Dalicap電容的封裝工藝極其考究，采用氣密性陶瓷封裝，確保了元件在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。這種封裝不僅提供了極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力（可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊），還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能，適用于高濕、高鹽霧等苛刻環(huán)境，延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)表現(xiàn)在5G通信基站領(lǐng)域，Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的AAU（有源天線單元）和BBU（基帶處理單元）提供瞬時(shí)的大電流響應(yīng)，有效抑制電源噪聲和紋波，為高速SerDes和DSP芯片提供穩(wěn)定潔凈的電源，是維持高信噪比（SNR）和低誤碼率（BER）的基石。為家用電器提供安全、穩(wěn)定、長(zhǎng)壽命的電容解決方案。DLC70B272FW101XT

產(chǎn)品具備出色的高頻特性，其損耗角正切值（Dissipation Factor, DF）低于0.1%至2.5%，在高頻范圍內(nèi)仍能保持低能耗和高效率。這一特性在5G基站、雷達(dá)系統(tǒng)和高速通信設(shè)備中尤為重要，確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院驼w系統(tǒng)的能效，同時(shí)低損耗也意味著自身發(fā)熱少，避免了熱失控風(fēng)險(xiǎn)。Dalicap電容擁有很好的直流偏壓特性，其容值對(duì)施加的直流電壓敏感性極低。在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容，變化率通常小于5%。這一特性對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要，確保了電源環(huán)路在不同負(fù)載下的穩(wěn)定性，避免了因容值變化而引發(fā)的振蕩問(wèn)題。DLC75A560JW151NT提供小型化、高容值電容，滿足消費(fèi)電子緊湊空間需求。

在光通信模塊（如400G/800G光收發(fā)器）中，Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦，抑制了電源噪聲對(duì)高速信號(hào)的干擾。其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性，確保了射頻驅(qū)動(dòng)電路的性能，對(duì)于維持高信噪比和低誤碼率至關(guān)重要。Dalicap電容的無(wú)壓電效應(yīng)特性徹底消除了傳統(tǒng)II類陶瓷電容因電壓變化產(chǎn)生的振動(dòng)和嘯叫問(wèn)題。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的，不會(huì)在交流電壓作用下發(fā)生形變，適用于高保真音頻設(shè)備和敏感測(cè)量?jī)x器，提供了更純凈的信號(hào)處理能力。

Dalicap秉承 “重研發(fā)、重質(zhì)量”的經(jīng)營(yíng)理念，建立了完善的質(zhì)量管理體系，自主完成從關(guān)鍵材料研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝實(shí)現(xiàn)到設(shè)備保證和產(chǎn)品測(cè)試評(píng)估的全過(guò)程。公司率先在國(guó)內(nèi)建立了全制程高Q電容器生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)了研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的自主可控，可以根據(jù)客戶的不同需求提供工業(yè)級(jí)以及更高等級(jí)的產(chǎn)品。產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)峻的環(huán)境可靠性測(cè)試，包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗(yàn)和方法106的防潮試驗(yàn)，能夠承受高達(dá)20000g的機(jī)械沖擊和強(qiáng)烈的振動(dòng)。這種“級(jí)”的品質(zhì)，使其在關(guān)乎生命安全的醫(yī)療植入設(shè)備、關(guān)乎任務(wù)成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中，成為工程師們的優(yōu)先。樣品提供迅速，助力客戶加速研發(fā)和試產(chǎn)進(jìn)程。

公司產(chǎn)品遠(yuǎn)銷美國(guó)、日本、英國(guó)、法國(guó)、德國(guó)等40余個(gè)國(guó)家，服務(wù)千余家客戶，成為西門子醫(yī)療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫(yī)療、三星等全球有名企業(yè)的很好供應(yīng)商。這體現(xiàn)了其產(chǎn)品品質(zhì)得到了國(guó)際市場(chǎng)的寬泛認(rèn)可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現(xiàn)出高Q值（品質(zhì)因數(shù)）特性，通常在數(shù)千量級(jí)。這使得由其構(gòu)建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力，振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性，提升了系統(tǒng)整體性能。公司投入大量資源進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，其高Q值、射頻微波多層瓷介電容器項(xiàng)目獲第七屆中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國(guó)總決賽電子信息行業(yè)成長(zhǎng)組一等獎(jiǎng)，高Q/高功率型多層片式瓷介電容器關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目獲遼寧省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，彰顯了其技術(shù)實(shí)力。低ESR特性有效減少自身發(fā)熱，明顯提升電源轉(zhuǎn)換效率。DLC75B3R3BW501XT

持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新確保其產(chǎn)品性能處于行業(yè)頭部水平。DLC70B272FW101XT

Dalicap電容表現(xiàn)出的高溫性能。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達(dá)+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、渦輪增壓器附近等高溫區(qū)域，無(wú)需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。極低的電介質(zhì)吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模擬電路中表現(xiàn)出色。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”，會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%，遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容，這使其成為構(gòu)建高精度采樣保持電路（SHA）、積分器和精密ADC/DAC的理想選擇，有效避免了測(cè)量誤差。DLC70B272FW101XT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！