GM8800導(dǎo)電陽極絲（CAF）測試系統(tǒng)是杭州國磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司針對**絕緣材料可靠性測試推出的主力產(chǎn)品，該系統(tǒng)集成了多通道并行測量、高精度電阻采集和實(shí)時環(huán)境監(jiān)控等先進(jìn)功能。其硬件平臺可配置**多16塊高性能測試板卡，輕松實(shí)現(xiàn)256個測試點(diǎn)的同步或**運(yùn)行，電阻測量范圍覆蓋10^6Ω至10^14Ω，并可在8S內(nèi)完成全部通道的掃描與數(shù)據(jù)處理，極大提升了高阻測試的效率。系統(tǒng)支持0V~±100V內(nèi)置電源與1V~3000V外置偏置電壓的靈活組合，電壓控制精度在100V以內(nèi)達(dá)±0.05V，并具備100V/2ms的快速電壓爬升能力，可精細(xì)模擬各類苛刻的電場環(huán)境。在安全機(jī)制方面，GM8800提供包括AC斷電、軟件死機(jī)、溫濕度超限等在內(nèi)的多重報警保護(hù)，并可選配30~120分鐘的UPS后備電源，確保長時間測試不受電網(wǎng)波動影響。相較于英國GEN3等進(jìn)口設(shè)備，GM8800在通道數(shù)量、電壓適應(yīng)范圍和綜合使用成本上優(yōu)勢***，特別適合國內(nèi)PCB制造商、車載電子供應(yīng)商和材料實(shí)驗(yàn)室用于CAF效應(yīng)研究、絕緣材料壽命評估等高精度測試場景，是實(shí)現(xiàn)**測試設(shè)備國產(chǎn)化替代的可靠選擇。精確的閾值判定，及時報警，有效保護(hù)您的樣品。SIR測試系統(tǒng)廠家

面對AI眼鏡出貨量激增（IDC預(yù)計2025年全球達(dá)1280萬副），量產(chǎn)測試效率成為關(guān)鍵瓶頸。國磊GT600測試機(jī)支持**512Sites并行測試，**提升測試吞吐量，降低單顆SoC測試成本，滿足高量產(chǎn)型號的產(chǎn)能需求。其支持Access、Excel、CSV、STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式導(dǎo)出，便于測試數(shù)據(jù)與MES系統(tǒng)對接，實(shí)現(xiàn)良率追蹤與SPC分析。GPIB/TTL接口可同步探針臺與分選機(jī)，構(gòu)建全自動CP/FT測試流程，提升測試一致性與可靠性。對于集成了AI加速單元的MCU類SoC，國磊GT600測試機(jī)可同時驗(yàn)證其神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理功能與低功耗行為，確保端側(cè)AI性能與續(xù)航的雙重達(dá)標(biāo)。紹興CAF測試系統(tǒng)按需定制國磊GT600可選配高精度SMU板卡，實(shí)現(xiàn)nA級電流測量分辨率，適用低功耗LDO、DC-DC電源管理芯片靜態(tài)電流測試。

杭州國磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司自主研發(fā)推出CAF測試系統(tǒng)GM8800。系統(tǒng)集成±100V內(nèi)置電源與3000V外置高壓模塊，采用三段式步進(jìn)電壓技術(shù)：0-100V區(qū)間0.01V微調(diào)、100-500V步進(jìn)0.1V、500-3000V步進(jìn)1V。電壓精度達(dá)±0.05V（1-100VDC），結(jié)合100V/2ms超快上升速度，精細(xì)模擬電動汽車電控浪涌沖擊。1MΩ保護(hù)電阻與1-600秒可編程穩(wěn)定時間，有效消除容性負(fù)載誤差。測試范圍覆蓋10?-101?Ω，其中101?Ω極限測量精度±10%，為SiC功率模塊提供實(shí)驗(yàn)室級絕緣驗(yàn)證方案。

