高精度模擬測(cè)試能力匹配MEMS信號(hào)鏈要求，MEMS傳感器輸出信號(hào)微弱（如微伏級(jí)電容變化或納安級(jí)電流），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的本底噪聲和分辨率要求極高。國(guó)磊（Guolei）GT600可選配的GT-AWGLP02 AWG板卡具備**-122dB THD**（總諧波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超純凈激勵(lì)信號(hào)；同時(shí)其Digitizer支持20~24位采樣，可精確捕獲微弱響應(yīng)。這種能力對(duì)于測(cè)試MEMS麥克風(fēng)的靈敏度、壓力傳感器的滿量程輸出或磁力計(jì)的偏置穩(wěn)定性至關(guān)重要。支持低功耗與寬電壓范圍測(cè)試 許多MEMS器件用于可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等電池供電場(chǎng)景，對(duì)功耗極為敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08電源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**輸出，并具備每引腳**電源控制（PPMU），可精確測(cè)量待機(jī)/工作/休眠各模式下的電流（nA~mA級(jí)），驗(yàn)證MEMS-SoC是否滿足ULP（**功耗）設(shè)計(jì)目標(biāo)，這對(duì)通過(guò)終端產(chǎn)品能效認(rèn)證（如Energy Star）具有直接價(jià)值。國(guó)磊GT600可用于測(cè)量電源上電時(shí)序（PowerSequencing），確保多域電源按正確順序激發(fā)，避免閂鎖效應(yīng)。高性能GEN測(cè)試系統(tǒng)定制

高性能GPU的功耗管理直接影響系統(tǒng)穩(wěn)定性與能效比。“風(fēng)華3號(hào)”支持多級(jí)電源域與動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)，要求測(cè)試平臺(tái)具備高精度DC參數(shù)測(cè)量能力。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)每通道集成PPMU，支持nA級(jí)靜態(tài)電流（IDDQ）測(cè)量，可**識(shí)別GPU在待機(jī)、低功耗模式下的漏電異常。其可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，支持-2.5V~7V電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試、電源上電時(shí)序（PowerSequencing）驗(yàn)證及電源抑制比（PSRR）分析。GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元提供10ps分辨率，可精確測(cè)量GPU**喚醒延遲、中斷響應(yīng)時(shí)間與時(shí)鐘同步偏差，確保AI訓(xùn)推與實(shí)時(shí)渲染任務(wù)的時(shí)序可靠性。杭州國(guó)磊導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)電阻測(cè)量范圍10?–101?Ω，滿足高阻值測(cè)試需求，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠。

“風(fēng)華3號(hào)”兼容DirectX、OpenGL、Vulkan等主流圖形生態(tài)，其圖形管線包含頂點(diǎn)處理、光柵化、著色器執(zhí)行等復(fù)雜階段，測(cè)試需覆蓋多種渲染模式與狀態(tài)轉(zhuǎn)換。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持C++編程與VisualStudio開(kāi)發(fā)環(huán)境，便于實(shí)現(xiàn)定制化圖形功能測(cè)試算法，如Shader指令序列驗(yàn)證、Z-Buffer精度測(cè)試、紋理映射完整性檢查等。其128M向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度可捕獲長(zhǎng)周期圖形輸出行為，支持對(duì)幀率穩(wěn)定性、畫(huà)面撕裂等異常進(jìn)行回溯分析。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)還支持STDF、CSV等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率追蹤與測(cè)試數(shù)據(jù)與EDA仿真結(jié)果的對(duì)比驗(yàn)證。

對(duì)于時(shí)間測(cè)量要求極高的場(chǎng)景（如ADAS傳感器信號(hào)），杭州國(guó)磊GT600可選配高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，分辨率10ps），精確捕捉信號(hào)延遲與抖動(dòng)，確保通信實(shí)時(shí)性。 再次，GT600支持混合信號(hào)測(cè)試。 現(xiàn)代車(chē)規(guī)芯片（如智能座艙、域控制器SoC）集成了CPU、GPU、ISP、音頻編解碼等模塊。國(guó)磊GT600通過(guò)可選AWG板卡生成高保真模擬信號(hào)，測(cè)試攝像頭ISP的圖像處理能力；通過(guò)高速數(shù)字通道驗(yàn)證CAN-FD、Ethernet等通信接口功能。 ***，國(guó)磊GT600的512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，大幅提升了車(chē)規(guī)芯片的量產(chǎn)效率，降低了單顆測(cè)試成本，助力國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)芯片快速上車(chē)。國(guó)磊GT600的SMU覆蓋從高壓IO（3.3V）到低電壓he心（0.6V~1.2V）的多種電源域，適配不同節(jié)點(diǎn)供電要求。

國(guó)磊GT600支持400MHz高速測(cè)試與128M超大向量深度，足以運(yùn)行手機(jī)芯片內(nèi)部復(fù)雜的AI推理算法、多任務(wù)調(diào)度協(xié)議等長(zhǎng)周期測(cè)試程序，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足導(dǎo)致的“中斷加載”，大幅提升測(cè)試覆蓋率和效率。其512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，更可滿足手機(jī)芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求，***降低測(cè)試成本。更重要的是，國(guó)磊GT600采用開(kāi)放式GTFY系統(tǒng)，支持C++自主編程，工程師可深度定制測(cè)試流程，無(wú)縫對(duì)接內(nèi)部研發(fā)與生產(chǎn)體系，實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室到工廠的快速轉(zhuǎn)化。在外部供應(yīng)鏈?zhǔn)芟薜谋尘跋拢瑖?guó)磊GT600作為國(guó)產(chǎn)**測(cè)試設(shè)備，可以為國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片的持續(xù)迭代與穩(wěn)定量產(chǎn)，提供堅(jiān)實(shí)、安全、可控的底層保障。支持定制化線纜長(zhǎng)度，適應(yīng)各種測(cè)試環(huán)境需求。高性能GEN測(cè)試系統(tǒng)定制

AI邊緣計(jì)算SoC用于機(jī)器人、穿戴設(shè)備MCU+AI架構(gòu)芯片，GT600通過(guò)nA級(jí)PPMU、TMU支持端側(cè)AI低功耗可靠性測(cè)試。高性能GEN測(cè)試系統(tǒng)定制

數(shù)據(jù)中心芯片的“能效裁判” 在“雙碳”目標(biāo)下，數(shù)據(jù)中心能耗成為焦點(diǎn)，芯片能效比（Performance per Watt）成為**指標(biāo)。杭州國(guó)磊GT600通過(guò)PPMU精確測(cè)量AI加速芯片、服務(wù)器CPU的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，繪制完整的功耗-性能曲線，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFS）策略。其FIMV模式還可檢測(cè)芯片在高負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)。杭州國(guó)磊GT600支持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試，模擬數(shù)據(jù)中心7x24小時(shí)運(yùn)行場(chǎng)景，篩選出“耐力型”芯片。512站點(diǎn)并行測(cè)試大幅降低單顆芯片測(cè)試時(shí)間與成本，適配萬(wàn)片級(jí)量產(chǎn)需求。杭州國(guó)磊GT600不僅是性能的驗(yàn)證者，更是能效的“精算師”，助力國(guó)產(chǎn)芯片在綠色計(jì)算時(shí)代贏得市場(chǎng)。高性能GEN測(cè)試系統(tǒng)定制