AI眼鏡作為下一代可穿戴計(jì)算終端，正面臨“功能豐富度、續(xù)航時(shí)長(zhǎng)、設(shè)備重量”三者難以兼得的工程難題。為實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音交互、實(shí)時(shí)翻譯、環(huán)境感知與輕量化設(shè)計(jì)，其**SoC必須在極小面積內(nèi)集成CPU、NPU、DSP、藍(lán)牙/Wi-Fi射頻、傳感器接口與電源管理模塊，同時(shí)在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下實(shí)現(xiàn)**靜態(tài)功耗。這類高度集成的異構(gòu)SoC對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了嚴(yán)苛要求：不**需驗(yàn)證復(fù)雜功能邏輯，更要精確測(cè)量nA級(jí)漏電流、微瓦級(jí)動(dòng)態(tài)功耗及多電源域切換時(shí)序。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持每通道PPMU，可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)IDDQ測(cè)量，**識(shí)別SoC在睡眠模式下的漏電異常，確保續(xù)航能力不受“隱形功耗”拖累。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持C++編程與VisualStudio開(kāi)發(fā)環(huán)境，便于實(shí)現(xiàn)HBM協(xié)議定制化測(cè)試算法。江蘇導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

“風(fēng)華3號(hào)”作為全球**支持DICOM高精度灰階醫(yī)療顯示的GPU，對(duì)模擬輸出精度、色彩一致性與時(shí)序穩(wěn)定性要求極為嚴(yán)苛。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持可選配GT-AWGLP02任意波形發(fā)生器（THD-122dB，SNR110dB）與高分辨率Digitizer板卡，可用于驗(yàn)證GPU模擬視頻輸出鏈路的信號(hào)完整性與動(dòng)態(tài)性能。其20/24bit分辨率支持對(duì)ADC/DAC、PLL、LVDS接口等關(guān)鍵模塊的INL、DNL、Jitter等參數(shù)進(jìn)行精確測(cè)量，確保醫(yī)療顯示場(chǎng)景下的灰階過(guò)渡平滑與色彩還原準(zhǔn)確。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的模塊化16插槽架構(gòu)支持?jǐn)?shù)字、AWG、TMU、SMU板卡混插，實(shí)現(xiàn)從GPU**到顯示輸出的端到端測(cè)試閉環(huán)。長(zhǎng)沙導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)系統(tǒng)集成高效軟件，提供強(qiáng)大數(shù)據(jù)分析與報(bào)告生成能力。

    測(cè)試數(shù)據(jù)閉環(huán)助力量子芯片協(xié)同優(yōu)化，杭州國(guó)磊（Guolei）GT600支持STDF、CSV等格式輸出，并具備數(shù)據(jù)分析與圖形化顯示功能。這些測(cè)試數(shù)據(jù)可與量子芯片的設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)聯(lián)動(dòng)，形成“測(cè)試—反饋—優(yōu)化”閉環(huán)。例如，若某批次控制芯片的相位噪聲超標(biāo)，可反向指導(dǎo)量子比特布局或?yàn)V波器設(shè)計(jì)，提升整體系統(tǒng)相干時(shí)間。國(guó)產(chǎn)化替代保障量子科技供應(yīng)鏈安全量子技術(shù)屬于國(guó)家戰(zhàn)略科技力量，其**裝備的自主可控至關(guān)重要。杭州國(guó)磊（Guolei）作為國(guó)產(chǎn)**ATE廠商，其GT600系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)對(duì)國(guó)際同類設(shè)備（如Advantest、Teradyne）部分功能的替代。在量子科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)構(gòu)建本土化測(cè)控生態(tài)時(shí)，采用國(guó)產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)可降低技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn)，加速?gòu)膶?shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。雖然杭州國(guó)磊（Guolei）GT600并非直接用于測(cè)量量子態(tài)或操控量子比特，但作為支撐量子系統(tǒng)“經(jīng)典側(cè)”電子學(xué)的**測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施，它在量子芯片外圍電路驗(yàn)證、控制SoC量產(chǎn)、供應(yīng)鏈安全等方面具有不可替代的價(jià)值。未來(lái)，隨著“量子-經(jīng)典混合系統(tǒng)”復(fù)雜度提升，高性能SoC測(cè)試設(shè)備與量子科技的耦合將更加緊密。因此，杭州國(guó)磊的SoC測(cè)試系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利器，也正在成為量子科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的一塊關(guān)鍵拼圖。

