Thermal EMMI 在第三代半導(dǎo)體器件檢測(cè)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅等材料，具有耐高溫、耐高壓、高頻的特性，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G 通信等領(lǐng)域。但這類器件在制造和工作過程中，容易因材料缺陷或工藝問題產(chǎn)生漏電和局部過熱，影響器件可靠性。thermal emmi 憑借其高靈敏度的光信號(hào)和熱信號(hào)檢測(cè)能力，能定位這些缺陷。例如，在檢測(cè)氮化鎵功率器件時(shí)，可同時(shí)捕捉漏電產(chǎn)生的微光和局部過熱信號(hào)，幫助工程師分析缺陷產(chǎn)生的原因，優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制造工藝，提升第三代半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。熱紅外顯微鏡成像：基于樣品不同區(qū)域熱輻射強(qiáng)度差異，生成二維熱像圖，直觀呈現(xiàn)樣品表面溫度分布細(xì)節(jié)。番禺區(qū)熱紅外顯微鏡

致晟光電在 Thermal EMMI 技術(shù)的基礎(chǔ)上，融合了自主研發(fā)的 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析技術(shù)（RTTLIT），提升了弱信號(hào)檢測(cè)能力。傳統(tǒng) Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態(tài)缺陷時(shí)，容易受到環(huán)境熱噪聲干擾，而鎖相技術(shù)可以在特定頻率下同步提取信號(hào)，將信噪比提升數(shù)倍，從而捕捉到更細(xì)微的發(fā)熱變化。這種技術(shù)組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無損檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，還大幅拓寬了其應(yīng)用場(chǎng)景——從傳統(tǒng)的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級(jí)功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗(yàn)證。通過這一技術(shù)，致晟光電能夠?yàn)榭蛻籼峁└?span>好、更快速的失效定位方案，減少剖片次數(shù)，降低分析成本，并提高產(chǎn)品開發(fā)迭代效率。直銷熱紅外顯微鏡方案熱紅外顯微鏡應(yīng)用于材料科學(xué)，可研究新型材料在不同溫度下的微觀熱穩(wěn)定性，指導(dǎo)材料研發(fā)。

熱紅外顯微鏡（ThermalEMMI）的另一大優(yōu)勢(shì)在于其非接觸式檢測(cè)能力，相較于傳統(tǒng)接觸式方法具有優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)接觸式檢測(cè)通常需要使用探針直接接觸被測(cè)設(shè)備，這不僅可能因機(jī)械壓力導(dǎo)致芯片焊點(diǎn)形變或線路微損傷，還可能因靜電放電（ESD）對(duì)敏感半導(dǎo)體器件造成破壞，從而引入額外風(fēng)險(xiǎn)和測(cè)量誤差。對(duì)于精密電子元件和高精度設(shè)備而言，這種潛在損傷可能嚴(yán)重影響檢測(cè)結(jié)果的可靠性。

熱紅外顯微鏡通過捕捉設(shè)備在運(yùn)行過程中釋放的熱輻射信號(hào)，實(shí)現(xiàn)完全非侵入式的檢測(cè)。這不僅能夠在設(shè)備正常工作狀態(tài)下獲取實(shí)時(shí)熱分布數(shù)據(jù)，還有效避免了接觸帶來的干擾或損傷，提高了整個(gè)檢測(cè)流程的安全性和穩(wěn)定性。工程師可以依靠這些高保真數(shù)據(jù)進(jìn)行精確故障診斷、性能評(píng)估以及早期異常識(shí)別，從而優(yōu)化研發(fā)與生產(chǎn)流程。非接觸式的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，使熱紅外顯微鏡成為半導(dǎo)體芯片、微電子系統(tǒng)及精密印制電路板等電子組件檢測(cè)的理想選擇，為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)提供了更安全、高效和可靠的分析手段。

