GT600每通道集成PPMU，支持nA級電流分辨率，可精確測量被電源門控關(guān)閉的模塊在“關(guān)斷狀態(tài)”下的漏電流。通過對比門控開啟與關(guān)閉時的電流差異，評估電源開關(guān)的隔離能力，確保未**模塊不會產(chǎn)生異常功耗。2.GT600支持可選配高精度浮動SMU板卡，可為SoC的不同電源域提供**的電壓施加與電流監(jiān)測。在電源門控測試中，可通過SMU分別控制主電源與門控電源的開啟/關(guān)閉時序，驗證電源域之間的依賴關(guān)系與上電順序，防止閂鎖或電壓倒灌。3.GT600配備GT-TMUHA04時間測量單元，提供10ps時間分辨率，用于測量從門控信號有效到目標(biāo)模塊恢復(fù)供電的時間、模塊喚醒后功能恢復(fù)的響應(yīng)延遲、確保電源門控機制在滿足低功耗要求的同時，不影響系統(tǒng)實時性。4.通過GTFY軟件系統(tǒng)與C++編程，工程師可編寫腳本實現(xiàn)循環(huán)執(zhí)行“上電→功能測試→門控關(guān)斷→延時→喚醒”流程；掃描不同關(guān)斷時長對喚醒成功率的影響；監(jiān)測多次開關(guān)操作后的電流一致性，評估可靠性。5.GT600支持高采樣率的動態(tài)電流監(jiān)測，可捕獲電源門控開啟瞬間的浪涌電流，避免因瞬時電流過大導(dǎo)致電壓塌陷或系統(tǒng)復(fù)位。結(jié)合Digitizer功能，記錄電壓/電流波形，用于分析電源穩(wěn)定性與去耦電容設(shè)計有效性。國磊GT600測試機可有效支持90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、12nm、7nm等主流CMOS工藝節(jié)點的電源門控測試。湖州SIR測試系統(tǒng)價位

天璣9000系列的成功，標(biāo)志著國產(chǎn)手機SoC在AI賽道的**崛起。而其背后，離不開從設(shè)計、制造到測試驗證的完整產(chǎn)業(yè)鏈支撐。國磊GT600測試機憑借其高通道密度、高并行能力、混合信號支持與開放C++軟件架構(gòu)，已成為**SoC測試的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。它不**支持STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率分析與AI模型訓(xùn)練反饋，還可通過GPIB/TTL接口與探針臺、分選機聯(lián)動，構(gòu)建全自動CP/FT測試流程。選擇國磊GT600測試機，就是選擇一條高效、自主、面向AI時代的SoC測試之路。GEN3測試系統(tǒng)廠家供應(yīng)國磊GT600多通道浮動SMU設(shè)計，支持多電源域模擬芯片（如多路電源管理IC）的單一電壓施加與電流監(jiān)測。

AI眼鏡的崛起標(biāo)志著消費電子向“感知+計算+交互”一體化演進。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信號器件，測試難度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)MCU。國磊GT600測試機憑借nA級電流測量、高精度模擬測試、10ps時序分析、高并行架構(gòu)與開放軟件平臺，成為AI眼鏡SoC從研發(fā)驗證到量產(chǎn)落地的關(guān)鍵支撐。它不**滿足當(dāng)前40/28nm節(jié)點的測試需求，更具備向更先進工藝延伸的能力。在AI終端加速滲透的浪潮中，GT600為國產(chǎn)可穿戴芯片提供可靠、高效、自主可控的測試解決方案，助力中國智造搶占下一代人機交互入口。

低功耗SoC在先進工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時序窗口，以及混合信號模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗證要求。傳統(tǒng)測試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測試、動態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測量上。此時，國磊GT600測試機的價值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實現(xiàn)nA級靜態(tài)電流測量，**捕捉先進工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動能力，可用于DVFS電壓切換測試與電源域上電時序驗證。國磊GT600SoC測試機通過加載Pattern，驗證SoC邏輯（如CPU、NPU、DSP）的功能正確性與邏輯測試及向量測試。

    MEMS麥克風(fēng)消費電子中***采用的數(shù)字/模擬MEMS麥克風(fēng)，內(nèi)部包含聲學(xué)傳感MEMS結(jié)構(gòu)與低噪聲前置放大器ASIC。關(guān)鍵指標(biāo)包括靈敏度、信噪比（SNR）、總諧波失真（THD）和AOP（聲學(xué)過載點）。杭州國磊（Guolei）支持點：GT-AWGLP02AWG板卡生成純凈1kHz正弦激勵（THD<-122dB）；高分辨率Digitizer采集輸出信號，計算SNR與THD；支持I2S/PDM等數(shù)字音頻接口協(xié)議測試；可進行多顆麥克風(fēng)并行測試（512Sites），滿足手機廠商大批量需求。壓力傳感器（氣壓/差壓/***壓力）用于可穿戴健康監(jiān)測（如血氧估算）、汽車胎壓監(jiān)測（TPMS）、工業(yè)過程控制等。其ASIC需處理pF級電容變化，并具備溫度補償與校準(zhǔn)功能。杭州國磊（Guolei）支持點：PPMU施加精確偏置電壓并測量微安級工作電流；AWG模擬不同壓力對應(yīng)的電容激勵信號；Digitizer采集校準(zhǔn)后數(shù)字輸出（如I2C讀數(shù)），驗證線性度與零點漂移；支持高低溫環(huán)境下的參數(shù)漂移測試（配合溫控分選機）。 國磊GT600SoC測試機邊沿精度（EPA）達(dá)100ps，確保HBM高速信號建立/保持時間（Setup/Hold）的精確測量。鹽城CAF測試系統(tǒng)市場價格

國磊GT600可以通過喚醒延遲測試即測量從低功耗模式到激發(fā)狀態(tài)的響應(yīng)時間，適用于可穿戴、IoT芯片。湖州SIR測試系統(tǒng)價位

國磊（Guolei）的SoC測試機（如GT600）雖然主要面向高性能系統(tǒng)級芯片（SoC）的數(shù)字、模擬及混合信號測試，但其技術(shù)能力與MEMS（微機電系統(tǒng)）領(lǐng)域存在多維度、深層次的聯(lián)系。盡管MEMS器件本身結(jié)構(gòu)特殊（包含機械微結(jié)構(gòu)、傳感器/執(zhí)行器等），但在實際應(yīng)用中，絕大多數(shù)MEMS芯片都需與**ASIC或SoC集成封裝（如慣性測量單元IMU、麥克風(fēng)、壓力傳感器等），而這些配套電路的測試正是國磊SoC測試機的**應(yīng)用場景。MEMS-ASIC協(xié)同封裝的測試需求，現(xiàn)代MEMS產(chǎn)品極少以“裸傳感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的異質(zhì)集成方案。例如，加速度計/陀螺儀中的MEMS結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)感知物理量，而配套的ASIC則完成信號調(diào)理、模數(shù)轉(zhuǎn)換、溫度補償和數(shù)字接口輸出。這類ASIC往往具備高精度模擬前端（如低噪聲放大器、Σ-Δ ADC）、可編程增益控制和I2C/SPI數(shù)字接口，屬于典型的混合信號SoC。 國磊GT600配備24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引腳參數(shù)測量單元及TMU時間測量功能，可***驗證此類MEMS配套ASIC的線性度、噪聲性能、時序響應(yīng)和電源抑制比，確保傳感器整體精度與可靠性。湖州SIR測試系統(tǒng)價位