合罐、過(guò)濾器和數(shù)個(gè)小型的儲(chǔ)存罐，混合罐通過(guò)液管與過(guò)濾器連接，過(guò)濾器的出液口處安裝有氣動(dòng)升降式出液管，每個(gè)儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口和出液口中安裝有一只單向液動(dòng)閥，過(guò)濾器的出液管自動(dòng)下行插入儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口中，將過(guò)濾后的鋁蝕刻液注入儲(chǔ)存罐內(nèi)暫...

silane)系偶聯(lián)劑和水，上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時(shí)，蝕刻時(shí)間長(zhǎng)；在82~120g/L時(shí)，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時(shí)，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時(shí)，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過(guò)量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會(huì)降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率...

內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件14，震蕩彈簧件14頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13頂端的控制面板15，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿16和致密防腐桿16內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔17共同組合而成，由于鹽酸硝酸具有較強(qiáng)的腐蝕性，常規(guī)的攪拌裝置容易被腐蝕，影響蝕刻液的質(zhì)量，用防腐蝕的聚四氟乙烯攪拌漿進(jìn)行攪拌，成本過(guò)高，且混合的效果不好，通過(guò)設(shè)置高效攪拌裝置2，該裝置通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)12，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)12帶動(dòng)高效攪拌裝置2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)搖勻，同時(shí)設(shè)置的震蕩彈簧件14可通過(guò)驅(qū)動(dòng)對(duì)高效攪拌裝置2進(jìn)行震蕩搖勻，高效攪拌裝置2內(nèi)部的蝕刻液通過(guò)內(nèi)置的致密防腐桿16，致密防腐桿16內(nèi)部的攪動(dòng)孔17能夠使蝕刻液不斷細(xì)...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明：在0~82g/L時(shí)，蝕刻時(shí)間長(zhǎng)；在82~120g/L時(shí)，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時(shí)，蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定；在165~225g/L時(shí)，溶液不穩(wěn)定，趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過(guò)量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會(huì)降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率...

也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體，所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板，所述承載板上端表面放置有電解池，所述電解池內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜，所述裝置主體上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗，所述進(jìn)液漏斗上設(shè)置有過(guò)濾網(wǎng)，所述裝置主體內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管，所述進(jìn)液管左端連接有伸縮管，所述伸縮管下端安裝有噴頭，所述裝置主體上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸，所述液壓缸下端安裝有伸縮桿，所述伸縮桿下端固定安裝有圓環(huán)塊，所述圓環(huán)塊與噴頭之間固定連接有連接桿，所述分隔...

以帶動(dòng)該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動(dòng)。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請(qǐng)一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異常現(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導(dǎo)致該基板20刮傷或破片風(fēng)險(xiǎn)等主要優(yōu)勢(shì)。該蝕刻設(shè)備1可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對(duì)該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程；由上述的說(shuō)明，擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對(duì)已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程，故仍舊會(huì)有少量的藥液51噴灑在擋液板...

其中輸送裝置借由至少一呈順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)的滾輪帶動(dòng)基板由噴灑裝置的下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀的下端部的方向移動(dòng)。如上所述的蝕刻方法，其中風(fēng)刀裝置分別借由一設(shè)置于該輸送裝置的上端部的***風(fēng)刀與一設(shè)置于該輸送裝置的下端部的第二風(fēng)刀朝向基板的上表面與下表面吹送氣體。借此，本實(shí)用新型所產(chǎn)生的技術(shù)效果：本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計(jì)，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)致的基板...

引線框架的腐蝕是如何生產(chǎn)的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶，常見(jiàn)在引線框架中通過(guò)亮鎳、錫和錫鉛鍍層下進(jìn)行鍍鎳完成保護(hù)金屬材料的目的，在材質(zhì)過(guò)程中42合金引線相對(duì)來(lái)說(shuō)容易發(fā)生應(yīng)力-腐蝕引發(fā)的裂紋。為了保障引線框架的優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱性，處理方式通過(guò)電鍍銀、片式電鍍線，將引線和基島表面作特殊處理，這樣能夠保障焊線和引線框架的良好焊接性能。引線框架電鍍銀蝕刻工藝流程主要分：上料-電解除油-活化-預(yù)鍍銅-預(yù)鍍銀-局部鍍銀-退銀-防銀膠擴(kuò)散-防銅變色-烘干-收料。通過(guò)該蝕刻工藝流程能夠保障引線框架蝕刻過(guò)程中電鍍層的厚度、光亮度、粗糙度、潔凈度等。因此，蝕刻引線框架對(duì)工藝和工廠的管理需要嚴(yán)格控制。蘇州BO...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動(dòng)連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部中間部位活動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)活動(dòng)連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，所述運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)貫穿連接有攪動(dòng)孔，所述鹽酸裝罐的內(nèi)部一側(cè)嵌入連接有嵌入引流...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn)：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無(wú)暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。蝕刻液的技術(shù)指標(biāo)哪家比較好...

