Thermal EMMI 在第三代半導(dǎo)體器件檢測(cè)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅等材料,具有耐高溫、耐高壓、高頻的特性,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G 通信等領(lǐng)域。但這類器件在制造和工作過程中,容易因材料缺陷或工藝問題產(chǎn)生漏電和局部過熱,影響器件可靠性。thermal emmi 憑借其高靈敏度的光信號(hào)和熱信號(hào)檢測(cè)能力,能定位這些缺陷。例如,在檢測(cè)氮化鎵功率器件時(shí),可同時(shí)捕捉漏電產(chǎn)生的微光和局部過熱信號(hào),幫助工程師分析缺陷產(chǎn)生的原因,優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制造工藝,提升第三代半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。熱紅外顯微鏡成像:基于樣品不同區(qū)域熱輻射強(qiáng)度差異,生成二維熱像圖,直觀呈現(xiàn)樣品表面溫度分布細(xì)節(jié)。番禺區(qū)...
當(dāng)電子器件出現(xiàn)失效時(shí),如何快速、準(zhǔn)確地定位問題成為工程師**為關(guān)注的任務(wù)。傳統(tǒng)電學(xué)測(cè)試手段只能給出整體異常信息,卻難以明確指出具體的故障位置。熱紅外顯微鏡通過捕捉器件在異常工作狀態(tài)下的局部發(fā)熱信號(hào),能夠直接顯示出電路中的熱點(diǎn)區(qū)域。無論是短路、擊穿,還是焊點(diǎn)虛接引發(fā)的熱異常,都能在熱紅外顯微鏡下得到清晰呈現(xiàn)。這種可視化手段不僅提高了故障定位的效率,還降低了依賴破壞性剖片和反復(fù)實(shí)驗(yàn)的需求,***節(jié)省了時(shí)間與成本。在失效分析閉環(huán)中,熱紅外顯微鏡已經(jīng)成為必不可少的**工具,它幫助工程師快速鎖定問題根源,為后續(xù)的修復(fù)與工藝優(yōu)化提供科學(xué)依據(jù),推動(dòng)了整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)量控制體系的完善熱紅外顯微鏡原理遵循黑體輻射...
熱紅外顯微鏡作為一種特殊的成像設(shè)備,能夠捕捉物體表面因溫度差異產(chǎn)生的紅外輻射,從而生成反映溫度分布的圖像。其原理基于任何物體只要溫度高于零度,就會(huì)不斷向外輻射紅外線,且溫度不同,輻射的紅外線波長(zhǎng)和強(qiáng)度也存在差異。通過高靈敏度的紅外探測(cè)器和精密的光學(xué)系統(tǒng),熱紅外顯微鏡可將這種細(xì)微的溫度變化轉(zhuǎn)化為清晰的圖像,實(shí)現(xiàn)對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的溫度分布監(jiān)測(cè)。在半導(dǎo)體行業(yè)中,它能檢測(cè)芯片工作時(shí)的局部過熱區(qū)域,為分析器件功耗和潛在故障提供關(guān)鍵數(shù)據(jù),是電子器件熱特性研究的重要工具。熱紅外顯微鏡應(yīng)用:在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域用于觀測(cè)細(xì)胞代謝熱,輔助研究細(xì)胞活性及疾病早期診斷。熱紅外成像熱紅外顯微鏡當(dāng)電子器件出現(xiàn)失效時(shí),如何快速、準(zhǔn)確地...
在半導(dǎo)體IC裸芯片的研發(fā)與檢測(cè)過程中,熱紅外顯微鏡是一種不可或缺的分析工具。裸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度緊湊、集成度極高,即便出現(xiàn)微小的熱異常,也可能對(duì)性能產(chǎn)生不良影響,甚至引發(fā)失效。因此,建立精確可靠的熱檢測(cè)手段顯得尤為重要。熱紅外顯微鏡能夠以非接觸方式實(shí)現(xiàn)芯片熱分布的成像與分析,直觀展示芯片在運(yùn)行狀態(tài)下的溫度變化。通過識(shí)別局部熱點(diǎn),工程師可以發(fā)現(xiàn)潛在問題,這些問題可能來源于電路設(shè)計(jì)缺陷、局部電流過大或器件老化等因素,從而在早期階段采取調(diào)整設(shè)計(jì)或改進(jìn)工藝的措施。 紅外顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system),是半導(dǎo)體失效分析和缺陷檢測(cè)的常用的三大手...
