無(wú)損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術(shù)，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價(jià)值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號(hào)以定位內(nèi)部缺陷，既保障了分析的準(zhǔn)確性，又為后續(xù)驗(yàn)證、復(fù)盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問(wèn)題” 到 “解決問(wèn)題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。相較于無(wú)損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測(cè)，這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，但會(huì)破壞樣品完整性，更適合無(wú)需保留樣品的分析場(chǎng)景，與無(wú)損分析形成互補(bǔ)！漏電、靜態(tài)損耗、斷線、接觸不良、封裝缺陷等產(chǎn)生的微小熱信號(hào)檢測(cè)。直銷熱紅外顯微鏡選購(gòu)指南

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導(dǎo)體器件在工作過(guò)程中微弱熱輻射和光發(fā)射信號(hào)進(jìn)行失效點(diǎn)定位的先進(jìn)顯微技術(shù)。它通過(guò)高靈敏度探測(cè)器捕捉納瓦級(jí)別的紅外信號(hào)，并結(jié)合光學(xué)放大系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)微米甚至亞微米級(jí)的空間分辨率。相比傳統(tǒng)的電子探針或電性測(cè)試，Thermal EMMI在非接觸、無(wú)損檢測(cè)方面有明顯優(yōu)勢(shì)，能夠在器件通電狀態(tài)下直接觀測(cè)局部發(fā)熱熱點(diǎn)或電流泄漏位置。這種技術(shù)在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)（如 5nm、3nm）中尤為關(guān)鍵，因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)復(fù)雜且供電電壓低，任何細(xì)微缺陷都會(huì)在熱輻射分布上體現(xiàn)。通過(guò)Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區(qū)域，大幅減少剖片和反復(fù)驗(yàn)證的時(shí)間，為芯片研發(fā)和生產(chǎn)帶來(lái)高效的故障分析手段。荔灣區(qū)熱紅外顯微鏡紅外顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system)，是半導(dǎo)體失效分析和缺陷檢測(cè)的常用的三大手段之一。

紅外線介于可見(jiàn)光和微波之間，波長(zhǎng)范圍0.76~1000μm。凡是高于jd零度(0 K，即-273.15℃)的物質(zhì)都可以產(chǎn)生紅外線，也叫黑體輻射。

由于紅外肉眼不可見(jiàn)，要察覺(jué)這種輻射的存在并測(cè)量其強(qiáng)弱離不開紅外探測(cè)器。1800年英國(guó)天文學(xué)家威廉·赫胥爾發(fā)現(xiàn)了紅外線，隨著后續(xù)對(duì)紅外技術(shù)的不斷研究以及半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，紅外探測(cè)器得到了迅猛的發(fā)展，先后出現(xiàn)了硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、銻化銦(InSb)、碲鎘汞(HgCdTe，簡(jiǎn)稱MCT)、銦鎵砷(InGaAs)、量子阱(QWIP)、二類超晶格(type-II superlattice，簡(jiǎn)稱T2SL)、量子級(jí)聯(lián)(QCD)等不同材料紅外探測(cè)器等

在半導(dǎo)體 IC 裸芯片研究與檢測(cè)中，熱紅外顯微鏡是一項(xiàng)重要工具。裸芯片結(jié)構(gòu)緊湊、集成度高，即便出現(xiàn)輕微熱異常，也可能影響性能甚至導(dǎo)致失效，因此有效的熱檢測(cè)十分必要。熱紅外顯微鏡以非接觸方式完成熱分布成像，能夠直觀呈現(xiàn)芯片在運(yùn)行中的溫度變化。通過(guò)對(duì)局部熱點(diǎn)的識(shí)別，可發(fā)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)缺陷、電流集中或器件老化等問(wèn)題，幫助工程師在早期階段進(jìn)行調(diào)整與優(yōu)化。此外，該設(shè)備還能測(cè)量半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的結(jié)溫，結(jié)溫水平直接關(guān)系到器件的穩(wěn)定性與壽命。依托較高分辨率的成像能力，熱紅外顯微鏡既能提供結(jié)溫的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)，也為散熱方案的制定和芯片性能提升提供了可靠依據(jù)。在高可靠性要求、功耗限制嚴(yán)格的器件中，定位內(nèi)部失效位置。

Thermal EMMI 的成像效果與探測(cè)波段密切相關(guān)，不同材料的熱輻射峰值波長(zhǎng)有所差異。** Thermal EMMI 系統(tǒng)支持多波段切換，可根據(jù)被測(cè)器件的結(jié)構(gòu)和材料選擇比較好波長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)更高的信噪比和更清晰的缺陷成像。例如，硅基器件在近紅外波段（約 1.1 微米）具有較高透過(guò)率，適合穿透檢測(cè)；而化合物半導(dǎo)體（如 GaN、SiC）則需要在中紅外或長(zhǎng)波紅外波段下進(jìn)行觀測(cè)。通過(guò)靈活的波段適配，Thermal EMMI 能夠覆蓋更***的器件類型，從消費(fèi)電子到汽車電子，再到功率半導(dǎo)體，均可提供穩(wěn)定、精細(xì)的檢測(cè)結(jié)果。在芯片短路故障分析中，Thermal EMMI 可快速定位電流集中引發(fā)的高溫失效點(diǎn)。顯微熱紅外顯微鏡廠家

Thermal Emission microscopy system, Thermal EMMI是一種利用紅外熱輻射來(lái)檢測(cè)和分析材料表面溫度分布的技術(shù)。直銷熱紅外顯微鏡選購(gòu)指南

隨著新能源汽車和智能汽車的快速發(fā)展，汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性顯得尤為重要。由于車載環(huán)境復(fù)雜，功率器件、控制芯片和傳感器在運(yùn)行中極易受到溫度波動(dòng)的影響，從而引發(fā)性能衰減或失效。熱紅外顯微鏡為這一領(lǐng)域提供了先進(jìn)的檢測(cè)手段。它能夠在不干擾系統(tǒng)運(yùn)行的情況下，實(shí)時(shí)監(jiān)控關(guān)鍵器件的溫度分布，快速發(fā)現(xiàn)潛在的過(guò)熱隱患。通過(guò)對(duì)熱紅外顯微鏡成像結(jié)果的分析，工程師可以有針對(duì)性地優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)和器件布局，確保電子系統(tǒng)在高溫、震動(dòng)等極端條件下仍能穩(wěn)定工作。這不僅提升了汽車電子的可靠性，也為整車的安全性能提供了保障?？梢哉f(shuō)，熱紅外顯微鏡已經(jīng)成為推動(dòng)汽車電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)的重要技術(shù)支撐，未來(lái)其應(yīng)用范圍還將進(jìn)一步拓展至智能駕駛和車載功率系統(tǒng)的更多環(huán)節(jié)。直銷熱紅外顯微鏡選購(gòu)指南