所述裝置主體的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)固定連接有過(guò)濾部件，所述裝置主體的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉(cāng)，所述收集倉(cāng)的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門(mén)，所述過(guò)濾部件的頂端兩側(cè)活動(dòng)連接有滑動(dòng)蓋，所述過(guò)濾部件的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管，所述連接構(gòu)件的內(nèi)部中間兩側(cè)活動(dòng)連接有活動(dòng)軸，所述連接構(gòu)件的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層。推薦的，所述硝酸鉀儲(chǔ)罐的頂部嵌入連接有密封環(huán)。推薦的，所述連接構(gòu)件的兩側(cè)嵌入連接有海綿層。推薦的，所述支撐腿的底端嵌入連接有防滑紋。推薦的，所述過(guò)濾部件的內(nèi)部?jī)蓚?cè)嵌入連接有過(guò)濾板。推薦的，所述過(guò)濾...

本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。背景技術(shù)：參照?qǐng)D1，可以確認(rèn)3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過(guò)在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來(lái)制造。在不損傷氧化物膜的同時(shí)將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時(shí)*將氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除時(shí)，會(huì)使...

以帶動(dòng)該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動(dòng)。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請(qǐng)一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其...

以及一設(shè)置于基板下方的第二風(fēng)刀，其中***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀分別吹出一氣體至基板。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中蝕刻設(shè)備可進(jìn)一步設(shè)置有一噴灑裝置，噴灑裝置相對(duì)于風(fēng)刀裝置一端而設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的另一端部。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中噴灑裝置噴灑一藥液至基板上。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中擋液板結(jié)構(gòu)與基板的垂直距離介于8mm至15mm之間。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中滾輪呈順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)基板由噴灑裝置下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀下端部的方向移動(dòng)。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中氣體遠(yuǎn)離***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀的方向分別與基板的法線方向夾設(shè)有一第三夾角。如上所述的蝕刻設(shè)備，其中第三夾角介于20度至35度之間。再者，為了達(dá)到...

本發(fā)明涉及回收處理技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置。背景技術(shù)：廢銅蝕刻液含有可回收的金屬，所以需要進(jìn)行回收處理，目前通用的做法是，使用化學(xué)方法回收廢液內(nèi)的銅，或提煉成硫酸銅產(chǎn)品，工藝落后，銅回收不徹底，處理的經(jīng)濟(jì)效益不明顯，有二次污染污染物排放，一旦處理不當(dāng)往外排放，勢(shì)必對(duì)水體生態(tài)系統(tǒng)造成大的沖擊。市場(chǎng)上的廢銅蝕刻液的回收處理裝置只能簡(jiǎn)單的對(duì)蝕刻液進(jìn)行回收處理，不能對(duì)蝕刻液進(jìn)行循環(huán)電解，使得剩余蝕刻液中的銅離子轉(zhuǎn)化不充分，而且蝕刻液導(dǎo)入到電解池中會(huì)對(duì)電解池造成沖擊，進(jìn)而影響電解池的使用壽命，并且在回收處理中會(huì)產(chǎn)生有害氣體而影響空氣環(huán)境，也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理，為此，我...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動(dòng)連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部中間部位活動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)活動(dòng)連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，所述運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)貫穿連接有攪動(dòng)孔，所述鹽酸裝罐的內(nèi)部一側(cè)嵌入連接有嵌入引流...

etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式本發(fā)明人確認(rèn)了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數(shù)值時(shí)能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中，蝕刻對(duì)象膜可以為氮化物膜，保護(hù)對(duì)象膜可以為氧化物膜。此外，本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。具體而言，本發(fā)明可以包含磷酸、添加劑和水，上述添加劑可...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內(nèi)部頂部中間部位的旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組頂端的控制面板，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔共同組合而成。推薦的，所述注入量精確調(diào)配裝置是由鹽酸裝罐內(nèi)部一側(cè)的嵌入引流口，嵌入引流口一端的負(fù)壓引流器，負(fù)壓引流器一端的注入量控制容器，注入量控制容器內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的注入量觀察刻度線和注入量控制容器一側(cè)的限流銷(xiāo)共同組合而成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本種實(shí)用新型的有益效果是:1.通過(guò)設(shè)置高效攪拌裝置，該裝置通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，使旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)帶動(dòng)高效攪拌裝置進(jìn)...