當(dāng)電子器件出現(xiàn)失效時(shí),如何快速、準(zhǔn)確地定位問題成為工程師**為關(guān)注的任務(wù)。傳統(tǒng)電學(xué)測(cè)試手段只能給出整體異常信息,卻難以明確指出具體的故障位置。熱紅外顯微鏡通過捕捉器件在異常工作狀態(tài)下的局部發(fā)熱信號(hào),能夠直接顯示出電路中的熱點(diǎn)區(qū)域。無論是短路、擊穿,還是焊點(diǎn)虛接引發(fā)的熱異常,都能在熱紅外顯微鏡下得到清晰呈現(xiàn)。這種可視化手段不僅提高了故障定位的效率,還降低了依賴破壞性剖片和反復(fù)實(shí)驗(yàn)的需求,***節(jié)省了時(shí)間與成本。在失效分析閉環(huán)中,熱紅外顯微鏡已經(jīng)成為必不可少的**工具,它幫助工程師快速鎖定問題根源,為后續(xù)的修復(fù)與工藝優(yōu)化提供科學(xué)依據(jù),推動(dòng)了整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)量控制體系的完善在高可靠性要求、功耗限制嚴(yán)格...
熱紅外顯微鏡作為一種特殊的成像設(shè)備,能夠捕捉物體表面因溫度差異產(chǎn)生的紅外輻射,從而生成反映溫度分布的圖像。其原理基于任何物體只要溫度高于零度,就會(huì)不斷向外輻射紅外線,且溫度不同,輻射的紅外線波長(zhǎng)和強(qiáng)度也存在差異。通過高靈敏度的紅外探測(cè)器和精密的光學(xué)系統(tǒng),熱紅外顯微鏡可將這種細(xì)微的溫度變化轉(zhuǎn)化為清晰的圖像,實(shí)現(xiàn)對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的溫度分布監(jiān)測(cè)。在半導(dǎo)體行業(yè)中,它能檢測(cè)芯片工作時(shí)的局部過熱區(qū)域,為分析器件功耗和潛在故障提供關(guān)鍵數(shù)據(jù),是電子器件熱特性研究的重要工具。熱紅外顯微鏡應(yīng)用于材料科學(xué),可研究新型材料在不同溫度下的微觀熱穩(wěn)定性,指導(dǎo)材料研發(fā)??蒲杏脽峒t外顯微鏡分析Thermal EMMI(Therma...
隨著半導(dǎo)體器件向先進(jìn)封裝(如 2.5D/3D IC、Chiplet 集成)方向發(fā)展,傳統(tǒng)失效分析方法在穿透力和分辨率之間往往存在取舍。而 Thermal EMMI 在這一領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì),它能夠透過硅層或封裝材料觀測(cè)內(nèi)部熱點(diǎn)分布,并在不破壞結(jié)構(gòu)的情況下快速鎖定缺陷位置。對(duì)于 TSV(硅通孔)結(jié)構(gòu)中的漏電、短路或工藝缺陷,Thermal EMMI 結(jié)合多波段探測(cè)和長(zhǎng)時(shí)間積分成像,可在微瓦級(jí)功耗下識(shí)別異常點(diǎn),極大減少了高價(jià)值樣品的損壞風(fēng)險(xiǎn)。這一能力讓 Thermal EMMI 成為先進(jìn)封裝良率提升的重要保障,也為后續(xù)的物理剖片提供精確坐標(biāo),從而節(jié)省分析時(shí)間與成本。紅外顯微鏡系統(tǒng)(Thermal ...
