物***相沉積金屬化工藝介紹物***相沉積(PVD)金屬化工藝,是在高真空環(huán)境下,將金屬源物質通過物理方法轉變?yōu)闅庀嘣踊蚍肿?,隨后沉積到陶瓷表面形成金屬化層。常見的PVD方法有蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜等。以蒸發(fā)鍍膜為例,其流程如下:先把陶瓷工件置于真空室內并進行清潔處理,確保表面無雜質。接著加熱金屬蒸發(fā)源,使金屬原子獲得足夠能量升華成氣態(tài)。這些氣態(tài)金屬原子在真空環(huán)境中沿直線運動,碰到陶瓷表面后沉積下來,逐漸形成連續(xù)的金屬薄膜。PVD工藝優(yōu)勢***,沉積的金屬膜與陶瓷基體結合力良好,膜層純度高、致密性強,能有效提升陶瓷的耐磨性、導電性等性能。該工藝在光學、裝飾等領域應用***,比如為陶瓷光學元件鍍上金屬膜以改善其光學特性;在陶瓷裝飾品表面鍍金屬層,增強美觀度與抗腐蝕性。3D 打印陶瓷經金屬化,可實現(xiàn)復雜結構導電、焊接功能,適配精密場景。銅陶瓷金屬化

同遠助力陶瓷金屬化突破行業(yè)瓶頸 陶瓷金屬化行業(yè)長期面臨鍍層附著力差、均勻性不足以及成本高等瓶頸問題,同遠表面處理積極尋求突破。針對附著力難題,通過創(chuàng)新的 “表面活化 - 納米錨定” 預處理技術,增加陶瓷表面粗糙度并植入納米鎳顆粒,明顯提升了鍍層附著力,解決了陶瓷與金屬結合不牢的問題。在鍍層均勻性方面,開發(fā)分區(qū)溫控電鍍系統(tǒng),依據(jù)陶瓷片不同區(qū)域特點,精細調控中心區(qū)(溫度 50±1℃)和邊緣區(qū)(溫度 55±1℃)溫度,并實時調整電流密度(0.8 - 1.2A/dm2),將整片鍍層厚度偏差控制在 ±0.1μm 內。成本控制上,通過優(yōu)化工藝、提高生產效率以及自主研發(fā)降低原材料依賴等方式,在保證產品質量的同時,降低了生產成本,為行業(yè)提供了更具性價比的陶瓷金屬化解決方案 。銅陶瓷金屬化陶瓷金屬化中心解決陶瓷與金屬熱膨脹系數(shù)差異,常以梯度材料過渡層緩解界面應力。

