以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動。該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖，以及宣泄孔的表面張力局部放大圖，其中該宣泄孔121為直通孔的態(tài)樣，當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會往該復(fù)數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖8所示)，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達(dá)到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外。蘇州BOE蝕刻液的生產(chǎn)廠商。四川京東方用的蝕刻液蝕刻液銷售價格

圖7：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖。圖8：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖11：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實(shí)用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號說明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實(shí)用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211***壁面1212第二壁面122下表面123上表面13第三擋板20基板30輸送裝置31滾輪40風(fēng)刀裝置41***風(fēng)刀42第二風(fēng)刀43氣體50噴灑裝置51藥液s1步驟一s2步驟二s3步驟三s4步驟四h長度θ夾角θ1***夾角θ2第二夾角θ3第三夾角θ4接觸角a0孔徑a1上孔徑a2下孔徑w、w1、w2距離。具體實(shí)施方式首先，請參閱圖2與圖3所示，為本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其一較佳實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖，以及宣泄孔排列示意圖，其中本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)10適用于一濕式蝕刻機(jī)(圖式未標(biāo)示)。廣東天馬用的蝕刻液蝕刻液聯(lián)系方式BOE蝕刻液推薦蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。

故仍舊會有少量的藥液51噴灑在擋液板結(jié)構(gòu)10上而留下該藥液51的水滴，而該藥液51的水滴亦不能落入該基板20上，以避免基板20的蝕刻不均的現(xiàn)象產(chǎn)生；此外，該輸送裝置30用以承載并運(yùn)送至少一該基板20于該濕式蝕刻機(jī)內(nèi)運(yùn)行，并接受濕式蝕刻的噴灑裝置50的制程運(yùn)作，故該輸送裝置30具有一驅(qū)動機(jī)構(gòu)以驅(qū)動該滾輪31轉(zhuǎn)動，以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風(fēng)刀裝置40的該***風(fēng)刀41下端部的方向移動。步驟三s3：使用一設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10下方的風(fēng)刀裝置40對該基板20吹出一氣體43，以使該基板20干燥；在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中，該風(fēng)刀裝置40設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，該風(fēng)刀裝置40包括有一設(shè)置于該基板20上方的***風(fēng)刀41，以及一設(shè)置于該基板20下方的第二風(fēng)刀42，其中該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的該藥液51帶往與相反于該基板20的行進(jìn)方向，以使該基板20降低該藥液51殘留，其中該氣體43遠(yuǎn)離該***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設(shè)有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。步驟四s4：該氣體43經(jīng)由該復(fù)數(shù)個宣泄孔121宣泄；在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中。

步驟一s1：設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu)10，其中該擋液板結(jié)構(gòu)10設(shè)置有復(fù)數(shù)個宣泄孔121；該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個貫穿該第二擋板12且錯位設(shè)置的宣泄孔121，該復(fù)數(shù)個宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態(tài)樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內(nèi)產(chǎn)生毛細(xì)現(xiàn)象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現(xiàn)時，則該水滴不至于經(jīng)由該宣泄孔121落至下表面122，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔121平衡該第二擋板12上、下二端部的壓力。步驟二s2：使用一設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10下方的輸送裝置30輸送一基板20，以經(jīng)過一噴灑裝置50進(jìn)行一藥液51噴灑；在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中，該噴灑裝置50設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的一端部，且該基板20設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進(jìn)行一濕式蝕刻制程，該擋液板結(jié)構(gòu)10的設(shè)置即是為了避免該噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經(jīng)完成蝕刻步驟的基板20再進(jìn)行蝕刻制程。蝕刻液運(yùn)用在平板顯示中的配方是什么；

銀蝕刻液主要用于印刷線路板制造，銀器及銀合金的蝕刻、標(biāo)牌制作。二、突出特點(diǎn)1．蝕刻速度快，效率高。使用方便。蝕刻最高速度可達(dá)2000納米/秒。2．可循環(huán)使用，無廢液排放。三、理化指標(biāo)外觀：液體；氣味：微；比重：1.05±0.1；pH：偏堿性四、使用方法1．預(yù)處理：如銀或銅合金表面不潔凈，需對表面進(jìn)行潔凈處理，如除油、除雜等。2．蝕刻：(1).將圖案模板紙粘附于銀板或銀器上，再將銀蝕刻液用噴淋設(shè)備噴于圖案處，時間1分鐘到幾十分鐘不定（用戶可根據(jù)蝕刻要求自行試驗(yàn)時間，因模板紙不同，時間也不同），揭去模板紙，用清水沖掉殘物。(2).用100-200T的絲網(wǎng)，75度硬度的聚酯刮膠，將光固化抗蝕刻油墨印刷在基板上，然后將油墨在紫外燈下光照20—30秒鐘，（紫外光能量為1000mj/cm2）。用噴淋的方式進(jìn)行蝕刻，溫度50±5℃，壓力1-3kg/cm2時間1分鐘到幾分鐘，（具體時間根據(jù)蝕刻深度而定）。然后，用1%--3%的氫氧化鈉溶液將光固化抗蝕刻油墨溶解出去。蝕刻液，準(zhǔn)確蝕刻，效果好。鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液供應(yīng)

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silane)系偶聯(lián)劑和水，上述硅烷系偶聯(lián)劑使上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以。發(fā)明效果本發(fā)明的蝕刻液組合物提供即使不進(jìn)行另外的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優(yōu)異的硅烷系偶聯(lián)劑的效果。此外，本發(fā)明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發(fā)生的工序不良的圖。圖4是示出能夠?qū)?dnand閃存制造工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯(lián)劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯(lián)劑的aeff值與蝕刻程度。四川京東方用的蝕刻液蝕刻液銷售價格