熱點(diǎn)區(qū)域?qū)?yīng)高溫部位,可能是發(fā)熱源或故障點(diǎn);等溫線連接溫度相同點(diǎn),直觀呈現(xiàn)溫度梯度與熱量傳導(dǎo)規(guī)律。 當(dāng)前市面上多數(shù)設(shè)備受限于紅外波長(zhǎng)及探測(cè)器性能,普遍存在熱點(diǎn)分散、噪點(diǎn)繁多的問題,直接導(dǎo)致發(fā)熱區(qū)域定位偏差、圖像對(duì)比度與清晰度下降,嚴(yán)重影響溫度分布判斷的準(zhǔn)確性。 而我方設(shè)備優(yōu)勢(shì)明顯:抗干擾能力強(qiáng),可有效削弱外界環(huán)境及內(nèi)部器件噪聲干擾,確保圖像穩(wěn)定可靠;等溫線清晰銳利,能圈定溫度相同區(qū)域,便于快速掌握溫度梯度與熱傳導(dǎo)路徑,大幅提升熱特性分析精度;成像效果大幅升級(jí),具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對(duì)比度,細(xì)微細(xì)節(jié)清晰可辨,為深度分析提供高質(zhì)量圖像支撐。 熱紅外顯微鏡原理基于物體紅外...
Thermal EMMI 的成像效果與探測(cè)波段密切相關(guān),不同材料的熱輻射峰值波長(zhǎng)有所差異。** Thermal EMMI 系統(tǒng)支持多波段切換,可根據(jù)被測(cè)器件的結(jié)構(gòu)和材料選擇比較好波長(zhǎng),實(shí)現(xiàn)更高的信噪比和更清晰的缺陷成像。例如,硅基器件在近紅外波段(約 1.1 微米)具有較高透過率,適合穿透檢測(cè);而化合物半導(dǎo)體(如 GaN、SiC)則需要在中紅外或長(zhǎng)波紅外波段下進(jìn)行觀測(cè)。通過靈活的波段適配,Thermal EMMI 能夠覆蓋更***的器件類型,從消費(fèi)電子到汽車電子,再到功率半導(dǎo)體,均可提供穩(wěn)定、精細(xì)的檢測(cè)結(jié)果。熱紅外顯微鏡儀器集成精密光學(xué)系統(tǒng)與紅外探測(cè)模塊,可實(shí)現(xiàn)對(duì)微小區(qū)域的準(zhǔn)確熱分析。自銷熱紅...
Thermal EMMI 的成像效果與探測(cè)波段密切相關(guān),不同材料的熱輻射峰值波長(zhǎng)有所差異。** Thermal EMMI 系統(tǒng)支持多波段切換,可根據(jù)被測(cè)器件的結(jié)構(gòu)和材料選擇比較好波長(zhǎng),實(shí)現(xiàn)更高的信噪比和更清晰的缺陷成像。例如,硅基器件在近紅外波段(約 1.1 微米)具有較高透過率,適合穿透檢測(cè);而化合物半導(dǎo)體(如 GaN、SiC)則需要在中紅外或長(zhǎng)波紅外波段下進(jìn)行觀測(cè)。通過靈活的波段適配,Thermal EMMI 能夠覆蓋更***的器件類型,從消費(fèi)電子到汽車電子,再到功率半導(dǎo)體,均可提供穩(wěn)定、精細(xì)的檢測(cè)結(jié)果。熱紅外顯微鏡應(yīng)用于電子行業(yè),可檢測(cè)芯片微小區(qū)域發(fā)熱情況,助力故障排查與性能優(yōu)化。工業(yè)檢...
熱紅外顯微鏡在半導(dǎo)體IC裸芯片的熱檢測(cè)中具有不可替代的作用。裸芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)高度精密、集成度極高,即便是微小的熱異常,也可能影響性能甚至引發(fā)失效,因此精確的熱檢測(cè)至關(guān)重要。 依托非接觸式成像原理,熱紅外顯微鏡能夠清晰呈現(xiàn)芯片工作過程中的熱分布與溫度變化,快速定位熱點(diǎn)區(qū)域。這些熱點(diǎn)往往源于電路設(shè)計(jì)缺陷、局部電流過大或器件老化等問題。通過對(duì)熱點(diǎn)檢測(cè)與分析,工程師能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在故障風(fēng)險(xiǎn),為優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和改進(jìn)制造工藝提供有力依據(jù)。 此外,熱紅外顯微鏡還能精確測(cè)量裸芯片內(nèi)部關(guān)鍵半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的溫度(結(jié)溫)。結(jié)溫是評(píng)估芯片性能與可靠性的重要指標(biāo),過高的結(jié)溫不僅會(huì)縮短器件壽命,還可能影響其長(zhǎng)期穩(wěn)...
