也不能在回收結(jié)束后對(duì)裝置內(nèi)部進(jìn)行清理的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,包括裝置主體,所述裝置主體內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板,所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板,所述承載板上端表面放置有電解池,所述電解池內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜,所述裝置主體上端表面靠近右側(cè)安裝有進(jìn)液漏斗,所述進(jìn)液漏斗上設(shè)置有過(guò)濾網(wǎng),所述裝置主體內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進(jìn)液管,所述進(jìn)液管左端連接有伸縮管,所述伸縮管下端安裝有噴頭,所述裝置主體上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸,所述液壓缸下端安裝有伸縮桿,所述伸縮桿下端固定安裝有圓環(huán)塊,所述圓環(huán)塊與噴頭之間固定連接有連接桿,所述分隔板右端表面靠近上端固定安裝有增壓泵,所述增壓泵下端與電解池之間連接有回流管,所述增壓泵上端與進(jìn)液管之間連接有一號(hào)排液管,所述回流管內(nèi)部左端設(shè)置有一號(hào)電磁閥,所述裝置主體左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵,所述抽氣泵下方設(shè)置有集氣箱,所述集氣箱與抽氣泵之間連接有排氣管,所述電解池下端連接有二號(hào)排液管,所述二號(hào)排液管內(nèi)部上端設(shè)置有二號(hào)電磁閥,所述裝置主體內(nèi)部底端靠近左側(cè)設(shè)置有傾斜板。BOE蝕刻液推薦蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。深圳格林達(dá)蝕刻液生產(chǎn)

etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式本發(fā)明人確認(rèn)了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿(mǎn)足特定參數(shù)值時(shí)能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化,從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中,蝕刻對(duì)象膜可以為氮化物膜,保護(hù)對(duì)象膜可以為氧化物膜。此外,本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。<蝕刻液組合物>具體而言,本發(fā)明可以包含磷酸、添加劑和水,上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。本發(fā)明的上述添加劑的特征在于,使上述添加劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量之后乘以(參照以下數(shù)學(xué)式)滿(mǎn)足。本發(fā)明中,各添加劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量和添加劑的水解(hydrolysis)了的形態(tài)的分子量的例子示于表3中。此外,由此計(jì)算的各添加劑的aeff值和與此有關(guān)的蝕刻程度的例示示于表2中。參照上述結(jié)果,可以確認(rèn)到上述添加劑的aeff值推薦滿(mǎn)足。揚(yáng)州京東方用的蝕刻液蝕刻液供應(yīng)商「博洋化學(xué)」專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)蝕刻液廠(chǎng)家,提供一站式服務(wù)蝕刻液歡迎咨詢(xún).

如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter,mm)。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中宣泄孔為千鳥(niǎo)排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態(tài)樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中宣泄孔具有一***壁面,以及一第二壁面,且第二擋板具有一下表面,當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí),***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí),宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí),宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu),其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí),宣泄孔由第二擋板的下表面朝向上表面的方向漸縮。此外,為了達(dá)到上述的實(shí)施目的,本實(shí)用新型另提出一種蝕刻設(shè)備,設(shè)置于一濕式蝕刻機(jī)的一槽體內(nèi),蝕刻設(shè)備至少包括有一如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)、一基板、一輸送裝置,以及一風(fēng)刀裝置;基板設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的下方;輸送裝置設(shè)置于基板的下方,輸送裝置包括有至少一滾輪,其中滾輪與基板接觸以運(yùn)行基板;風(fēng)刀裝置設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的一端部,風(fēng)刀裝置包括有一設(shè)置于基板上方的***風(fēng)刀。
蝕刻液也可含有α-羥基羧酸和/或其鹽。α-羥基羧酸及其鹽具有作為鈦的絡(luò)合劑的效果,可抑制蝕刻液中產(chǎn)生鈦的沉淀。作為所述α-羥基羧酸,例如可舉出酒石酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸等。α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度并無(wú)特別限制,從絡(luò)合效果及溶解性的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看,推薦為%至5重量%,更推薦為%至2重量%。另外,蝕刻液也可含有亞硫酸及/或其鹽。亞硫酸及其鹽具有作為還原劑的效果,可提高鈦的蝕刻速度。亞硫酸和/或其鹽的濃度并無(wú)特別限制,從還原性及臭氣的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看,推薦為%至%,更推薦為%至%。蝕刻液中除了上述的成分以外,也能以不妨礙本發(fā)明效果的程度添加其他成分。作為其他成分,例如可舉出表面活性劑、成分穩(wěn)定劑及消泡劑等。蝕刻液可通過(guò)使所述各成分溶解于水中而容易地制備。作為所述水,推薦為將離子性物質(zhì)及雜質(zhì)除去的水,例如推薦為離子交換水、純水、超純水等。蝕刻液可在使用時(shí)將各成分以成為預(yù)定濃度的方式調(diào)配,也可預(yù)先制備濃縮液并在即將使用之前稀釋而使用。使用本發(fā)明的蝕刻液的鈦的蝕刻方法并無(wú)特別限制,例如可舉出:對(duì)含有銅及鈦的對(duì)象物涂布或噴霧蝕刻液的方法;將含有銅及鈦的對(duì)象物浸漬在蝕刻液中的方法等。處理溫度并無(wú)特別限制。京東方用的哪家的蝕刻液?

近年來(lái),oled顯示器廣泛應(yīng)用于手機(jī)和平板顯示。金屬銀以?xún)?yōu)異的電導(dǎo)率和載流子遷移率被廣泛應(yīng)用于oled顯示器的陽(yáng)極布線(xiàn)(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中。為了對(duì)此進(jìn)行蝕刻,目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna)。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀,但在實(shí)際使用過(guò)程中仍會(huì)存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問(wèn)題。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過(guò)程中存在少量的銀殘留、銀再吸附沉積問(wèn)題。5.本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題的:6.一種銀蝕刻液組合物,其成分由質(zhì)量占比為40-60%磷酸、2-10%硝酸、%有機(jī)酸、%硝酸鹽、%含氮元素有機(jī)物、其余為水組成。蘇州博洋化學(xué)股份有限公司歡迎新老朋友咨詢(xún)。安徽格林達(dá)蝕刻液私人定做
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該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等,且該上孔徑a1小于該下孔徑a2,或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮,以維持毛細(xì)現(xiàn)象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題。當(dāng)該風(fēng)刀裝置40的***風(fēng)刀41與該第二風(fēng)刀42為了減少該基板(本圖式未標(biāo)示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時(shí),該氣體43碰到該擋液板結(jié)構(gòu)10后部分會(huì)往該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121流動(dòng),并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示),除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現(xiàn)象,亦可達(dá)到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問(wèn)題;為了必須避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問(wèn)題,故該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小,例如:孔徑a0小于3mm,即可因毛細(xì)現(xiàn)象的作用,亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內(nèi)的夾角θ等于該水滴與該第二擋板12的該上表面123所夾的接觸角θ4,而達(dá)到防止位于該第二擋板12上表面的藥液51水滴經(jīng)由該復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔121滴下至該基板20上(如圖12所示)。另請(qǐng)參閱圖13所示,為本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備的蝕刻方法的步驟流程圖,其中本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備的蝕刻方法主要包括有下列步驟。深圳格林達(dá)蝕刻液生產(chǎn)