國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運(yùn)動
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動智慧機(jī)器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認(rèn)證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機(jī)遇并存
同遠(yuǎn)陶瓷金屬化的工藝細(xì)節(jié) 同遠(yuǎn)表面處理在陶瓷金屬化工藝上極為精細(xì)。以陶瓷片鍍金工藝為例,首道工序為精密清洗,采用 40kHz 超聲波與 1MHz 兆聲波聯(lián)合作用,有效去除陶瓷表面殘留的燒結(jié)助劑如 SiO?、MgO 等,清洗后水膜持續(xù)時間≥30 秒,為后續(xù)工藝提供清潔表面。活化處理時,特制酸性活化液(pH1.5 - 2.0)在陶瓷表面生成羥基活性層,保障納米鎳顆粒能有效附著。預(yù)鍍鎳層選用氨基磺酸鎳體系,沉積 5 - 8μm 鎳層作為過渡,將鎳層硬度精細(xì)控制在 HV200 - 250,兼顧支撐強(qiáng)度與韌性。鍍金環(huán)節(jié)采用無氰金鹽體系(金含量 8 - 10g/L),運(yùn)用脈沖電鍍(占空比 30% - 50%)實現(xiàn) 0.5 - 3μm 金層的可控沉積,鍍層純度≥99.9%。完成鍍覆后,經(jīng)三級純水清洗(電導(dǎo)率≤10μS/cm)及 80℃、 - 0.09MPa 真空烘干,杜絕殘留雜質(zhì),多方面保障陶瓷金屬化產(chǎn)品質(zhì)量 。陶瓷金屬化可賦予陶瓷導(dǎo)電性、密封性,助力電子封裝等精密領(lǐng)域?;葜萏蓟佁沾山饘倩瘏?shù)

同遠(yuǎn)陶瓷金屬化服務(wù)客戶案例 同遠(yuǎn)表面處理憑借出色的陶瓷金屬化技術(shù),為眾多客戶提供了質(zhì)量服務(wù)。與華為合作,在 5G 通信模塊的陶瓷基板金屬化項目中,同遠(yuǎn)運(yùn)用其先進(jìn)的化鍍鎳鈀金工藝,確?;邋儗釉诟哳l信號傳輸下穩(wěn)定可靠,信號傳輸損耗極低,助力華為 5G 產(chǎn)品在性能上保持前面。在與邁瑞醫(yī)療的合作中,針對醫(yī)療壓力傳感器的氧化鋯陶瓷片鍍金需求,同遠(yuǎn)研發(fā)的特用鍍金工藝使陶瓷片在生理鹽霧環(huán)境下(37℃,5% NaCl)測試 1000 小時無腐蝕,信號漂移量<0.5%,滿足了醫(yī)療設(shè)備對高精度、高可靠性的嚴(yán)苛要求。這些成功案例彰顯了同遠(yuǎn)陶瓷金屬化技術(shù)在不同行業(yè)的強(qiáng)大適應(yīng)性與飛躍性能 ?;葜萏蓟佁沾山饘倩瘏?shù)陶瓷金屬化,使 96 白、93 黑氧化鋁陶瓷等實現(xiàn)與金屬的結(jié)合。