熱紅外顯微鏡在材料科學(xué)研究中有著廣泛應(yīng)用。對(duì)于新型復(fù)合材料,其內(nèi)部不同組分的導(dǎo)熱性能存在差異,在外界溫度變化或通電工作時(shí),表面溫度分布會(huì)呈現(xiàn)不均勻性。熱紅外顯微鏡能以超高的空間分辨率捕捉這種溫度差異,清晰展示材料內(nèi)部的熱傳導(dǎo)路徑和熱點(diǎn)分布。研究人員通過分析這些圖像,可深入了解材料的熱物理特性,為優(yōu)化材料配方、改進(jìn)制備工藝提供依據(jù)。比如在研發(fā)高導(dǎo)熱散熱材料時(shí),借助熱紅外顯微鏡能直觀觀察不同添加成分對(duì)材料散熱性能的影響,加速高性能材料的研發(fā)進(jìn)程。熱紅外顯微鏡成像:支持三維熱成像重構(gòu),通過分層掃描樣品不同深度,生成立體熱分布模型。國(guó)內(nèi)熱紅外顯微鏡設(shè)備Thermal EMMI(Thermal Emis...
芯片出問題不用慌!致晟光電專門搞定各類失效難題~不管是靜電放電擊穿的芯片、過壓過流燒斷的導(dǎo)線,還是過熱導(dǎo)致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點(diǎn),哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋,我們都有辦法定位。致晟的檢測(cè)設(shè)備能捕捉到細(xì)微的失效信號(hào),從電氣應(yīng)力到熱力學(xué)問題,從機(jī)械損傷到材料缺陷,一步步幫你揪出“病根”,還會(huì)給出詳細(xì)的分析報(bào)告。不管是研發(fā)時(shí)的小故障,還是量產(chǎn)中的質(zhì)量問題,交給致晟,讓你的芯片難題迎刃而解~有失效分析需求?隨時(shí)來找我們呀!在高可靠性要求、功耗限制嚴(yán)格的器件中,定位內(nèi)部失效位置??蒲杏脽峒t外顯微鏡故障維修在現(xiàn)代汽車電子系統(tǒng)中,車規(guī)級(jí)芯片扮演著至關(guān)重要的角色,其穩(wěn)定性與可...
在材料科學(xué)領(lǐng)域,研究人員通常需要了解不同材料在受熱環(huán)境下的導(dǎo)熱性能與熱響應(yīng)特性。傳統(tǒng)的熱分析方法多為宏觀測(cè)量,難以揭示微觀層面的溫度變化。而熱紅外顯微鏡通過高分辨率的紅外成像能力,能夠?qū)⒉牧媳砻娴臏囟确植记逦尸F(xiàn)出來,從而幫助研究人員深入理解材料的導(dǎo)熱機(jī)制和失效模式。例如,在新型復(fù)合材料研究中,熱紅外顯微鏡能夠直觀顯示各組分在受熱條件下的熱擴(kuò)散差異,為材料結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。同時(shí),該設(shè)備還能與其他光學(xué)顯微技術(shù)聯(lián)用,形成多維度的檢測(cè)體系,使得實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)更具完整性。熱紅外顯微鏡不僅在基礎(chǔ)研究中發(fā)揮重要作用,也為新型材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的驗(yàn)證工具,推動(dòng)了從實(shí)驗(yàn)室到工程應(yīng)用的快速轉(zhuǎn)化。熱紅外顯...
