深圳市力恩科技有限公司2025-10-10

主要區(qū)別包括： 預(yù)取技術(shù)：DDR3采用8位預(yù)取(DDR2為4位) 工作電壓：DDR3為1.5V(標準)/1.35V(低電壓)，DDR2為1.8V 終端電阻：DDR3使用動態(tài)ODT(片上終端) 信號速率：DDR3可達1600Mbps以上 校準功能：DDR3增加了ZQ校準功能 測試要求：DDR3對抖動和時序要求更嚴格

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