GT600每通道集成PPMU，具備nA級(jí)電流分辨率。在電源門控測(cè)試中，將PPMU連接至被門控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門控信號(hào)（PG_EN）關(guān)閉后，測(cè)量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計(jì)預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時(shí)監(jiān)測(cè)主電源域與被門控電源域的電流。測(cè)試時(shí)，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門控信號(hào)，通過對(duì)比門控前后該域電流的變化，精確提取**由門控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動(dòng)（通過探針臺(tái)接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測(cè)試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測(cè)量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過GTFY軟件系統(tǒng)編寫C++腳本，可自動(dòng)化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門控；延時(shí)穩(wěn)定（如10ms）；啟動(dòng)PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測(cè)試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。國磊GT600憑高精度參數(shù)測(cè)量、多域電源控制與可編程軟件平臺(tái)，支持從90nm到7nm主流工藝節(jié)點(diǎn)電源門控測(cè)試。高性能導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

隨著智能手機(jī)進(jìn)入AI時(shí)代，SoC的競(jìng)爭(zhēng)已從單一CPU性能轉(zhuǎn)向“CPU+GPU+NPU”三位一體的綜合算力比拼。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，天璣9000系列憑借在AI能力上的前瞻布局，2024年出貨量同比增長(zhǎng)60%，預(yù)計(jì)2025年將再翻一番。這一成就的背后，不**是架構(gòu)設(shè)計(jì)的**，更是對(duì)NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元）和AI工作負(fù)載深度優(yōu)化的結(jié)果。而這類高度集成的AISoC，對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了前所未有的挑戰(zhàn)：高引腳數(shù)、多電源域、復(fù)雜時(shí)序、低功耗模式、混合信號(hào)模塊等，均需在量產(chǎn)前完成**驗(yàn)證。國磊GT600測(cè)試機(jī)正是為此類**手機(jī)SoC量身打造的測(cè)試平臺(tái)，具備從功能到參數(shù)、從數(shù)字到模擬的全棧測(cè)試能力。吉安CAF測(cè)試系統(tǒng)參考價(jià)國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過加載Pattern，驗(yàn)證SoC邏輯（如CPU、NPU、DSP）的功能正確性與邏輯測(cè)試及向量測(cè)試。

AISoC的NPU模塊不**需要功能驗(yàn)證，更需精確的參數(shù)測(cè)試與功耗評(píng)估。國磊GT600測(cè)試機(jī)配備每通道PPMU，可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流（IDDQ）測(cè)量，**識(shí)別AI芯片在待機(jī)、低功耗模式下的漏電異常。其可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，支持多電源域**供電與電流監(jiān)測(cè)，用于驗(yàn)證DVFS（動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)）和電源門控（PowerGating）策略的有效性。此外，國磊GT600測(cè)試機(jī)的GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元提供10ps分辨率，可精確測(cè)量NPU喚醒延遲、中斷響應(yīng)時(shí)間等關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，確保AI任務(wù)的實(shí)時(shí)性與響應(yīng)速度。

支持復(fù)雜測(cè)試向量導(dǎo)入，加速算法驗(yàn)證閉環(huán) 智能駕駛芯片的**價(jià)值在于其內(nèi)置的AI推理引擎能否準(zhǔn)確執(zhí)行感知與決策算法。杭州國磊GT600支持從其他測(cè)試平臺(tái)導(dǎo)入測(cè)試程序與向量，并兼容STDF、CSV、Excel等多種數(shù)據(jù)格式，便于將仿真環(huán)境中的算法測(cè)試用例直接轉(zhuǎn)化為ATE（自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）可執(zhí)行的測(cè)試向量。例如，可在GT600上加載真實(shí)道路場(chǎng)景下的圖像識(shí)別或目標(biāo)檢測(cè)激勵(lì)序列，驗(yàn)證NPU在極限負(fù)載下的響應(yīng)正確性與時(shí)延表現(xiàn)，從而構(gòu)建“算法—芯片—測(cè)試”一體化驗(yàn)證閉環(huán)。精確的閾值判定，及時(shí)報(bào)警，有效保護(hù)您的樣品。

智能汽車芯片的“安全衛(wèi)士” 隨著比亞迪、蔚來、小鵬等車企加速自研芯片，車規(guī)級(jí)MCU、功率半導(dǎo)體需求激增。這些芯片必須通過AEC-Q100等嚴(yán)苛認(rèn)證，確保在-40℃~150℃極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行十年以上。杭州國磊GT600憑借每通道PPMU，可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電，從源頭剔除“體質(zhì)虛弱”的芯片。其浮動(dòng)SMU電源板卡可模擬車載12V/24V供電系統(tǒng)，驗(yàn)證電源管理單元在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性，防止“掉電重啟”或“邏輯錯(cuò)亂”。杭州國磊GT600還支持高溫老化測(cè)試（Burn-in）接口，配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行早期失效篩選，大幅提升車載芯片的長(zhǎng)期可靠性。在“安全至上”的汽車電子領(lǐng)域，杭州國磊GT600以“微電流級(jí)檢測(cè)+真實(shí)工況模擬”，為每一程出行筑起安全防線。國磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持多種面向復(fù)雜SoC的具體測(cè)試流程，涵蓋從基本功能驗(yàn)證到高精度參數(shù)測(cè)量的完整鏈條。吉安CAF測(cè)試系統(tǒng)參考價(jià)

多通道分組測(cè)試，支持64/128/256可選配置，大幅提升檢測(cè)效率。高性能導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家

    測(cè)試數(shù)據(jù)閉環(huán)助力量子芯片協(xié)同優(yōu)化，杭州國磊（Guolei）GT600支持STDF、CSV等格式輸出，并具備數(shù)據(jù)分析與圖形化顯示功能。這些測(cè)試數(shù)據(jù)可與量子芯片的設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)聯(lián)動(dòng)，形成“測(cè)試—反饋—優(yōu)化”閉環(huán)。例如，若某批次控制芯片的相位噪聲超標(biāo)，可反向指導(dǎo)量子比特布局或?yàn)V波器設(shè)計(jì)，提升整體系統(tǒng)相干時(shí)間。國產(chǎn)化替代保障量子科技供應(yīng)鏈安全量子技術(shù)屬于國家戰(zhàn)略科技力量，其**裝備的自主可控至關(guān)重要。杭州國磊（Guolei）作為國產(chǎn)**ATE廠商，其GT600系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)對(duì)國際同類設(shè)備（如Advantest、Teradyne）部分功能的替代。在量子科研機(jī)構(gòu)或企業(yè)構(gòu)建本土化測(cè)控生態(tài)時(shí)，采用國產(chǎn)測(cè)試平臺(tái)可降低技術(shù)封鎖風(fēng)險(xiǎn)，加速從實(shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化。雖然杭州國磊（Guolei）GT600并非直接用于測(cè)量量子態(tài)或操控量子比特，但作為支撐量子系統(tǒng)“經(jīng)典側(cè)”電子學(xué)的**測(cè)試基礎(chǔ)設(shè)施，它在量子芯片外圍電路驗(yàn)證、控制SoC量產(chǎn)、供應(yīng)鏈安全等方面具有不可替代的價(jià)值。未來，隨著“量子-經(jīng)典混合系統(tǒng)”復(fù)雜度提升，高性能SoC測(cè)試設(shè)備與量子科技的耦合將更加緊密。因此，杭州國磊的SoC測(cè)試系統(tǒng)不僅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的利器，也正在成為量子科技產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的一塊關(guān)鍵拼圖。 高性能導(dǎo)電陽極絲測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家