作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握 Thermal EMMI 技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)之一,致晟光電在設(shè)備國(guó)產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)落地方面取得了雙重突破。設(shè)備在光路設(shè)計(jì)、探測(cè)器匹配、樣品平臺(tái)穩(wěn)定性等關(guān)鍵環(huán)節(jié)均采用自主方案,確保整機(jī)性能穩(wěn)定且易于維護(hù)。更重要的是,致晟光電深度參與國(guó)內(nèi)封測(cè)廠、晶圓廠及科研機(jī)構(gòu)的失效分析項(xiàng)目,將 Thermal EMMI 不僅用于研發(fā)驗(yàn)證,還延伸至生產(chǎn)線質(zhì)量監(jiān)控和來料檢測(cè)。這種從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線的轉(zhuǎn)變,意味著 Thermal EMMI 不再只是少數(shù)工程師的“顯微鏡”,而是成為支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)質(zhì)量提升的重要裝備。通過持續(xù)優(yōu)化算法、提升檢測(cè)效率,致晟光電正推動(dòng) Thermal EMMI 技術(shù)在國(guó)內(nèi)形成成...
無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析(NDA)技術(shù),為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價(jià)值樣品的前提下,捕捉隱性熱信號(hào)以定位內(nèi)部缺陷,既保障了分析的準(zhǔn)確性,又為后續(xù)驗(yàn)證、復(fù)盤保留了完整樣本,讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測(cè),這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息,但會(huì)破壞樣品完整性,更適合無需保留樣品的分析場(chǎng)景,與無損分析形成互補(bǔ)!針對(duì)消費(fèi)電子芯片,Thermal EMMI 助力排查因封裝散熱不良導(dǎo)致的局部熱失效問題。廠家熱紅外顯微鏡用途熱紅外顯微鏡在材料科學(xué)研究中有著廣泛應(yīng)用。對(duì)于新型復(fù)合材料,其內(nèi)部不同組...
Thermal EMMI(Thermal Emission Microscopy)是一種利用半導(dǎo)體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發(fā)射信號(hào)進(jìn)行失效點(diǎn)定位的先進(jìn)顯微技術(shù)。它通過高靈敏度探測(cè)器捕捉納瓦級(jí)別的紅外信號(hào),并結(jié)合光學(xué)放大系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)微米甚至亞微米級(jí)的空間分辨率。相比傳統(tǒng)的電子探針或電性測(cè)試,Thermal EMMI在非接觸、無損檢測(cè)方面有明顯優(yōu)勢(shì),能夠在器件通電狀態(tài)下直接觀測(cè)局部發(fā)熱熱點(diǎn)或電流泄漏位置。這種技術(shù)在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(如 5nm、3nm)中尤為關(guān)鍵,因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)復(fù)雜且供電電壓低,任何細(xì)微缺陷都會(huì)在熱輻射分布上體現(xiàn)。通過Thermal EMMI,工程師能夠快速鎖定失效區(qū)域,大幅減少剖片和...
Thermal EMMI(Thermal Emission Microscopy)是一種利用半導(dǎo)體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發(fā)射信號(hào)進(jìn)行失效點(diǎn)定位的先進(jìn)顯微技術(shù)。它通過高靈敏度探測(cè)器捕捉納瓦級(jí)別的紅外信號(hào),并結(jié)合光學(xué)放大系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)微米甚至亞微米級(jí)的空間分辨率。相比傳統(tǒng)的電子探針或電性測(cè)試,Thermal EMMI在非接觸、無損檢測(cè)方面有明顯優(yōu)勢(shì),能夠在器件通電狀態(tài)下直接觀測(cè)局部發(fā)熱熱點(diǎn)或電流泄漏位置。這種技術(shù)在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(如 5nm、3nm)中尤為關(guān)鍵,因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)復(fù)雜且供電電壓低,任何細(xì)微缺陷都會(huì)在熱輻射分布上體現(xiàn)。通過Thermal EMMI,工程師能夠快速鎖定失效區(qū)域,大幅減少剖片和...
