在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn),完全滿足汽車電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂(lè)和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場(chǎng)景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻,可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌,為激光驅(qū)動(dòng)器、雷達(dá)調(diào)制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲(chǔ)和釋放功能。采用端電極銀鈀合金鍍層,實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的可焊性同時(shí)有效抑制硫化現(xiàn)象的發(fā)生。116ZCC560M100TT

ATC芯片電容的耐壓能力非常突出,能夠承受較高的工作電壓(如200VDC或更高),確保電路的安全運(yùn)行。其介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化,提供了高擊穿電壓和低泄漏電流,避免了在高電壓應(yīng)用中的失效風(fēng)險(xiǎn)。這種高耐壓特性使得它在電源管理、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域中成為理想選擇,尤其是在需要高可靠性和安全性的場(chǎng)景中。溫度穩(wěn)定性是ATC芯片電容的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一。其采用的材料和工藝確保了在寬溫范圍內(nèi)(如-55℃至+125℃)容值變化極小,例如C0G/NP0介質(zhì)的電容溫度系數(shù)可低至±30ppm/℃。這種特性使得它在極端環(huán)境(如汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙或航空航天設(shè)備)中仍能保持穩(wěn)定性能,避免了因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的電路故障100E130KW3600X在光模塊中提供優(yōu)異的高速信號(hào)完整性,降低誤碼率。

在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中,ATC芯片電容的高精度和穩(wěn)定性確保了匹配的準(zhǔn)確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境友好設(shè)計(jì),使得ATC芯片電容適用于全球市場(chǎng)的電子產(chǎn)品,滿足了環(huán)保法規(guī)和可持續(xù)發(fā)展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,其高穩(wěn)定性和低損耗特性確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院托?。在醫(yī)療設(shè)備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設(shè)備和體外診斷設(shè)備,確保了患者安全和設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
產(chǎn)品系列中包括具有三明治結(jié)構(gòu)及定制化電極設(shè)計(jì)的型號(hào),可實(shí)現(xiàn)極低的ESL和ESR,用于高速數(shù)字電路的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中能有效抑制同步開關(guān)噪聲,提升處理器和FPGA的運(yùn)行穩(wěn)定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級(jí)ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足低地球軌道和深空探測(cè)任務(wù)的需求,適用于衛(wèi)星有效載荷、航天器控制系統(tǒng)及核電站電子設(shè)備。其端電極采用可焊性優(yōu)異的鍍層結(jié)構(gòu),與SnAgCu等無(wú)鉛焊料兼容性好,在回流焊和波峰焊過(guò)程中不易產(chǎn)生虛焊或冷焊,提高了生產(chǎn)直通率和長(zhǎng)期連接可靠性。通過(guò)調(diào)整介質(zhì)配方和燒結(jié)工藝,ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容,用于溫度補(bǔ)償電路和傳感器中的線性校正元件,實(shí)現(xiàn)環(huán)境溫度變化的自適應(yīng)補(bǔ)償。符合AEC-Q200汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn),耐振動(dòng)、抗沖擊,適合車載電子。

在微型化方面,ATC芯片電容同樣帶領(lǐng)技術(shù)潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封裝,滿足了現(xiàn)代消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、微型傳感器及高級(jí)SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)對(duì)PCB空間很好的追求。盡管體積微小,但ATC通過(guò)先進(jìn)的流延成型和共燒技術(shù),確保了內(nèi)部多層介質(zhì)與電極結(jié)構(gòu)的完整性與可靠性,避免了因尺寸縮小而導(dǎo)致的性能妥協(xié)。這種“小而強(qiáng)”的特性,為高密度集成電路設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活性,在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容,這對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。通過(guò)MIL-STD-883加速度測(cè)試,在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。600F510JT250T
寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定容值特性,適合寬帶射頻系統(tǒng)應(yīng)用。116ZCC560M100TT
優(yōu)化的電極邊緣設(shè)計(jì)是ATC減少寄生參數(shù)、提升高頻性能的又一細(xì)節(jié)。通過(guò)特殊的電極幾何形狀設(shè)計(jì)和邊緣場(chǎng)控制技術(shù),ATC有效降低了電極末端的場(chǎng)強(qiáng)集中和邊緣效應(yīng),從而進(jìn)一步減少了ESL和ESR,并提高了電容的耐壓能力。這種對(duì)細(xì)節(jié)的追求,構(gòu)成了ATC高性能的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。很好的焊接工藝兼容性使得ATC芯片電容能夠完美融入現(xiàn)代SMT生產(chǎn)線。其端電極采用多層結(jié)構(gòu)(如鎳屏障層和錫焊接層),可承受無(wú)鉛回流焊的高溫(峰值溫度260°C),具有良好的可焊性和耐焊性,避免了立碑、虛焊等缺陷。同時(shí),其抗熱震性能優(yōu)異,能承受焊接過(guò)程中的快速溫度變化,確保高良品率。在高功率雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中,ATC電容承擔(dān)著儲(chǔ)能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其高耐壓能力允許存儲(chǔ)高能量,低ESR確保了在極短時(shí)間內(nèi)(微秒或納秒級(jí))能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小。這種高性能是雷達(dá)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離、高分辨率探測(cè)的基礎(chǔ)。116ZCC560M100TT
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