國(guó)磊(Guolei)的SoC測(cè)試機(jī)(如GT600)雖然主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試,但其技術(shù)能力與MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊(包含機(jī)械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等),但在實(shí)際應(yīng)用中,絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝(如慣性測(cè)量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等),而這些配套電路的測(cè)試正是國(guó)磊SoC測(cè)試機(jī)的**應(yīng)用場(chǎng)景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測(cè)試需求,現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在,通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如,加速度計(jì)/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量,而配套的ASIC則完成信號(hào)調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和數(shù)字接口輸出。這類(lèi)ASIC往往具備高精度模擬前端(如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC)、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口,屬于典型的混合信號(hào)SoC。 國(guó)磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測(cè)量單元及TMU時(shí)間測(cè)量功能,可***驗(yàn)證此類(lèi)MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時(shí)序響應(yīng)和電源抑制比,確保傳感器整體精度與可靠性。國(guó)磊GT600的高精度參數(shù)測(cè)量能力、靈活的電源管理測(cè)試支持、低功耗信號(hào)檢測(cè)精度適配現(xiàn)代低功耗SoC設(shè)計(jì)需求。南京PCB測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)

杭州國(guó)磊(Guolei)的GT600SoC測(cè)試系統(tǒng)本質(zhì)上是一款面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)量產(chǎn)與工程驗(yàn)證的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE),其**能力聚焦于高精度數(shù)字、模擬及混合信號(hào)測(cè)試。雖然該設(shè)備本身并非為量子計(jì)算設(shè)計(jì),但在當(dāng)前科技融合加速發(fā)展的背景下,杭州國(guó)磊(Guolei)SoC測(cè)試系統(tǒng)確實(shí)可以在特定環(huán)節(jié)與量子科技產(chǎn)生間接但重要的聯(lián)系。量子芯片控制與讀出電路的測(cè)試需求目前實(shí)用化的量子處理器(如超導(dǎo)量子比特、硅基自旋量子比特)本身無(wú)法**工作,必須依賴(lài)大量經(jīng)典控制電子學(xué)模塊——包括高速任意波形發(fā)生器(AWG)、低噪聲放大器、高精度數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換器(DAC/ADC)以及低溫CMOS讀出電路。這些**控制芯片多為定制化SoC或ASIC,需在極端條件下(如低溫、低噪聲)進(jìn)行功能與參數(shù)驗(yàn)證。GT600配備的高精度AWG板卡(THD達(dá)-122dB)、24位混合信號(hào)測(cè)試能力及GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元(10ps分辨率),恰好可用于驗(yàn)證這類(lèi)量子控制芯片的信號(hào)保真度、時(shí)序同步性與電源完整性,從而間接支撐量子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。 長(zhǎng)沙CAF測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家每通道測(cè)試時(shí)間<15ms,256通道全測(cè)不超過(guò)60秒,高效節(jié)能。

低功耗SoC在先進(jìn)工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時(shí)序窗口,以及混合信號(hào)模塊(如PLL、ADC、LDO)的高精度驗(yàn)證要求。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備往往難以滿足這些需求,尤其是在靜態(tài)電流(IDDQ)、電壓裕量測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量上。此時(shí),國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的價(jià)值凸顯。GT600支持每通道PPMU(ParametricPinMonitorUnit),可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量,**捕捉先進(jìn)工藝下SoC的漏電異常,確保低功耗模式(Sleep/DeepSleep)的有效性。其可選配的高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力,可用于DVFS電壓切換測(cè)試與電源域上電時(shí)序驗(yàn)證。
MEMS麥克風(fēng)消費(fèi)電子中***采用的數(shù)字/模擬MEMS麥克風(fēng),內(nèi)部包含聲學(xué)傳感MEMS結(jié)構(gòu)與低噪聲前置放大器ASIC。關(guān)鍵指標(biāo)包括靈敏度、信噪比(SNR)、總諧波失真(THD)和AOP(聲學(xué)過(guò)載點(diǎn))。杭州國(guó)磊(Guolei)支持點(diǎn):GT-AWGLP02AWG板卡生成純凈1kHz正弦激勵(lì)(THD<-122dB);高分辨率Digitizer采集輸出信號(hào),計(jì)算SNR與THD;支持I2S/PDM等數(shù)字音頻接口協(xié)議測(cè)試;可進(jìn)行多顆麥克風(fēng)并行測(cè)試(512Sites),滿足手機(jī)廠商大批量需求。壓力傳感器(氣壓/差壓/***壓力)用于可穿戴健康監(jiān)測(cè)(如血氧估算)、汽車(chē)胎壓監(jiān)測(cè)(TPMS)、工業(yè)過(guò)程控制等。其ASIC需處理pF級(jí)電容變化,并具備溫度補(bǔ)償與校準(zhǔn)功能。杭州國(guó)磊(Guolei)支持點(diǎn):PPMU施加精確偏置電壓并測(cè)量微安級(jí)工作電流;AWG模擬不同壓力對(duì)應(yīng)的電容激勵(lì)信號(hào);Digitizer采集校準(zhǔn)后數(shù)字輸出(如I2C讀數(shù)),驗(yàn)證線性度與零點(diǎn)漂移;支持高低溫環(huán)境下的參數(shù)漂移測(cè)試(配合溫控分選機(jī))。 國(guó)磊GT600多通道浮動(dòng)SMU設(shè)計(jì),支持多電源域模擬芯片(如多路電源管理IC)的單一電壓施加與電流監(jiān)測(cè)。

