高精度模擬測(cè)試能力匹配MEMS信號(hào)鏈要求，MEMS傳感器輸出信號(hào)微弱（如微伏級(jí)電容變化或納安級(jí)電流），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的本底噪聲和分辨率要求極高。國(guó)磊（Guolei）GT600可選配的GT-AWGLP02 AWG板卡具備**-122dB THD**（總諧波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超純凈激勵(lì)信號(hào)；同時(shí)其Digitizer支持20~24位采樣，可精確捕獲微弱響應(yīng)。這種能力對(duì)于測(cè)試MEMS麥克風(fēng)的靈敏度、壓力傳感器的滿量程輸出或磁力計(jì)的偏置穩(wěn)定性至關(guān)重要。支持低功耗與寬電壓范圍測(cè)試 許多MEMS器件用于可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等電池供電場(chǎng)景，對(duì)功耗極為敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08電源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**輸出，并具備每引腳**電源控制（PPMU），可精確測(cè)量待機(jī)/工作/休眠各模式下的電流（nA~mA級(jí)），驗(yàn)證MEMS-SoC是否滿足ULP（**功耗）設(shè)計(jì)目標(biāo)，這對(duì)通過(guò)終端產(chǎn)品能效認(rèn)證（如Energy Star）具有直接價(jià)值。國(guó)磊GT600多通道浮動(dòng)SMU設(shè)計(jì)，支持多電源域模擬芯片（如多路電源管理IC）的單一電壓施加與電流監(jiān)測(cè)。杭州國(guó)磊GEN測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

    AI加速芯片（如思元系列）專為云端推理與邊緣計(jì)算設(shè)計(jì)，**訴求是“高算力密度、***能效比、毫秒級(jí)穩(wěn)定響應(yīng)”。這類芯片往往集成數(shù)千個(gè)AI**與高速互聯(lián)總線，測(cè)試復(fù)雜度高、功耗敏感、量產(chǎn)規(guī)模大，傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以兼顧效率與精度。國(guó)磊GT600憑借512站點(diǎn)并行測(cè)試能力，可同時(shí)對(duì)512顆芯片進(jìn)行功能與參數(shù)驗(yàn)證，極大縮短測(cè)試周期，攤薄單顆芯片成本——這對(duì)動(dòng)輒數(shù)萬(wàn)片出貨的數(shù)據(jù)中心級(jí)芯片而言，意味著數(shù)千萬(wàn)級(jí)成本優(yōu)化。在功耗控制上，國(guó)磊GT600的PPMU單元可精確測(cè)量芯片在待機(jī)、輕載、滿載等多場(chǎng)景下的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電流，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，驗(yàn)證芯片在不同電壓域下的功耗表現(xiàn)，確保其在7x24小時(shí)運(yùn)行的數(shù)據(jù)中心中實(shí)現(xiàn)“每瓦特算力比較大化”。同時(shí)，其高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，10ps分辨率）可檢測(cè)AI**間數(shù)據(jù)同步的時(shí)序抖動(dòng)，避免因時(shí)鐘偏移導(dǎo)致的推理錯(cuò)誤或延遲波動(dòng)，保障AI服務(wù)的穩(wěn)定低時(shí)延。 廣東GEN測(cè)試系統(tǒng)行價(jià)多通道分組測(cè)試，支持64/128/256可選配置，大幅提升檢測(cè)效率。

5G/6G通信芯片的“時(shí)序顯微鏡” 5G/6G基站與終端芯片對(duì)信號(hào)時(shí)序精度要求極高，微小抖動(dòng)即可導(dǎo)致通信中斷。杭州國(guó)磊GT600配備高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元），分辨率高達(dá)10ps（0.01納秒），相當(dāng)于光在3毫米內(nèi)傳播的時(shí)間，能精細(xì)捕捉高速信號(hào)邊沿的微小偏移。這一能力對(duì)于驗(yàn)證基帶芯片、射頻前端、AD/DA轉(zhuǎn)換器的時(shí)序一致性至關(guān)重要。杭州國(guó)磊GT600還可通過(guò)可選AWG板卡生成高保真模擬信號(hào)，測(cè)試芯片在復(fù)雜調(diào)制模式下的響應(yīng)性能。其400MHz測(cè)試速率與100ps邊沿精度，確保能覆蓋PCIe、USB、MIPI等高速接口的協(xié)議測(cè)試需求。在通信技術(shù)快速迭代的背景下，杭州國(guó)磊GT600以“皮秒級(jí)”測(cè)量能力，為國(guó)產(chǎn)通信芯片的性能與穩(wěn)定性提供精細(xì)驗(yàn)證，助力中國(guó)在6G賽道搶占先機(jī)。