熱點(diǎn)區(qū)域?qū)?yīng)高溫部位,可能是發(fā)熱源或故障點(diǎn);等溫線連接溫度相同點(diǎn),能直觀呈現(xiàn)溫度梯度與熱量傳導(dǎo)規(guī)律。目前市面上多數(shù)設(shè)備受紅外波長(zhǎng)及探測(cè)器性能限制,普遍存在熱點(diǎn)分散、噪點(diǎn)多的問題,導(dǎo)致發(fā)熱區(qū)域定位不準(zhǔn),圖像對(duì)比度和清晰度下降,影響溫度分布判斷的準(zhǔn)確性。而致晟設(shè)備優(yōu)勢(shì)是設(shè)備抗干擾能力強(qiáng),可有效減少外界環(huán)境及內(nèi)部器件噪聲影響,保障圖像穩(wěn)定可靠;等溫線明顯,能清晰展現(xiàn)溫度相同區(qū)域,便于快速掌握溫度梯度與熱傳導(dǎo)情況,提升熱特性分析精度,同時(shí)成像效果大幅提升,具備更高的空間分辨率、溫度分辨率及對(duì)比度,可清晰呈現(xiàn)細(xì)微細(xì)節(jié),為分析提供高質(zhì)量的圖像支持。它采用 鎖相放大(Lock-in)技術(shù) 來提取周期性施加電...
微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設(shè)備,可在非破壞性條件下,對(duì)封裝器件及芯片的多種失效模式進(jìn)行精細(xì)檢測(cè)與定位。其應(yīng)用范圍涵蓋:芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層(Oxide)漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短路、ESD閉鎖效應(yīng)、3D封裝(Stacked Die)失效點(diǎn)深度(Z軸)預(yù)估、低阻抗短路(<10 Ω)問題分析,以及芯片鍵合對(duì)準(zhǔn)精度檢測(cè)。相比傳統(tǒng)方法,微光紅外顯微儀無需繁瑣的去層處理,能夠通過檢測(cè)器捕捉異常輻射信號(hào),快速鎖定缺陷位置,大幅縮短分析時(shí)間,降低樣品損傷風(fēng)險(xiǎn),為半導(dǎo)體封裝測(cè)試、產(chǎn)品質(zhì)量控制及研發(fā)優(yōu)化提供高效可靠的技術(shù)手段。熱紅...
熱紅外顯微鏡作為一種特殊的成像設(shè)備,能夠捕捉物體表面因溫度差異產(chǎn)生的紅外輻射,從而生成反映溫度分布的圖像。其原理基于任何物體只要溫度高于零度,就會(huì)不斷向外輻射紅外線,且溫度不同,輻射的紅外線波長(zhǎng)和強(qiáng)度也存在差異。通過高靈敏度的紅外探測(cè)器和精密的光學(xué)系統(tǒng),熱紅外顯微鏡可將這種細(xì)微的溫度變化轉(zhuǎn)化為清晰的圖像,實(shí)現(xiàn)對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的溫度分布監(jiān)測(cè)。在半導(dǎo)體行業(yè)中,它能檢測(cè)芯片工作時(shí)的局部過熱區(qū)域,為分析器件功耗和潛在故障提供關(guān)鍵數(shù)據(jù),是電子器件熱特性研究的重要工具。熱紅外顯微鏡能捕捉微觀物體熱輻射信號(hào),為材料熱特性研究提供高分辨率觀測(cè)手段。國(guó)產(chǎn)熱紅外顯微鏡方案微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設(shè)備,可在...
半導(dǎo)體制程逐步邁入3納米及更先進(jìn)階段,芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)愈發(fā)復(fù)雜密集,供電電壓不斷降低,微觀熱行為對(duì)器件性能的影響日益明顯。在這一背景下,致晟光電熱紅外顯微鏡應(yīng)運(yùn)而生,并在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微技術(shù)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了深度優(yōu)化與迭代。該設(shè)備專為應(yīng)對(duì)先進(jìn)制程中的熱管理挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì),能夠在芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、失效排查及性能優(yōu)化等關(guān)鍵環(huán)節(jié)中提供精密、可靠的熱成像支持。通過對(duì)微觀熱信號(hào)的高靈敏度捕捉,致晟光電熱紅外顯微鏡為研發(fā)人員呈現(xiàn)出清晰的熱分布圖譜,有助于深入理解芯片內(nèi)部的熱演化過程,從而更有效地推動(dòng)相關(guān)技術(shù)研究與產(chǎn)品迭代。熱紅外顯微鏡成像儀分辨率可達(dá)微米級(jí)別,能清晰呈現(xiàn)微小樣品表面的局部熱點(diǎn)與低溫區(qū)域。自銷熱紅外顯微鏡探測(cè)器...
