國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運動
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動智慧機器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機遇并存
本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù):高精細芯片和顯示集成電路主要采用銅制程,其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系,過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中,產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少,刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機酸/有機酸組分,以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng),體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,提供一種銅蝕刻液大規(guī)模量產(chǎn)的生產(chǎn)工藝,該生產(chǎn)工藝溫控嚴格,生產(chǎn)過程中安全性高。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是設(shè)計一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝,所述工藝包括以下步驟:第一步:將純水進行低溫處理,使純水溫度≤10℃在純水罐中備用;第二步:配制和準備原料,將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應(yīng)的原料罐中,經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾,備用。請認準蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。四川天馬用的蝕刻液蝕刻液

本發(fā)明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。背景技術(shù):參照圖1,可以確認3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來制造。在不損傷氧化物膜的同時將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術(shù)之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時*將氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不損傷氧化物膜的范圍內(nèi)將氮化物膜完全去除時,會使用防蝕能力強的添加劑,由此可能發(fā)生氮化物膜沒有被完全去除的工序不良(參照圖2)。此外,想要將氮化物膜完全去除時,會使用防蝕能力弱的添加劑,由此雖然氮化物膜被完全去除,但是可能發(fā)生對氧化物膜也造成損傷(damage)的工序不良(參照圖3)。以往,為了在包含氧化物膜和氮化物膜的多層膜中*將氮化物膜選擇性完全去除而選擇具有適當(dāng)水平的防蝕能力的添加劑時,按照添加劑的種類和濃度通過實驗進行確認。沒有這樣的實驗確認就選擇添加劑實際上是不可能的。無錫哪家蝕刻液蝕刻液報價哪家蝕刻液質(zhì)量比較好一點?

鋁板面蝕刻用:酸、堿都行。(鋁板是兩性材料,既能與酸反應(yīng),又能與堿反應(yīng),所以腐蝕液有的用堿性材料腐蝕,有的用酸性材料腐蝕,一般情況下,以酸性材料腐蝕的為多,堿性材料可以洗白。下好料的鋁板用棗木碳研磨,去掉油膩、劃痕,磨出啞光表面。然后用絲網(wǎng)版印上紋樣,油墨型號為80-39、80-59、80-49等。這種耐腐蝕油墨細膩,印出的紋樣質(zhì)量高。印完紋樣后放進電爐內(nèi)烘干,然后用即時貼封住后面,用膠帶封邊,進入腐蝕工藝。鋁板的腐蝕液配方如下:三氯化鐵50%硫酸銅50%水適量,波美度15~20°之間,鋁板腐蝕時應(yīng)平放,在腐蝕的過程中紋樣上溢出赭紅色的滓渣,應(yīng)隨時用毛刷去掉,鋁面上冒出大量泡泡,滓渣隨泡泡浮起。鋁板的腐蝕時間大約在15~20min左右就可完成。一般情況下鋁板厚度不應(yīng)低于1mm,否則一不小心會腐蝕透,影響效果。鋁板的防護材料用香蕉水去掉。腐蝕后的鋁板拋光和銅板一樣,拋光時用香蕉水搓凈余蠟,用另一塊棉花擦磨出亮光,然后噴護光劑防護,其它同銅一樣加工。)
因此存在開發(fā)蝕刻液組合物時會過度耗費時間和費用的問題。美國公開**第2號公開了在3dnand閃存的制造工序中,對于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而,為了選擇構(gòu)成成分的種類和濃度,不得不需要測試蝕刻液組合物的蝕刻性能,實際情況是,與上述同樣,仍然沒有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過度耗費時間和費用的問題?,F(xiàn)有技術(shù)文獻**文獻**文獻1:美國公開**第2號技術(shù)實現(xiàn)要素:所要解決的課題本發(fā)明是為了改善上述以往技術(shù)問題的發(fā)明,其目的在于,提供用于選擇硅烷系偶聯(lián)劑的參數(shù)以及包含由此獲得的硅烷系偶聯(lián)劑的蝕刻液組合物,所述硅烷系偶聯(lián)劑作為添加劑即使不進行另外的實驗確認也具有在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力。此外,本發(fā)明的目的在于,提供一種以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中能夠*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征的蝕刻液組合物。此外,本發(fā)明的目的在于,提供利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。此外,本發(fā)明的目的在于,提供選擇上述蝕刻液組合物所包含的硅烷系偶聯(lián)劑的方法。解決課題的方法為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種蝕刻液組合物,其特征在于,包含磷酸、硅烷。蝕刻液的的性價比、質(zhì)量哪家比較好?

