GT600SoC測(cè)試機(jī)在測(cè)試高可靠性產(chǎn)品（如車(chē)規(guī)芯片、工業(yè)級(jí)MCU、航天電子、醫(yī)療設(shè)備芯片）時(shí)，展現(xiàn)出精度、***性、穩(wěn)定性與可追溯性四大**優(yōu)勢(shì)，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。首先，高精度參數(shù)測(cè)量是可靠性的基石。GT600配備每通道PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），可精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），識(shí)別因制造缺陷導(dǎo)致的微小漏電或潛在短路。這種“亞健康”芯片在常溫下可能功能正常，但在高溫或長(zhǎng)期使用后極易失效。GT600通過(guò)精密篩查，提前剔除隱患，大幅提升產(chǎn)品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性測(cè)試項(xiàng)目。GT600可配合溫控系統(tǒng)進(jìn)行高溫老化測(cè)試（Burn-in），在高溫高壓下運(yùn)行芯片數(shù)百小時(shí)，加速暴露早期缺陷。其浮動(dòng)SMU電源板卡能模擬車(chē)載12V/24V或工業(yè)設(shè)備的復(fù)雜電源環(huán)境，驗(yàn)證芯片在電壓波動(dòng)、負(fù)載突變下的穩(wěn)定性。對(duì)于通信類(lèi)高可靠產(chǎn)品，高精度TMU（10ps分辨率）可檢測(cè)信號(hào)時(shí)序漂移，確保長(zhǎng)期通信無(wú)誤碼。再次，高穩(wěn)定性與長(zhǎng)周期測(cè)試能力。GT600硬件設(shè)計(jì)冗余，散熱優(yōu)良，支持7x24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行，可執(zhí)行長(zhǎng)達(dá)數(shù)周的耐久性測(cè)試，模擬產(chǎn)品十年生命周期。128M向量深度確保長(zhǎng)周期測(cè)試程序不中斷，數(shù)據(jù)完整。***，數(shù)據(jù)可追溯性強(qiáng)。 離子遷移試驗(yàn)是確保電子產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵。國(guó)磊導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)

AI芯片的可靠性不僅取決于邏輯功能正確，更在于能否在復(fù)雜算法流下穩(wěn)定運(yùn)行。GT600每通道提供高達(dá)128M的向量存儲(chǔ)深度，遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平，使得測(cè)試工程師能夠加載完整的Transformer推理序列、CNN圖像處理流程甚至輕量化大模型的執(zhí)行軌跡進(jìn)行回放測(cè)試。這種“場(chǎng)景級(jí)驗(yàn)證”能有效捕獲傳統(tǒng)短向量測(cè)試難以發(fā)現(xiàn)的邊界異常、緩存***或功耗尖峰。對(duì)于強(qiáng)腦科技、宇樹(shù)科技等開(kāi)發(fā)**AI硬件的企業(yè)而言，GT600提供的不僅是功能覆蓋，更是對(duì)實(shí)際使用環(huán)境的高度模擬，從而***提升產(chǎn)品魯棒性，降低售后故障率，真正實(shí)現(xiàn)“測(cè)得準(zhǔn)、用得穩(wěn)”。贛州導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)定制GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)，**檢測(cè)電路絕緣劣化，支持高達(dá)256通道并行測(cè)試。

智能駕駛對(duì)高性能SoC芯片的依賴日益加深。隨著L2+至L4級(jí)自動(dòng)駕駛技術(shù)的快速演進(jìn)，車(chē)載計(jì)算平臺(tái)對(duì)SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）的性能、可靠性與實(shí)時(shí)性提出了前所未有的高要求。這些SoC通常集成了CPU、GPU、NPU、ISP及**AI加速單元，用于處理多傳感器融合、路徑規(guī)劃與決策控制等復(fù)雜任務(wù)。然而，如此復(fù)雜的芯片架構(gòu)對(duì)測(cè)試環(huán)節(jié)構(gòu)成了巨大挑戰(zhàn)。杭州國(guó)磊GT600 SoC測(cè)試機(jī)憑借高達(dá)400 MHz的測(cè)試速率、512至2048個(gè)數(shù)字通道以及每通道高達(dá)128M的向量存儲(chǔ)深度，能夠高效覆蓋智能駕駛SoC在功能驗(yàn)證階段所需的高并發(fā)、高精度測(cè)試場(chǎng)景，為芯片從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)保障。

低功耗SoC在先進(jìn)工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時(shí)序窗口，以及混合信號(hào)模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗(yàn)證要求。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量上。此時(shí)，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的價(jià)值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，**捕捉先進(jìn)工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試與電源域上電時(shí)序驗(yàn)證。國(guó)磊GT600每通道集成PPMU，支持nA級(jí)電流分辨率，可精確測(cè)量SoC在睡眠、深度睡眠（或關(guān)斷模式下靜態(tài)漏電流。

5G/6G通信芯片的“時(shí)序顯微鏡” 5G/6G基站與終端芯片對(duì)信號(hào)時(shí)序精度要求極高，微小抖動(dòng)即可導(dǎo)致通信中斷。杭州國(guó)磊GT600配備高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元），分辨率高達(dá)10ps（0.01納秒），相當(dāng)于光在3毫米內(nèi)傳播的時(shí)間，能精細(xì)捕捉高速信號(hào)邊沿的微小偏移。這一能力對(duì)于驗(yàn)證基帶芯片、射頻前端、AD/DA轉(zhuǎn)換器的時(shí)序一致性至關(guān)重要。杭州國(guó)磊GT600還可通過(guò)可選AWG板卡生成高保真模擬信號(hào)，測(cè)試芯片在復(fù)雜調(diào)制模式下的響應(yīng)性能。其400MHz測(cè)試速率與100ps邊沿精度，確保能覆蓋PCIe、USB、MIPI等高速接口的協(xié)議測(cè)試需求。在通信技術(shù)快速迭代的背景下，杭州國(guó)磊GT600以“皮秒級(jí)”測(cè)量能力，為國(guó)產(chǎn)通信芯片的性能與穩(wěn)定性提供精細(xì)驗(yàn)證，助力中國(guó)在6G賽道搶占先機(jī)。國(guó)磊GT600每通道集成PPMU，支持HBM相關(guān)I/O引腳的漏電流（Leakage）、VIH/VIL、VOH/VOL等DC參數(shù)測(cè)量。GEN3測(cè)試系統(tǒng)廠家

導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）現(xiàn)象是導(dǎo)致電路失效的重要原因之一。國(guó)磊導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)

“風(fēng)華3號(hào)”的推出標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)全功能GPU在大模型訓(xùn)練、科學(xué)計(jì)算與重度渲染領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從0到1的突破。其集成RISC-VCPU與CUDA兼容GPU架構(gòu)，支持PyTorch、CUDA、Triton等主流AI生態(tài)，對(duì)芯片功能復(fù)雜度、接口帶寬與時(shí)序精度提出了極高要求。此類(lèi)高性能GPU通常具備數(shù)千個(gè)邏輯引腳、多電源域、高速SerDes接口及復(fù)雜狀態(tài)機(jī)，傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以完成**驗(yàn)證。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**2048個(gè)數(shù)字通道與400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋“風(fēng)華3號(hào)”類(lèi)GPU的高引腳數(shù)、高速功能測(cè)試需求。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜計(jì)算指令序列的Pattern加載，確保GPU**、NPU單元及RISC-V子系統(tǒng)的功能正確性。國(guó)磊導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)