    車規(guī)級(jí)MEMS傳感器包括用于ESP車身穩(wěn)定系統(tǒng)的高g加速度計(jì)、發(fā)動(dòng)機(jī)歧管壓力傳感器等，需滿足AEC-Q100認(rèn)證。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：支持-40℃~125℃環(huán)境應(yīng)力測(cè)試（通過(guò)GPIB/TTL對(duì)接溫箱）；高可靠性測(cè)試流程（如HAST、HTOL前后的參數(shù)對(duì)比）；數(shù)據(jù)自動(dòng)記錄為STDF格式，便于車廠追溯與良率分析；每引腳PPMU檢測(cè)早期失效（如漏電流異常）。生物醫(yī)療MEMS如植入式壓力傳感器、微流控芯片控制器，對(duì)低功耗與長(zhǎng)期穩(wěn)定性要求極高。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量（PPMU）；**噪聲激勵(lì)與采集，避免干擾生物信號(hào)；支持長(zhǎng)期老化測(cè)試中的周期性參數(shù)回讀。杭州國(guó)磊（Guolei）SoC測(cè)試系統(tǒng)不直接測(cè)試MEMS的機(jī)械或物理特性（如諧振頻率、Q值、位移等），但***覆蓋MEMS產(chǎn)品中不可或缺的電子控制與信號(hào)處理部分——即配套ASIC/SoC的功能、性能與可靠性驗(yàn)證。在消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和新興智能硬件領(lǐng)域，杭州國(guó)磊（Guolei）GT600已成為國(guó)產(chǎn)MEMS廠商實(shí)現(xiàn)高精度、高效率、低成本、自主可控測(cè)試的重要平臺(tái)，有力支撐中國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)鏈從“制造”向“智造”升級(jí)。 電壓上升速度快，100V只需2毫秒！

集成PPMU與動(dòng)態(tài)電流監(jiān)測(cè)——賦能“每瓦特算力”優(yōu)化 背景：AI芯片能效比（Performance per Watt）成為核心競(jìng)爭(zhēng)力，尤其在數(shù)據(jù)中心“雙碳”目標(biāo)下。每通道集成PPMU，支持nA級(jí)靜態(tài)電流與A級(jí)動(dòng)態(tài)電流測(cè)量； 可捕獲微秒級(jí)浪涌電流（Inrush Current）與電壓塌陷（Voltage Droop）； 支持FVMI/FIMV等模式，繪制功耗-性能曲線。幫助芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電源完整性（PI）與低功耗策略（如電源門控），打造高能效國(guó)產(chǎn)AI芯片。512 Sites并行測(cè)試架構(gòu)——降低量產(chǎn)成本，搶占市場(chǎng)先機(jī)。AI芯片年出貨量動(dòng)輒百萬(wàn)級(jí)，測(cè)試成本直接影響產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，使單顆芯片測(cè)試成本降低70%以上，測(cè)試效率呈指數(shù)級(jí)提升。為國(guó)產(chǎn)AI芯片大規(guī)模量產(chǎn)提供“超級(jí)測(cè)試流水線”，實(shí)現(xiàn)“測(cè)得快、賣得起、用得穩(wěn)”。開(kāi)放軟件生態(tài)（GTFY + C++ + Visual Studio）——加速AI芯片創(chuàng)新迭代 背景：AI架構(gòu)快速演進(jìn)（如存算一體、類腦計(jì)算），需高度靈活的測(cè)試平臺(tái)。開(kāi)放編程環(huán)境支持自定義測(cè)試邏輯，高校與企業(yè)可快速開(kāi)發(fā)新型測(cè)試方案。不僅是量產(chǎn)工具，更是科研創(chuàng)新的“開(kāi)放實(shí)驗(yàn)臺(tái)”，推動(dòng)中國(guó)AI芯片從“跟隨”走向“**”。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行電源門控測(cè)試即驗(yàn)證PowerGating開(kāi)關(guān)的漏電控制效果。紹興CAF測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

國(guó)磊GT600的128M向量存儲(chǔ)深度可記錄長(zhǎng)時(shí)間功耗波形，用于分析AI推理、傳感器喚醒等突發(fā)任務(wù)的能耗曲線。江蘇導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

國(guó)磊（Guolei）的SoC測(cè)試機(jī)（如GT600）雖然主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試，但其技術(shù)能力與MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊（包含機(jī)械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等），但在實(shí)際應(yīng)用中，絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝（如慣性測(cè)量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等），而這些配套電路的測(cè)試正是國(guó)磊SoC測(cè)試機(jī)的**應(yīng)用場(chǎng)景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測(cè)試需求，現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如，加速度計(jì)/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量，而配套的ASIC則完成信號(hào)調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和數(shù)字接口輸出。這類ASIC往往具備高精度模擬前端（如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC）、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口，屬于典型的混合信號(hào)SoC。 國(guó)磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測(cè)量單元及TMU時(shí)間測(cè)量功能，可***驗(yàn)證此類MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時(shí)序響應(yīng)和電源抑制比，確保傳感器整體精度與可靠性。江蘇導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)