功率器件在工作時(shí)往往需要承受高電壓和大電流，因此其熱管理問題直接影響到產(chǎn)品的性能與壽命。常規(guī)熱測(cè)試手段通常無法兼顧分辨率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度，難以滿足現(xiàn)代功率器件的研發(fā)需求。熱紅外顯微鏡的出現(xiàn)，彌補(bǔ)了這一空白。它能夠在毫秒級(jí)時(shí)間分辨率下，實(shí)時(shí)捕捉器件運(yùn)行過程中產(chǎn)生的熱信號(hào)，從而動(dòng)態(tài)監(jiān)控?zé)崃康姆植寂c傳導(dǎo)路徑。通過對(duì)這些熱數(shù)據(jù)的分析，工程師可以精細(xì)識(shí)別出熱點(diǎn)區(qū)域，并針對(duì)性地優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)方法相比，熱紅外顯微鏡不僅提供了更高精度的結(jié)果，還能在不***件正常運(yùn)行的前提下進(jìn)行測(cè)試，真正實(shí)現(xiàn)了非破壞性檢測(cè)。這種能力極大提升了功率器件可靠性驗(yàn)證的效率，幫助企業(yè)縮短研發(fā)周期，降低失效風(fēng)險(xiǎn)，為新能源、汽車電子等產(chǎn)業(yè)提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。失效分析已成為貫穿產(chǎn)業(yè)鏈從研發(fā)設(shè)計(jì)到量產(chǎn)交付全程的 “關(guān)鍵防線”。

與傳統(tǒng)的 emmi 相比，thermal emmi 在檢測(cè)復(fù)雜半導(dǎo)體器件時(shí)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng) emmi 主要聚焦于光信號(hào)檢測(cè)，而 thermal emmi 增加了溫度監(jiān)測(cè)維度，能更***地反映缺陷的物理本質(zhì)。例如，當(dāng)芯片出現(xiàn)微小短路缺陷時(shí)，傳統(tǒng) emmi 可檢測(cè)到短路點(diǎn)的微光信號(hào)，但難以判斷短路對(duì)器件溫度的影響程度；而 thermal emmi 不僅能定位微光信號(hào)，還能通過溫度分布圖像顯示短路區(qū)域的溫升幅度，幫助工程師評(píng)估缺陷對(duì)器件整體性能的影響，為制定修復(fù)方案提供更***的參考。半導(dǎo)體芯片失效分析（EFA）中的熱點(diǎn)定位。高分辨率熱紅外顯微鏡平臺(tái)

熱紅外顯微鏡成像：支持三維熱成像重構(gòu)，通過分層掃描樣品不同深度，生成立體熱分布模型。番禺區(qū)熱紅外顯微鏡

在微電子、半導(dǎo)體以及材料研究等高精度領(lǐng)域，溫度始終是影響器件性能與壽命的重要因素。隨著芯片工藝向高密度和高功率方向發(fā)展，器件內(nèi)部的熱行為愈發(fā)復(fù)雜。傳統(tǒng)的熱測(cè)試方法由于依賴接觸探測(cè)，往往在空間分辨率、靈敏度和操作便捷性方面存在局限，難以滿足對(duì)新型芯片與功率器件的精細(xì)化熱分析需求。相比之下，熱紅外顯微鏡憑借非接觸測(cè)量、高分辨率成像和高靈敏度探測(cè)等優(yōu)勢(shì)，為研究人員提供了更加直觀的解決方案。它不僅能夠?qū)崟r(shí)呈現(xiàn)器件在工作狀態(tài)下的溫度分布，還可識(shí)別局部熱點(diǎn)，幫助分析電路設(shè)計(jì)缺陷、電流集中及材料老化等潛在問題。作為現(xiàn)代失效分析與微熱檢測(cè)的重要工具，熱紅外顯微鏡正逐漸成為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用中不可或缺的手段，為提升器件可靠性和延長(zhǎng)使用壽命提供了有力支持。番禺區(qū)熱紅外顯微鏡