蝕刻液也可含有α-羥基羧酸和/或其鹽。α-羥基羧酸及其鹽具有作為鈦的絡(luò)合劑的效果,可抑制蝕刻液中產(chǎn)生鈦的沉淀。作為所述α-羥基羧酸,例如可舉出酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度并無特別限制,從絡(luò)合效果及溶解性的觀點來看,推薦為%至5重量%,更推薦為%至2重量%。另外,蝕刻液也可含有亞硫酸及/或其鹽。亞硫酸及其鹽具有作為還原劑的效果,可提高鈦的蝕刻速度。亞硫酸和/或其鹽的濃度并無特別限制,從還原性及臭氣的觀點來看,推薦為%至%,更推薦為%至%。蝕刻液中除了上述的成分以外,也能以不妨礙本發(fā)明效果的程度添加其他成分。作為其他成分,例如可舉出表面活性劑、成分穩(wěn)定劑及消泡劑等。蝕刻液可通過使所述各成分溶解于水中而容易地制備。作為所述水,推薦為將離子性物質(zhì)及雜質(zhì)除去的水,例如推薦為離子交換水、純水、超純水等。蝕刻液可在使用時將各成分以成為預(yù)定濃度的方式調(diào)配,也可預(yù)先制備濃縮液并在即將使用之前稀釋而使用。使用本發(fā)明的蝕刻液的鈦的蝕刻方法并無特別限制,例如可舉出:對含有銅及鈦的對象物涂布或噴霧蝕刻液的方法;將含有銅及鈦的對象物浸漬在蝕刻液中的方法等。處理溫度并無特別限制。好的蝕刻液的標準是什么。四川銅蝕刻液蝕刻液溶劑
上海和輝光電用的哪家的蝕刻液?四川天馬用的蝕刻液蝕刻液
裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21,裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11,裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10,連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過濾部件9,裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉8,收集倉8的另一側(cè)底部固定連接有密封閥門7,過濾部件9的頂端兩側(cè)活動連接有滑動蓋24,過濾部件9的內(nèi)部中間兩側(cè)固定連接有收縮彈簧管25,連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)兩端嵌入連接有螺紋管27,連接構(gòu)件11的內(nèi)部中間兩側(cè)活動連接有活動軸28,連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)中間兩側(cè)嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的,硝酸鉀儲罐21的頂部嵌入連接有密封環(huán)22,在將制備蝕刻液儲罐加入制備材料的時候,需要將儲罐進行密封,密封環(huán)22能將硝酸鉀儲罐21和其他儲罐的頂蓋與儲罐主體連接的位置進行密封,使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內(nèi)部形成一個密閉的空間,避免環(huán)境外部的雜質(zhì)進入儲罐內(nèi),有效的提高了裝置使用的密封性。推薦的,連接構(gòu)件11的兩側(cè)嵌入連接有海綿層12,在使用裝置制備蝕刻液的時候,需要通過連接構(gòu)件11將裝置主體1內(nèi)部的部件進行連接,在旋轉(zhuǎn)連接構(gòu)件11的兩側(cè)時,操作人員的手會與連接構(gòu)件11接觸,海綿層12可以將操作人員手上的水分進行吸收。四川天馬用的蝕刻液蝕刻液