在電子設(shè)備運(yùn)行過程中,當(dāng)某個(gè)元件出現(xiàn)故障或異常時(shí),通常會(huì)伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡能夠通過高靈敏度的紅外探測(cè)器捕捉到這些極其微弱的熱輻射信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)故障元件的定位。這些探測(cè)器通常采用量子級(jí)聯(lián)激光器或其他高性能紅外傳感方案,具備寬溫區(qū)適應(yīng)性和高分辨率成像能力。借助這些技術(shù),熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布轉(zhuǎn)化為高對(duì)比度的熱圖像,直觀呈現(xiàn)熱點(diǎn)區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢(shì)。工程師可以通過對(duì)這些熱圖像的分析,快速識(shí)別異常發(fā)熱區(qū)域,判斷潛在故障點(diǎn)的性質(zhì)與嚴(yán)重程度,從而為后續(xù)的維修、優(yōu)化設(shè)計(jì)或工藝改進(jìn)提供可靠依據(jù)。得益于非接觸式測(cè)量和高精度成像能力,熱紅外顯微鏡在復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)...
ThermalEMMI(熱紅外顯微鏡)是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù),廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和半導(dǎo)體器件的精細(xì)故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測(cè)對(duì)象的前提下,捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的微弱熱輻射和光信號(hào),為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據(jù)。尤其在復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板(PCB)的檢測(cè)中,ThermalEMMI能夠迅速識(shí)別異常發(fā)熱或發(fā)光區(qū)域,這些區(qū)域通常與潛在缺陷、設(shè)計(jì)不足或性能問題密切相關(guān)。通過對(duì)這些熱點(diǎn)的精確定位,研發(fā)和測(cè)試人員可以深入分析失效原因,指導(dǎo)工藝改進(jìn)或芯片優(yōu)化,從而提升產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性。此外,ThermalEMMI的非接觸式測(cè)量特點(diǎn)使其能夠在芯片研...
對(duì)于3D封裝產(chǎn)品,傳統(tǒng)的失效點(diǎn)定位往往需要采用逐層去層的方法,一層一層地進(jìn)行異常排查與確認(rèn),不僅耗時(shí)長(zhǎng)、人工成本高,還存在對(duì)樣品造成不可逆損傷的風(fēng)險(xiǎn)。借助Thermal EMMI設(shè)備,可通過檢測(cè)失效點(diǎn)熱輻射在傳導(dǎo)過程中的相位差,推算出失效點(diǎn)在3D封裝結(jié)構(gòu)中的深度位置(Z軸方向)。這一方法能夠在不破壞封裝的前提下,快速判斷失效點(diǎn)所在的芯片層級(jí),實(shí)現(xiàn)高效、精細(xì)的失效定位。如圖7所示,不同深度空間下失效點(diǎn)與相位的關(guān)系為該技術(shù)提供了直觀的參考依據(jù)。熱紅外顯微鏡支持多種樣品載物臺(tái)適配,能滿足固體、薄膜等不同形態(tài)微觀樣品的熱觀測(cè)需求。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡批量定制 致晟光電在推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中,積極開展...
在半導(dǎo)體失效分析(Failure Analysis, FA)流程中,Thermal EMMI 是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。此前,工程師需要依靠大量電性參數(shù)測(cè)試、掃描聲學(xué)顯微鏡或X射線等方法逐步縮小可疑范圍,但對(duì)于微小短路、漏電或局部發(fā)熱缺陷,這些方法往往難以直接定位。Thermal EMMI 能夠在樣品上電并模擬實(shí)際工作條件的同時(shí),捕捉缺陷點(diǎn)產(chǎn)生的瞬態(tài)熱信號(hào),實(shí)現(xiàn)快速、直觀的可視化定位。尤其是在 BGA 封裝、多層 PCB 以及三維封裝(3D IC)等復(fù)雜結(jié)構(gòu)中,Thermal EMMI 的穿透力和高分辨率成像能力能縮短分析周期。此外,該技術(shù)還能與鎖相紅外熱成像(Lock-in Thermograp...