提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過(guò)氧化氫后有助于提高過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過(guò)氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進(jìn)行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設(shè)有通過(guò)電路控制的電磁閥，當(dāng)純水溫度高于10℃時(shí)，電磁閥無(wú)法打開(kāi)。第二步：配制和準(zhǔn)備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對(duì)應(yīng)的原料罐中，經(jīng)過(guò)過(guò)濾器循環(huán)過(guò)濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對(duì)...

過(guò)濾器的出液管自動(dòng)上行離開(kāi)儲(chǔ)存罐，將裝滿的儲(chǔ)存罐從鋁蝕刻液生產(chǎn)車(chē)間移動(dòng)至自動(dòng)灌裝車(chē)間中，將灌裝頭的快速接頭插入儲(chǔ)存罐的出液口中便可將儲(chǔ)存罐內(nèi)的鋁蝕刻液分裝。本實(shí)用新型除上述技術(shù)方案外，還包括以下技術(shù)特征：進(jìn)一步的是，所述地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊，所述卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽；所述氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)包括氣缸和壓緊塊，所述壓緊塊位于所述插槽中，所述氣缸的伸縮桿與所述壓緊塊固連。進(jìn)一步的是，所述拖車(chē)的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在所述儲(chǔ)存罐外部的護(hù)欄。進(jìn)一步的是，所述拖車(chē)的頂部設(shè)置有一集液盒，所述儲(chǔ)存罐安裝在所述集液盒中。進(jìn)一步的是，所述拖車(chē)的頂部于所述儲(chǔ)存罐的旁側(cè)設(shè)置有集液腔室。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的...

本實(shí)用涉及蝕刻設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術(shù)：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)，蝕刻技術(shù)分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學(xué)試劑，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)達(dá)到蝕刻的目的，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器(tft～lcd)、發(fā)光二極管(led)、有機(jī)發(fā)光二極管(oled)等行業(yè)用作面板過(guò)程中銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜(ito)的蝕刻通常采用鹽酸和硝酸的混合水溶液?，F(xiàn)有的制備裝置在進(jìn)行制備時(shí)會(huì)發(fā)***熱反應(yīng)，使得裝置外殼穩(wěn)定較高，工作人員直接接觸有燙傷風(fēng)險(xiǎn)，熱水與鹽酸接觸會(huì)產(chǎn)生較為劇烈的反應(yīng)，濺出容易傷害工作人員，保護(hù)性不足，鹽酸硝酸具有較強(qiáng)的腐蝕性，常規(guī)的攪拌裝置容...

所述液位計(jì)連接有液相氣相溫度傳感器和壓力傳感器。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)視鏡。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述液位計(jì)安裝于所述分離器的外表面。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述液位開(kāi)關(guān)為控制閥，設(shè)置于所述濾液出口處。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱器為盤(pán)管式加熱器。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述分離器底部為錐體形狀。上述，利用加熱器對(duì)含銅蝕刻液進(jìn)行加熱，使其達(dá)到閃蒸要求的溫度，將加熱好的含銅蝕刻液輸送至分離器，經(jīng)過(guò)減壓閥及真空泵減壓，含銅蝕刻液在分離器內(nèi)發(fā)生閃蒸，產(chǎn)生大量蒸汽，蒸汽中攜帶著大小不等的液滴，通過(guò)除霧組件和除沫組件可以防止大液滴從蒸汽出口飛出，減小產(chǎn)品損失。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示...

步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121，該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121呈千鳥(niǎo)排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時(shí)，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔121平衡...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲(chǔ)罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過(guò)濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉(cāng)8，收集倉(cāng)8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門(mén)7，過(guò)濾部件9的頂端兩側(cè)活動(dòng)連接有滑動(dòng)蓋24，過(guò)濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動(dòng)連接有活動(dòng)軸28，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲(chǔ)罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22，在將制備蝕刻液儲(chǔ)罐加入制備材料...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發(fā)明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發(fā)明的組合物總重量的2～45重量％來(lái)包含。此外，本發(fā)明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對(duì)上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。上述蝕刻液組合物中說(shuō)明的、對(duì)于添加劑選擇等的一切內(nèi)容均...

更推薦滿足。參照?qǐng)D4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒(méi)有消耗費(fèi)用和時(shí)間的實(shí)際的實(shí)驗(yàn)過(guò)程，也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對(duì)象膜(氧...