TANAKA AuRoFUSE?在 LED 封裝領域的應用是了該技術重要成功的商業(yè)化案例之一。與傳統(tǒng)的引線鍵合方式不同，AuRoFUSE?采用面朝下（倒裝芯片）鍵合技術，能夠確保高散熱性，同時提升電器性能，更能進一步制造出模組大小的小型化產(chǎn)品。在高功率 LED 模組應用中，AuRoFUSE?展現(xiàn)出了獨特的技術優(yōu)勢。田中貴金屬工業(yè)與 S.E.I 公司合作開發(fā)的高功率 LED 模組采用了以 "AuRoFUSE?" 為接合材料的面朝下接合結構，能夠直接和金屬基板接合。這一技術突是決了傳統(tǒng) LED 封裝中的兩個關鍵問題：散熱性和熱膨脹匹配。高純度的燒結金膠，工藝兼容性強，降低能耗。哪里燒結金膠試驗

2013年12月起，田中貴金屬工業(yè)開始提供使用次微米級金粒子膏材"AuRoFUSE?"，通過高精密網(wǎng)版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的MEMS結構能夠通過簡單的印刷工藝實現(xiàn)，很好降低了制造成本和工藝復雜度。在MEMS代工制造領域，AuRoFUSE?技術也發(fā)揮著重要作用。田中貴金屬工業(yè)與MEMSCORE公司簽訂共同研發(fā)協(xié)議，針對次微米大小金粒子MEMS裝置的圖案形成技術展開技術合作，建立了從MEMS零件的試作到安裝的代工制造廠能力。這種合作模式為MEMS廠商提供了從材料研發(fā)到設備組裝的一站式解決方案。讓人某種燒結金膠銷售電話燒結金膠先進的，含亞微米金粒子，應用于 LED 封裝。

在第三代半導體器件應用中，AuRoFUSE?技術具有不可替代的優(yōu)勢。使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）的次世代功率半導體，操作溫度有超過 300℃的情形。如果使用金 - 錫類焊料接合，材料將會熔融，但使用 "AuRoFUSE?" 接合，即使在 300℃高溫下也能保持穩(wěn)定的接合性能。這一高溫穩(wěn)定性特性使得 AuRoFUSE?成為 SiC 和 GaN 功率器件封裝的理想選擇。隨著新能源汽車、5G 基站、工業(yè)自動化等領域對高效率功率器件需求的快速增長，能夠在高溫下穩(wěn)定工作的封裝材料變得越來越重要。

TANAKAAuRoFUSE?在傳感器和MEMS（微機電系統(tǒng)）領域的應用展現(xiàn)了該技術在精密制造領域的巨大潛力。產(chǎn)品在MEMS等氣密封裝應用中表現(xiàn)出色，這主要得益于其獨特的密封性能和熱壓工藝特性。在MEMS氣密封裝應用中，AuRoFUSE?技術具有獨特的優(yōu)勢。"AuRoFUSE?"膏材所形成的密封外框，經(jīng)熱壓（200℃、100MPa）使金粒子燒結體變形后，組織變得更加精密，從而實現(xiàn)高真空氣密封裝，氦氣泄漏率可達1.0×10^-13Pa?m3/s。這一極高的密封性能對于需要高真空環(huán)境的MEMS器件至關重要。66燒結金膠可靠的，在汽車電子中應用，無壓可燒結。

2013年12月起，田中貴金屬工業(yè)開始提供使用次微米級金粒子膏材"AuRoFUSE?"，通過高精密網(wǎng)版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的MEMS結構能夠通過簡單的印刷工藝實現(xiàn)，很好降低了制造成本和工藝復雜度。在MEMS代工制造領域，AuRoFUSE?技術也發(fā)揮著重要作用。田中貴金屬工業(yè)與MEMSCORE公司簽訂共同研發(fā)協(xié)議，針對次微米大小金粒子MEMS裝置的圖案形成技術展開技術合作，建立了從MEMS零件的試作到安裝的代工制造廠能力。這種合作模式為MEMS廠商提供了從材料研發(fā)到設備組裝的一站式解決方案。546低溫的燒結金膠，含亞微米金粒子，降低能耗。燒結金膠功效

低溫的燒結金膠，無壓可燒結，優(yōu)化光學性能。哪里燒結金膠試驗

TANAKA 燒結金膠技術的重要在于其獨特的亞微米級金粒子低溫燒結特性，通過精確控制金粒子的粒徑和燒結工藝，實現(xiàn)了在 200℃低溫條件下的金 - 金鍵合，同時保持了優(yōu)異的導電性和熱導性。與傳統(tǒng)的高溫焊接和有機粘結劑相比，這一技術不僅大幅降低了能耗和工藝復雜度，還作用提升了器件的可靠性和穩(wěn)定性。作為擁有 140 年歷史的貴金屬材料行業(yè)人員，田中貴金屬工業(yè)株式會社（TANAKA）憑借其在 AuRoFUSE?系列低溫燒結金膠技術上的突破性創(chuàng)新，為電子封裝行業(yè)帶來了前所未有的技術變革。哪里燒結金膠試驗