高性能GPU的功耗管理直接影響系統(tǒng)穩(wěn)定性與能效比?！帮L(fēng)華3號(hào)”支持多級(jí)電源域與動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)，要求測(cè)試平臺(tái)具備高精度DC參數(shù)測(cè)量能力。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)每通道集成PPMU，支持nA級(jí)靜態(tài)電流（IDDQ）測(cè)量，可**識(shí)別GPU在待機(jī)、低功耗模式下的漏電異常。其可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，支持-2.5V~7V電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試、電源上電時(shí)序（PowerSequencing）驗(yàn)證及電源抑制比（PSRR）分析。GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元提供10ps分辨率，可精確測(cè)量GPU**喚醒延遲、中斷響應(yīng)時(shí)間與時(shí)鐘同步偏差，確保AI訓(xùn)推與實(shí)時(shí)渲染任務(wù)的時(shí)序可靠性。GM8800具備強(qiáng)大的斷電保護(hù)功能，確保數(shù)據(jù)不丟失。

杭州國(guó)磊GT600 SoC測(cè)試機(jī)憑借其高精度、高可靠性與混合信號(hào)測(cè)試能力，特別適用于對(duì)安全性和穩(wěn)定性要求極高的**醫(yī)療設(shè)備芯片的測(cè)試。以下幾類關(guān)鍵芯片非常適合使用杭州國(guó)磊GT600進(jìn)行驗(yàn)證： 1. 醫(yī)用SoC與微控制器（MCU） 現(xiàn)代醫(yī)療設(shè)備（如便攜式超聲儀、智能監(jiān)護(hù)儀、血糖儀）的**是集成了CPU、ADC、DAC、無(wú)線通信模塊的SoC或MCU。國(guó)磊GT600可***驗(yàn)證其數(shù)字邏輯功能，并通過(guò)可選AWG和Digitizer板卡，精確測(cè)試模擬前端（AFE）對(duì)生物電信號(hào)（如心電ECG、腦電EEG）的采集精度與噪聲抑制能力，確保測(cè)量數(shù)據(jù)真實(shí)可靠。 2. 高精度模擬與混合信號(hào)芯片 醫(yī)療設(shè)備依賴高精度ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）和DAC（數(shù)模轉(zhuǎn)換器）進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換。國(guó)磊GT600的PPMU可精確測(cè)量nA級(jí)漏電流，防止信號(hào)漂移；其高精度TMU和可選AWG能生成標(biāo)準(zhǔn)生理信號(hào)波形，驗(yàn)證ADC的線性度、信噪比（SNR）等關(guān)鍵參數(shù)，確保血壓、血氧等測(cè)量值符合醫(yī)療級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可以通過(guò)GPIB/TTL接口聯(lián)動(dòng)探針臺(tái)與分選機(jī)，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測(cè)試。杭州國(guó)磊GEN測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)AWG/Digitizer支持20/24bit分辨率，滿足高精度ADC/DAC類HBM輔助電路測(cè)試需求。杭州國(guó)磊GEN測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格

 PPMU功能實(shí)現(xiàn)每引腳**電源管理測(cè)試 智能駕駛SoC通常包含多個(gè)電源域，以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)功耗管理。杭州國(guó)磊GT600每通道集成PPMU（每引腳參數(shù)測(cè)量單元），支持FIMV/FIMI/FVMI/FVMV四種工作模式，可**控制每個(gè)引腳的電壓施加與電流測(cè)量。這一能力對(duì)于驗(yàn)證芯片在低功耗休眠、喚醒切換、電壓驟降等場(chǎng)景下的行為至關(guān)重要。例如，在模擬車輛啟動(dòng)瞬間電源波動(dòng)時(shí)，GT600可精確監(jiān)測(cè)各電源域的電流響應(yīng)，確保SoC不會(huì)因電源異常導(dǎo)致功能失效或安全風(fēng)險(xiǎn)。杭州國(guó)磊GEN測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格