提高陶瓷金屬化的結(jié)合強(qiáng)度需從材料適配、工藝優(yōu)化、界面調(diào)控等多維度系統(tǒng)設(shè)計,重心是減少陶瓷與金屬的界面缺陷、增強(qiáng)原子間結(jié)合力,具體可通過以下關(guān)鍵方向?qū)崿F(xiàn): 一、精細(xì)匹配陶瓷與金屬的重心參數(shù) 1. 調(diào)控?zé)崤蛎浵禂?shù)(CTE)陶瓷(如氧化鋁、氮化鋁)與金屬(如鎢、鉬、Kovar 合金)的熱膨脹系數(shù)差異是界面開裂的主要誘因??赏ㄟ^兩種方式優(yōu)化:一是選用 CTE 接近的金屬材料(如氧化鋁陶瓷搭配鉬,氮化鋁搭配銅鎢合金);二是在金屬層中添加合金元素(如在銅中摻入少量鈦、鉻),或設(shè)計 “金屬過渡層”(如先沉積鉬層再覆銅),逐步緩沖熱膨脹差異,減少冷熱循環(huán)中的界面應(yīng)力。 2. 優(yōu)化陶瓷表面狀態(tài)陶瓷表面的雜質(zhì)、孔隙會直接削弱結(jié)合力,需預(yù)處理:①用超聲波清洗去除表面油污、粉塵,再通過等離子體刻蝕或砂紙打磨(800-1200 目)增加表面粗糙度,擴(kuò)大金屬與陶瓷的接觸面積;②對高純度陶瓷(如 99.6% 氧化鋁),可通過預(yù)氧化處理生成薄氧化層,為金屬原子提供更易結(jié)合的活性位點(diǎn)。
陶瓷金屬化的實現(xiàn)方法 實現(xiàn)陶瓷金屬化的方法多種多樣,各有千秋?;瘜W(xué)氣相沉積法(CVD)是在高溫環(huán)境下,讓金屬蒸汽與陶瓷表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),從而實現(xiàn)金屬與陶瓷的界面結(jié)合。比如在半導(dǎo)體工業(yè)里,通過 CVD 技術(shù)制備的硅基陶瓷金屬復(fù)合材料,熱導(dǎo)率顯著提高,在高速電子器件散熱方面大顯身手 。 溶膠 - 凝膠法是利用溶膠凝膠前驅(qū)體,在溶液中發(fā)生水解、縮聚反應(yīng),終形成陶瓷與金屬的復(fù)合體。這種方法在制備納米陶瓷金屬復(fù)合材料上獨(dú)具優(yōu)勢,像采用該方法制備的 SiO?/Al?O?陶瓷,強(qiáng)度和韌性都有所提升 。 等離子噴涂則是借助等離子體產(chǎn)生的熱量熔化金屬,將其噴射到陶瓷表面,進(jìn)而形成金屬陶瓷復(fù)合材料。在航空航天領(lǐng)域,航空發(fā)動機(jī)葉片的抗氧化涂層就常通過等離子噴涂技術(shù)制備,能有效提高葉片的使用壽命 。實際應(yīng)用中,會依據(jù)不同需求來挑選合適的方法 。陶瓷金屬化中心解決陶瓷與金屬熱膨脹系數(shù)差異,常以梯度材料過渡層緩解界面應(yīng)力。

陶瓷金屬化是一種將陶瓷與金屬優(yōu)勢相結(jié)合的材料處理技術(shù),給材料的性能和應(yīng)用場景帶來了質(zhì)的飛躍。從性能上看,陶瓷金屬化極大地提升了材料的實用性。陶瓷本身具有高硬度、耐磨損、耐高溫的特性,但其不導(dǎo)電的缺點(diǎn)限制了應(yīng)用。金屬化后,陶瓷表面形成金屬薄膜,兼具了陶瓷的優(yōu)良性能與金屬的導(dǎo)電性,有效拓寬了使用范圍。例如,在電子領(lǐng)域,陶瓷金屬化基板憑借高絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和良好的散熱性,能迅速導(dǎo)出芯片產(chǎn)生的熱量,避免因過熱導(dǎo)致的性能下降,**提升了電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。在連接與封裝方面,陶瓷金屬化發(fā)揮著關(guān)鍵作用。金屬化后的陶瓷可通過焊接、釬焊等方式與其他金屬部件連接,實現(xiàn)與金屬結(jié)構(gòu)的無縫對接,顯著提高了連接的可靠性。在航空航天領(lǐng)域,陶瓷金屬化材料憑借低密度、**度以及良好的耐高溫性能,減輕了飛行器的重量,提升了發(fā)動機(jī)的熱效率和推重比,降低了能耗,為航空航天事業(yè)的發(fā)展提供了有力支持。此外,陶瓷金屬化降低了材料成本。相較于單一使用高性能金屬,陶瓷金屬化材料利用陶瓷的優(yōu)勢,減少了昂貴金屬的用量,在保證性能的同時,實現(xiàn)了成本的有效控制,因此在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。陶瓷金屬化,憑借特殊工藝,改善陶瓷表面的物理化學(xué)性質(zhì)。陽江銅陶瓷金屬化類型
陶瓷金屬化,通過共燒、厚膜等方法,提升陶瓷的綜合性能?;葜萏蓟佁沾山饘倩瘏?shù)
陶瓷金屬化,即在陶瓷表面牢固粘附一層金屬薄膜,實現(xiàn)陶瓷與金屬焊接的技術(shù)。隨著科技發(fā)展,尤其是5G時代半導(dǎo)體芯片功率提升,對封裝散熱材料要求更嚴(yán)苛,陶瓷金屬化技術(shù)愈發(fā)重要。陶瓷材料本身具備諸多優(yōu)勢,如低通訊損耗,因其介電常數(shù)使信號損耗小;高熱導(dǎo)率,能讓芯片熱量直接傳導(dǎo),散熱佳;熱膨脹系數(shù)與芯片匹配,可避免溫差劇變時線路脫焊等問題;高結(jié)合力,像斯利通陶瓷電路板金屬層與陶瓷基板結(jié)合強(qiáng)度可達(dá)45MPa;高運(yùn)行溫度,可承受較大溫度波動,甚至在500-600度高溫下正常運(yùn)作;高電絕緣性,作為絕緣材料能承受高擊穿電壓?;葜萏蓟佁沾山饘倩瘏?shù)