陶瓷金屬化是一種將陶瓷與金屬優(yōu)勢相結合的材料處理技術,給材料的性能和應用場景帶來了質的飛躍。從性能上看,陶瓷金屬化極大地提升了材料的實用性。陶瓷本身具有高硬度、耐磨損、耐高溫的特性,但其不導電的缺點限制了應用。金屬化后,陶瓷表面形成金屬薄膜,兼具了陶瓷的優(yōu)良性能與金屬的導電性,有效拓寬了使用范圍。例如,在電子領域,陶瓷金屬化基板憑借高絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和良好的散熱性,能迅速導出芯片產生的熱量,避免因過熱導致的性能下降,**提升了電子設備的穩(wěn)定性和可靠性。在連接與封裝方面,陶瓷金屬化發(fā)揮著關鍵作用。金屬化后的陶瓷可通過焊接、釬焊等方式與其他金屬部件連接,實現(xiàn)與金屬結構的無縫對接,顯著提高了連接的可靠性。在航空航天領域,陶瓷金屬化材料憑借低密度、**度以及良好的耐高溫性能,減輕了飛行器的重量,提升了發(fā)動機的熱效率和推重比,降低了能耗,為航空航天事業(yè)的發(fā)展提供了有力支持。此外,陶瓷金屬化降低了材料成本。相較于單一使用高性能金屬,陶瓷金屬化材料利用陶瓷的優(yōu)勢,減少了昂貴金屬的用量,在保證性能的同時,實現(xiàn)了成本的有效控制,因此在眾多領域得到了廣泛應用。
陶瓷金屬化的工藝流程包含多個關鍵步驟。首先是陶瓷的預處理環(huán)節(jié),使用打磨設備將陶瓷表面打磨平整,去除瑕疵,再通過超聲波清洗,利用酒精、等溶劑徹底清理表面雜質,為后續(xù)工藝奠定良好基礎。接著進行金屬化漿料的調配,按照特定配方將金屬粉末(如銀粉、銅粉)、玻璃料、添加劑等混合,通過球磨機充分研磨,制成流動性和穩(wěn)定性俱佳的漿料。然后采用絲網(wǎng)印刷或滴涂等方式,將金屬化漿料精細涂覆在陶瓷表面,嚴格把控漿料厚度和均勻性,一般涂層厚度在 15 - 30μm 。涂覆完成后,將陶瓷放入烘箱,在 100℃ - 180℃溫度下干燥,使?jié){料中的溶劑揮發(fā),初步固化在陶瓷表面。干燥后的陶瓷進入高溫燒結階段,置于高溫氫氣爐內,升溫至 1350℃ - 1550℃ ,在高溫和氫氣作用下,金屬與陶瓷發(fā)生反應,形成牢固的金屬化層。為進一步提升金屬化層性能,通常會進行鍍覆處理,如鍍鎳、鍍鉻等,通過電鍍工藝在金屬化層表面鍍上其他金屬。一次對金屬化后的陶瓷進行多方面檢測,借助顯微鏡觀察微觀結構,使用萬能材料試驗機測試結合強度等,確保產品質量達標 。陶瓷金屬化需嚴格前處理(如粗化、清洗),確保金屬層與陶瓷表面的附著力和可靠性。

同遠陶瓷金屬化在新興領域的潛力 隨著科技發(fā)展,新興領域對材料性能提出了更高要求,同遠表面處理的陶瓷金屬化技術在其中潛力巨大。在量子通信領域,陶瓷金屬化產品有望憑借其低介電損耗、高絕緣性與穩(wěn)定的導電性能,為量子信號傳輸提供穩(wěn)定、低干擾的環(huán)境,保障量子通信的準確性與高效性。在新能源汽車的電池管理系統(tǒng)中,同遠金屬化的陶瓷基板可利用其高導熱性快速導出電池產生的熱量,同時憑借良好的絕緣性確保系統(tǒng)安全運行,提高電池組的穩(wěn)定性與使用壽命。在航空航天的衛(wèi)星傳感器方面,同遠的陶瓷金屬化材料能承受極端溫度、輻射等惡劣太空環(huán)境,為傳感器穩(wěn)定工作提供可靠保障,助力衛(wèi)星更精細地收集數(shù)據(jù) 。陶瓷金屬化,助力 LED 封裝實現(xiàn)小尺寸大功率的優(yōu)勢突破。銅陶瓷金屬化
銅因延展性、導熱導電性優(yōu),成為功率電子器件陶瓷金屬化常用材料。銅陶瓷金屬化
同遠陶瓷金屬化在電子元件的應用 在電子元件領域,同遠表面處理的陶瓷金屬化技術應用廣闊且成果斐然。以陶瓷片鍍金工藝為例,為解決陶瓷高硬度、低韌性、表面惰性強導致傳統(tǒng)電鍍工藝難以有效結合的問題,同遠研發(fā)出特用工藝,滿足了傳感器、5G 通信模塊等高級電子元件需求。在 5G 基站光模塊項目中,同遠金屬化的陶瓷基板憑借低介電損耗,信號傳輸損耗低于 0.5dB,鍍層可靠性通過 - 40℃至 125℃高低溫循環(huán)測試(1000 次),助力客戶產品通過 Telcordia GR - 468 認證。在電子陶瓷元件方面,同遠通過對氧化鋁、氧化鋯等陶瓷基材進行金屬化處理,使元件既保持陶瓷高絕緣、低通訊損耗等特性,又獲得良好導電性,提升了電子元件在高頻電路中的信號傳輸穩(wěn)定性與可靠性 。銅陶瓷金屬化