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無(wú)錫微原電子科技有限公司，一家在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域嶄露頭角的企業(yè)，以其創(chuàng)新的技術(shù)和***的產(chǎn)品質(zhì)量，正在穩(wěn)步地?cái)U(kuò)大其市場(chǎng)份額。公司致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售高性能的半導(dǎo)體器件，服務(wù)于全球范圍內(nèi)的電子產(chǎn)品制造企業(yè)。半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子設(shè)備的**組件，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。隨著科技的進(jìn)步和市場(chǎng)的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，尤其是在5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興技術(shù)領(lǐng)域的推動(dòng)下，半導(dǎo)體器件行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。 無(wú)錫微原電子科技有限公司緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，依托強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力，不斷推出符合市場(chǎng)需求的新產(chǎn)品。公司的產(chǎn)品線涵蓋了...

在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用。晶體二極管晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè)PN結(jié)。 在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕校纬煞蔷Ч?。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶態(tài)半導(dǎo)體的性能控制難，隨著技術(shù)的發(fā)明，非晶態(tài)半導(dǎo)體開(kāi)始使用。這一制作工序簡(jiǎn)單，主要用于工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運(yùn)用到太陽(yáng)能電池和液晶顯示屏中。 本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為...

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。 探索半導(dǎo)體器件的...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來(lái)負(fù)責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個(gè)方向上通過(guò)電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無(wú)線電接收器（礦石無(wú)線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲(chǔ)工具。據(jù)說(shuō)，使用了稱為“”的細(xì)金屬線的輕微接觸。無(wú)錫微原電子科技...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進(jìn)一步的提升，這就必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對(duì)冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，但是在技術(shù)上沒(méi)有升級(jí)，依然處于理論階段，沒(méi)有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)應(yīng)用需要予以提升。其三，半導(dǎo)體制冷技術(shù)對(duì)于其他領(lǐng)域以及相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用存在局限性，所以，半導(dǎo)體制冷技術(shù)使用很少，對(duì)于半導(dǎo)體制冷技術(shù)的研究沒(méi)有從應(yīng)用的角度出發(fā)，就難以在技術(shù)上擴(kuò)展。其四，市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)環(huán)境中，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體制冷技術(shù)要獲得發(fā)展，需要考慮多方面的問(wèn)題。重視半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用，還要考慮各種影響因素，使得該技術(shù)更好地發(fā)揮作用。在半...

新型半導(dǎo)體材料在工業(yè)方面的應(yīng)用越來(lái)越多。新型半導(dǎo)體材料表現(xiàn)為其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，擁有***的電學(xué)特性，而且成本低廉，可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中***使用，我國(guó)與其他國(guó)家相比在這方面還有著很大一部分的差距，通常會(huì)表現(xiàn)在對(duì)一些基本儀器的制作和加工上，近幾年來(lái)，國(guó)家很多的部門已經(jīng)針對(duì)我國(guó)相對(duì)于其他國(guó)家存在的弱勢(shì)，這一方面統(tǒng)一的組織了各個(gè)方面的群體，對(duì)其進(jìn)行有效的領(lǐng)導(dǎo)，然后共同努力去研制更加高水平的半導(dǎo)體材料。這樣才能夠在很大程度上適應(yīng)我國(guó)工業(yè)化的進(jìn)步和發(fā)展，為我國(guó)社會(huì)進(jìn)步提供更強(qiáng)大的動(dòng)力。首先需要進(jìn)一步對(duì)超晶格量子阱材料進(jìn)行研發(fā)。無(wú)錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的佼佼者，值得信賴與選擇！棲霞區(qū)節(jié)能半...

無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體。可以簡(jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是**晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的...

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類，一般來(lái)說(shuō)這些還會(huì)被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)方法等進(jìn)行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進(jìn)行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號(hào)，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進(jìn)行分類的方法。 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10E-5～10E7歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。 無(wú)錫微原電子科技...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進(jìn)一步的提升，這就必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對(duì)冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，但是在技術(shù)上沒(méi)有升級(jí)，依然處于理論階段，沒(méi)有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)應(yīng)用需要予以提升。其三，半導(dǎo)體制冷技術(shù)對(duì)于其他領(lǐng)域以及相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用存在局限性，所以，半導(dǎo)體制冷技術(shù)使用很少，對(duì)于半導(dǎo)體制冷技術(shù)的研究沒(méi)有從應(yīng)用的角度出發(fā)，就難以在技術(shù)上擴(kuò)展。其四，市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)環(huán)境中，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體制冷技術(shù)要獲得發(fā)展，需要考慮多方面的問(wèn)題。重視半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用，還要考慮各種影響因素，使得該技術(shù)更好地發(fā)揮作用。無(wú)錫...