低溫CMOS芯片的常溫預(yù)篩與參數(shù)表征。許多用于量子計(jì)算的控制芯片需在毫開(kāi)爾文溫度下工作,但其制造仍基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。在封裝并送入稀釋制冷機(jī)前,必須通過(guò)常溫下的嚴(yán)格電性測(cè)試進(jìn)行預(yù)篩選。國(guó)磊(Guolei)GT600支持每引腳PPMU(參數(shù)測(cè)量單元)和可編程浮動(dòng)電源(-2.5V~7V),能精確測(cè)量微弱電流、漏電及閾值電壓漂移等關(guān)鍵參數(shù),有效剔除早期失效器件,避免昂貴的低溫測(cè)試資源浪費(fèi)。量子測(cè)控SoC的量產(chǎn)驗(yàn)證平臺(tái) 隨著量子計(jì)算機(jī)向百比特以上規(guī)模演進(jìn),集成化“量子測(cè)控SoC”成為趨勢(shì)(如Intel的Horse Ridge芯片)。這類(lèi)芯片集成了多通道微波信號(hào)調(diào)制、頻率合成、反饋控制等功能,結(jié)構(gòu)復(fù)雜度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行測(cè)試能力、128M向量深度及400MHz測(cè)試速率,完全可滿足此類(lèi)**SoC在工程驗(yàn)證與小批量量產(chǎn)階段的功能覆蓋與性能分bin需求。精密的電流檢測(cè)能力,實(shí)時(shí)捕捉微小電流變化。國(guó)產(chǎn)替代高阻測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)
國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可選配GT-TMUHA04板卡,提供10ps時(shí)間分辨率與0.1%測(cè)量精度,用于HBM接口時(shí)序?qū)R測(cè)試。南京PCB測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)
手機(jī)SoC的“全能考官” 現(xiàn)代手機(jī)SoC(如麒麟、澎湃)是高度集成的“微型超級(jí)計(jì)算機(jī)”,融合CPU、GPU、NPU、ISP、基帶等數(shù)十個(gè)模塊。杭州國(guó)磊GT600憑借512通道與16個(gè)通用插槽,可靈活配置數(shù)字、模擬、混合信號(hào)測(cè)試資源,實(shí)現(xiàn)“一機(jī)通測(cè)”。其高速數(shù)字通道驗(yàn)證CPU/GPU邏輯功能;可選AWG板卡生成圖像信號(hào),測(cè)試ISP的色彩還原與降噪能力;TMU精確測(cè)量基帶信號(hào)時(shí)序,保障5G通信穩(wěn)定。PPMU則檢測(cè)NPU待機(jī)功耗,確保AI功能“強(qiáng)勁且省電”。128M向量深度支持長(zhǎng)周期AI算法驗(yàn)證,避免測(cè)試中斷。杭州國(guó)磊GT600以“全功能、高精度、高效率”的測(cè)試能力,為國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC從研發(fā)到量產(chǎn)保駕護(hù)航,讓中國(guó)芯在**手機(jī)市場(chǎng)更具競(jìng)爭(zhēng)力。南京PCB測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)