從技術(shù)演進(jìn)來看,熱紅外顯微鏡thermal emmi正加速向三大方向突破:一是靈敏度持續(xù)躍升,如量子點(diǎn)探測(cè)器的應(yīng)用可大幅增強(qiáng)光子捕捉能力,讓微弱熱信號(hào)的識(shí)別更精確;二是多模態(tài)融合,通過集成 EMMI 光子探測(cè)、OBIRCH 電阻分析等功能,實(shí)現(xiàn) “熱 - 光 - 電” 多維度協(xié)同檢測(cè);三是智能化升級(jí),部分設(shè)備已內(nèi)置 AI 算法,能自動(dòng)標(biāo)記異常熱點(diǎn)并生成分析報(bào)告。這些進(jìn)步為半導(dǎo)體良率提升、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)熱管理等場(chǎng)景,提供了更高效、更好的解決方案。 熱紅外顯微鏡工作原理:通過紅外焦平面陣列(FPA)將樣品熱輻射轉(zhuǎn)化為像素化電信號(hào),經(jīng)處理后形成熱圖像。鎖相熱紅外顯微鏡市場(chǎng)價(jià)thermal e...
作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體失效分析設(shè)備領(lǐng)域的原廠,蘇州致晟光電科技有限公司(簡(jiǎn)稱“致晟光電”)專注于ThermalEMMI系統(tǒng)的研發(fā)與制造。與傳統(tǒng)熱紅外顯微鏡相比,ThermalEMMI的主要差異在于其功能定位:它并非對(duì)溫度分布進(jìn)行基礎(chǔ)測(cè)量,而是通過精確捕捉芯片工作時(shí)因電流異常產(chǎn)生的微弱紅外輻射,直接實(shí)現(xiàn)對(duì)漏電、短路、靜電擊穿等電學(xué)缺陷的定位。該設(shè)備的重要技術(shù)優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在超高靈敏度與微米級(jí)分辨率上:不僅能識(shí)別納瓦級(jí)功耗所產(chǎn)生的局部熱熱點(diǎn),還能確保缺陷定位的精細(xì)度,為半導(dǎo)體芯片的研發(fā)優(yōu)化與量產(chǎn)階段的品質(zhì)控制,提供了可靠的技術(shù)依據(jù)與數(shù)據(jù)支撐。Thermal 熱紅外顯微鏡屬于光學(xué)失效定位中的一種,用于捕捉器件中因...
與傳統(tǒng)的 emmi 相比,thermal emmi 在檢測(cè)復(fù)雜半導(dǎo)體器件時(shí)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng) emmi 主要聚焦于光信號(hào)檢測(cè),而 thermal emmi 增加了溫度監(jiān)測(cè)維度,能更***地反映缺陷的物理本質(zhì)。例如,當(dāng)芯片出現(xiàn)微小短路缺陷時(shí),傳統(tǒng) emmi 可檢測(cè)到短路點(diǎn)的微光信號(hào),但難以判斷短路對(duì)器件溫度的影響程度;而 thermal emmi 不僅能定位微光信號(hào),還能通過溫度分布圖像顯示短路區(qū)域的溫升幅度,幫助工程師評(píng)估缺陷對(duì)器件整體性能的影響,為制定修復(fù)方案提供更***的參考。熱紅外顯微鏡工作原理:結(jié)合光譜技術(shù),可同時(shí)獲取樣品熱分布與紅外光譜信息,分析物質(zhì)成分與熱特性的關(guān)聯(lián)。低溫?zé)釤峒t外...
熱紅外顯微鏡是半導(dǎo)體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一(EMMI、THERMAL、OBIRCH),通過捕捉故障點(diǎn)產(chǎn)生的異常熱輻射,實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常,導(dǎo)致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)結(jié)合熱點(diǎn)鎖定技術(shù),能夠高效識(shí)別這些區(qū)域。熱點(diǎn)定位是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像方法,通過調(diào)節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度,并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路(IC)分析中,該技術(shù)廣泛應(yīng)用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關(guān)鍵故障。熱紅外顯微鏡能捕捉微觀物體熱輻射信號(hào),為材料熱特性研究提供高分辨率觀測(cè)手段。半導(dǎo)體熱紅外顯微鏡備件在現(xiàn)代汽車電子系統(tǒng)中,車規(guī)級(jí)芯片扮演...