設(shè)備按照終端數(shù)量可以分為二端設(shè)備、三端設(shè)備和多端設(shè)備。目前***使用的固態(tài)器件包括晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、晶閘管(SCR)、二極管（整流器）和發(fā)光二極管(LED)。半導(dǎo)體器件可以用作單獨(dú)的組件，也可以用作集成多個(gè)器件的集成電路，這些器件可以在單個(gè)基板上以相同的制造工藝制造。 三端設(shè)備： 晶體管結(jié)型晶體管達(dá)林頓晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)單結(jié)晶體管光電晶體管靜態(tài)感應(yīng)晶體管（SI 晶體管）晶閘管（SCR）門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）雙向可控硅開(kāi)關(guān)集成門極換流晶閘管 (IGCT)光觸發(fā)晶閘管（LTT）靜態(tài)感應(yīng)晶閘管（SI晶閘管）。 半導(dǎo)體...

載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當(dāng)溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強(qiáng)；當(dāng)溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)電性能變差。結(jié)論：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān)。半導(dǎo)體材料性能對(duì)溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過(guò)擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。多數(shù)載流子：N型半導(dǎo)體...

無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)電導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是**晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的...

大功率電源轉(zhuǎn)換交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對(duì)于電器的使用十分重要，是對(duì)電器的必要保護(hù)。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強(qiáng)度高，禁帶寬度寬，熱導(dǎo)性高，因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開(kāi)關(guān)頻率高的場(chǎng)合，電源轉(zhuǎn)換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的優(yōu)異表現(xiàn)使得現(xiàn)在被***使用到深井鉆探，發(fā)電裝置中的逆變器，電氣混動(dòng)汽車的能量轉(zhuǎn)化器，輕軌列車牽引動(dòng)力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。由于SiC本身的優(yōu)勢(shì)以及現(xiàn)階段行業(yè)對(duì)于輕量化、高轉(zhuǎn)換效率的半導(dǎo)體材料需要，SiC將會(huì)取代Si，成為應(yīng)用*****的半導(dǎo)體材料。在當(dāng)?shù)乜诒?wù)是很不錯(cuò)的?；萆絽^(qū)加工半導(dǎo)體器件 公司規(guī)模...

公司規(guī)模雖不大，但擁有專業(yè)的團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的技術(shù)，能夠?yàn)榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。無(wú)錫微原電子科技有限公司在行業(yè)內(nèi)具有一定的**度和影響力。隨著科技的飛速發(fā)展，無(wú)錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)加大在技術(shù)研發(fā)方面的投入，致力于開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的**技術(shù)和產(chǎn)品，特別是在集成電路芯片設(shè)計(jì)、制造以及新型半導(dǎo)體材料研發(fā)等領(lǐng)域，公司有望取得更多突破性成果。 同時(shí)，也有望拓展新的業(yè)務(wù)領(lǐng)域和市場(chǎng)空間，如汽車電子、航空航天、智能制造等**應(yīng)用領(lǐng)域，隨著國(guó)家對(duì)微電子行業(yè)的重視和支持力度不斷加大，無(wú)錫微原電子科技有限公司有望受益于相關(guān)政策的扶持和引導(dǎo)...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極)； ②MOS場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見(jiàn)金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）； ③MES場(chǎng)效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場(chǎng)效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場(chǎng)效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎(chǔ)上,...

這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。 半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。光伏應(yīng)用半導(dǎo)體材料光生伏***應(yīng)是太陽(yáng)能電池運(yùn)行的基本原理。現(xiàn)階段半導(dǎo)...