國磊GT600支持400MHz高速測試與128M超大向量深度，足以運(yùn)行手機(jī)芯片內(nèi)部復(fù)雜的AI推理算法、多任務(wù)調(diào)度協(xié)議等長周期測試程序，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足導(dǎo)致的“中斷加載”，大幅提升測試覆蓋率和效率。其512站點(diǎn)并行測試能力，更可滿足手機(jī)芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求，***降低測試成本。更重要的是，國磊GT600采用開放式GTFY系統(tǒng)，支持C++自主編程，工程師可深度定制測試流程，無縫對接內(nèi)部研發(fā)與生產(chǎn)體系，實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室到工廠的快速轉(zhuǎn)化。在外部供應(yīng)鏈?zhǔn)芟薜谋尘跋拢瑖贕T600作為國產(chǎn)**測試設(shè)備，可以為國產(chǎn)手機(jī)芯片的持續(xù)迭代與穩(wěn)定量產(chǎn)，提供堅實(shí)、安全、可控的底層保障。國磊GT600支持C++編程與自定義測試流程，便于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜模擬參數(shù)的閉環(huán)掃描與數(shù)據(jù)分析。

GT600每通道集成PPMU，具備nA級電流分辨率。在電源門控測試中，將PPMU連接至被門控模塊的電源引腳（VDD）或地引腳（VSS），在門控信號（PG_EN）關(guān)閉后，測量該模塊的靜態(tài)電流（IDDQ）。若電流**高于設(shè)計預(yù)期（如>1μA），則表明存在異常漏電，可能由工藝缺陷或電源開關(guān)未完全關(guān)斷導(dǎo)致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同時監(jiān)測主電源域與被門控電源域的電流。測試時，保持主邏輯供電，關(guān)閉目標(biāo)模塊的電源門控信號，通過對比門控前后該域電流的變化，精確提取**由門控網(wǎng)絡(luò)控制的漏電成分，排除其他模塊干擾。GT600支持電壓掃描（VoltageSweeping）和溫控聯(lián)動（通過探針臺接口），可在高溫（如125°C）和高電壓條件下進(jìn)行測試，放大漏電效應(yīng)，提升缺陷檢出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下測量關(guān)斷電流，可暴露常溫下難以發(fā)現(xiàn)的微小漏電。通過GTFY軟件系統(tǒng)編寫C++腳本，可自動化執(zhí)行：施加正常工作電壓；發(fā)送指令進(jìn)入低功耗模式并觸發(fā)電源門控；延時穩(wěn)定（如10ms）；啟動PPMU進(jìn)行電流采樣；重復(fù)多次以驗(yàn)證一致性。該流程確保測試可重復(fù)，并能捕捉間歇性漏電。國磊GT600支持單一部署的NPU芯片如寒武紀(jì)、天璣NPU低功耗狀態(tài)機(jī)、喚醒延遲、靜態(tài)電流與混合信號接口驗(yàn)證。福州GEN3測試系統(tǒng)定制

堅持創(chuàng)新，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價值是我們的價值觀。SIR測試系統(tǒng)廠家

當(dāng)前，AI大模型與高性能計算正以前所未有的速度推動HBM（高帶寬存儲器）技術(shù)爆發(fā)式增長。HBM3、HBM3E成為英偉達(dá)、AMD、華為等巨頭AI芯片的標(biāo)配，全球需求激增，市場缺口持續(xù)擴(kuò)大。然而，HBM不**改變了芯片架構(gòu)，更對后端測試提出了前所未有的挑戰(zhàn)——高引腳數(shù)、高速接口、復(fù)雜時序與電源完整性要求，使得傳統(tǒng)測試設(shè)備難以勝任。國磊GT600測試機(jī)應(yīng)勢而生，專為應(yīng)對HBM時代**SoC測試難題而設(shè)計。它不是直接測試HBM芯片，而是**服務(wù)于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能驗(yàn)證與量產(chǎn)測試，成為國產(chǎn)**ATE在HBM浪潮中的關(guān)鍵支撐力量，助力中國芯突破“內(nèi)存墻”背后的“測試墻”。SIR測試系統(tǒng)廠家