新型半導(dǎo)體材料在工業(yè)方面的應(yīng)用越來(lái)越多。新型半導(dǎo)體材料表現(xiàn)為其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，擁有***的電學(xué)特性，而且成本低廉，可被用于制造現(xiàn)代電子設(shè)備中***使用，我國(guó)與其他國(guó)家相比在這方面還有著很大一部分的差距，通常會(huì)表現(xiàn)在對(duì)一些基本儀器的制作和加工上，近幾年來(lái)，國(guó)家很多的部門已經(jīng)針對(duì)我國(guó)相對(duì)于其他國(guó)家存在的弱勢(shì)，這一方面統(tǒng)一的組織了各個(gè)方面的群體，對(duì)其進(jìn)行有效的領(lǐng)導(dǎo)，然后共同努力去研制更加高水平的半導(dǎo)體材料。這樣才能夠在很大程度上適應(yīng)我國(guó)工業(yè)化的進(jìn)步和發(fā)展，為我國(guó)社會(huì)進(jìn)步提供更強(qiáng)大的動(dòng)力。首先需要進(jìn)一步對(duì)超晶格量子阱材料進(jìn)行研發(fā)。半導(dǎo)體器件行業(yè)的每一次變革，都蘊(yùn)含著無(wú)錫微原電子科技的創(chuàng)新基因！崇明區(qū)...

半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)，它正向通電流時(shí)，注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)體激光器如果使高效率的半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個(gè)光學(xué)諧振腔內(nèi)，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導(dǎo)體激光器或注入式激光器。 **早的半導(dǎo)體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié)，以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點(diǎn)在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復(fù)合發(fā)光，同時(shí)由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導(dǎo)管又可以使產(chǎn)生的光子也被限...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來(lái)負(fù)責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個(gè)方向上通過(guò)電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無(wú)線電接收器（礦石無(wú)線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲(chǔ)工具。據(jù)說(shuō)，使用了稱為“”的細(xì)金屬線的輕微接觸。無(wú)錫微原電子科技，用專業(yè)打造...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來(lái)負(fù)責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個(gè)方向上通過(guò)電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無(wú)線電接收器（礦石無(wú)線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲(chǔ)工具。據(jù)說(shuō)，使用了稱為“”的細(xì)金屬線的輕微接觸。半導(dǎo)體器件行業(yè)的每一次飛躍，...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來(lái)負(fù)責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個(gè)方向上通過(guò)電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無(wú)線電接收器（礦石無(wú)線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲(chǔ)工具。據(jù)說(shuō)，使用了稱為“”的細(xì)金屬線的輕微接觸。無(wú)錫微原電子科技...

晶體生長(zhǎng)類型將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來(lái)的，如果擠出速度快，則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過(guò)程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時(shí)，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導(dǎo)體會(huì)生長(zhǎng)。通過(guò)這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN）。制作了一個(gè)晶體管。 端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過(guò)微細(xì)加工和應(yīng)用照相技術(shù)排列許多元件來(lái)制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點(diǎn)，發(fā)明了單片集成電路...

如果把電源的方向反過(guò)來(lái)接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送?，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。 利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開(kāi)關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)...

在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用。晶體二極管晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè)PN結(jié)。 在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊...

在通信和雷達(dá)等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用。晶體二極管晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè)PN結(jié)。 在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊...

半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)，它正向通電流時(shí)，注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)體激光器如果使高效率的半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個(gè)光學(xué)諧振腔內(nèi)，則可以得到激光輸出。這種器件稱為半導(dǎo)體激光器或注入式激光器。 **早的半導(dǎo)體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié)，以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點(diǎn)在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復(fù)合發(fā)光，同時(shí)由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導(dǎo)管又可以使產(chǎn)生的光子也被限...

日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下： ***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅...

大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型半導(dǎo)體中的空穴）來(lái)負(fù)責(zé)的，但是，各種半導(dǎo)體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的空穴和P型半導(dǎo)體中的電子）。半導(dǎo)體的整流效應(yīng)（*在一個(gè)方向上通過(guò)電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無(wú)線電接收器（礦石無(wú)線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲(chǔ)工具。據(jù)說(shuō)，使用了稱為“”的細(xì)金屬線的輕微接觸。無(wú)錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非***品。 第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。 第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記。 第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。 第五部分：用字母表示器件分檔...