杭州國磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司自主研發(fā)的GM8800多通道絕緣電阻測試系統(tǒng)**了國內(nèi)在電化學(xué)遷移與絕緣可靠性測試領(lǐng)域的比較高水平。該系統(tǒng)憑借其256通道的強大并行處理能力，可在8秒內(nèi)完成全部測點的掃描與電阻運算，單通道測試時間低于15ms，支持10^4~10^14Ω的超寬阻值檢測，并可根據(jù)用戶設(shè)定進行1~600分鐘可自由配置的測試間隔，**長持續(xù)測試時間高達9999小時，滿足包括IPC-TM-650 2.6.25在內(nèi)的多項國際標準對CAF試驗的嚴苛要求。GM8800集成高精度電壓輸出與傳感單元，提供0.01V@0-100V、0.1V@100-500V、1V@500-3000V的步進調(diào)節(jié)精度，配合±0.05V（≤100VDC）與±0.5V（>100VDC）的電壓精度，確保測試條件的高度穩(wěn)定與可重復(fù)。系統(tǒng)實時監(jiān)測電流、溫度、濕度等多維度參數(shù)，并通過完全屏蔽的低噪聲線纜傳輸信號，有效保障了測量結(jié)果的準確性與抗干擾能力。面向新能源汽車、儲能系統(tǒng)、**消費電子等快速增長的市場，GM8800在性能上可比肩甚至超越英國GEN3產(chǎn)品，同時憑借更低的采購成本、更便捷的本土服務(wù)與技術(shù)支持，正助力越來越多中國企業(yè)加速實現(xiàn)**測試儀器的自主可控與進口替代。您正在為尋找可靠的高阻測試方案而煩惱嗎？看這里就購了。杭州國磊GEN測試系統(tǒng)研發(fā)

國磊GT600支持可選配高精度浮動SMU板卡，每塊SMU可**輸出電壓與監(jiān)測電流。對于具有多個電源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可為每個域分配**SMU通道，實現(xiàn)各電源域**上電/斷電、不同電壓值（如1.8V、1.2V、0.9V）同時施加、防止電源域間相互干擾?，F(xiàn)代SoC要求多個電源域按特定順序上電（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免閂鎖效應(yīng)。國磊GT600通過GTFY軟件系統(tǒng)編程控制各SMU的開啟時間，精確設(shè)置各域電壓的上升延遲（精度達ms級），驗證SoC在正確與錯誤時序下的行為，確保設(shè)計符合規(guī)范。國磊GT600的SMU和PPMU支持實時監(jiān)測每個電源域的電流消耗，可用于識別某電源域的異常功耗（如漏電、短路）、分析不同工作模式（運行、睡眠、喚醒）下的域級功耗分布、驗證電源門控模塊是否有效切斷目標域供電。國磊GT600可編程調(diào)節(jié)各電源域電壓（如±5%波動），測試SoC在電壓偏移條件下的功能穩(wěn)定性，評估電源完整性設(shè)計余量。對于國磊GT600SMU電壓范圍外的電源（如高壓模擬域），可通過GPIB/TTL接口控制外部源表或電源模塊，實現(xiàn)與GT600內(nèi)部SMU的同步操作，構(gòu)建完整的多電源域測試系統(tǒng)。長沙導(dǎo)電陽極絲測試系統(tǒng)批發(fā)國磊GT600支持C++編程與自定義測試流程，便于實現(xiàn)復(fù)雜模擬參數(shù)的閉環(huán)掃描與數(shù)據(jù)分析。

在HBM技術(shù)快速迭代的背景下，芯片企業(yè)亟需靈活、開放的測試平臺，以快速響應(yīng)設(shè)計變更與測試需求升級。國磊GT600測試機搭載開放式GTFY軟件系統(tǒng)，支持VisualStudio與C++開發(fā)環(huán)境，讓工程師能夠自由定制測試流程，快速開發(fā)復(fù)雜測試程序。系統(tǒng)兼容Access、Excel、CSV、STDF等主流數(shù)據(jù)格式，無縫對接現(xiàn)有數(shù)據(jù)分析平臺。同時，GT600提供測試向量轉(zhuǎn)換工具，可輕松遷移其他平臺的測試方案，大幅縮短導(dǎo)入周期。對于正在布局HBM產(chǎn)品的國產(chǎn)AI芯片公司而言，GT600不**是一臺測試機，更是一個靈活、高效、可擴展的測試生態(tài)，助力客戶在激烈的市場競爭中搶占先機。

低功耗SoC在先進工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細的時序窗口，以及混合信號模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗證要求。傳統(tǒng)測試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測試、動態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測量上。此時，國磊GT600測試機的價值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實現(xiàn)nA級靜態(tài)電流測量，**捕捉先進工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動能力，可用于DVFS電壓切換測試與電源域上電時序驗證。國磊GT600SoC測試機提供測試向量轉(zhuǎn)換工具，支持從主流商用ATE平臺遷移HBM相關(guān)測試程序，降低導(dǎo)入成本。

國際數(shù)據(jù)公司（IDC）預(yù)測的人工智能服務(wù)器市場高速增長（2024年1251億美元→2028年2227億美元），本質(zhì)上是高算力芯片（GPU、ASIC）在功耗、密度與可靠性層面極限挑戰(zhàn)的集中體現(xiàn)。每一塊AI加速卡背后，都是數(shù)百瓦功耗、數(shù)千電源引腳、多級電壓域、復(fù)雜電源門控與瞬態(tài)電流管理的設(shè)計博弈。而這些，正是國磊GT600SoC測試機憑借其高精度電源與功耗驗證能力，**切入并把握產(chǎn)業(yè)機遇的技術(shù)支點。AI芯片普遍采用7nm/5nm等先進工藝，靜態(tài)漏電（Leakage）隨工藝微縮呈指數(shù)增長。國磊GT600通過每通道PPMU，支持nA級靜態(tài)電流測量，可**識別G**SIC在待機、休眠模式下的異常漏電，確保電源門控（PowerGating）機制有效，避免“隱形功耗”拖累整機能效。其高精度浮動SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓輸出，可**控制AI芯片的Core、Memory、I/O等多電源域，驗證上電時序（PowerSequencing）與電壓裕量（VoltageMargining），防止因電源順序錯誤導(dǎo)致的閂鎖或功能失效。國磊GT600支持多Site并行測試，提升電源管理芯片、運放等高量產(chǎn)型號的測試效率與產(chǎn)能。杭州國磊CAF測試系統(tǒng)工藝

國磊GT600的SMU覆蓋從高壓IO（3.3V）到低電壓he心（0.6V~1.2V）的多種電源域，適配不同節(jié)點供電要求。杭州國磊GEN測試系統(tǒng)研發(fā)

針對2.5D/3D封裝底部填充膠，在100V偏壓與85%RH條件下執(zhí)行CAF測試。GM8800系統(tǒng)突破性實現(xiàn)101?Ω超高阻測量（精度±10%），可檢測0.01%吸濕率導(dǎo)致的絕緣衰減：1、空間定位：電阻突變頻譜分析功能，定位封裝內(nèi)部±0.5mm級CAF生長點。2、過程監(jiān)控：1~600分鐘可調(diào)間隔捕捉阻值從10?Ω到1013Ω躍遷曲線。3、熱管理：溫度傳感器同步記錄固化放熱反應(yīng)，優(yōu)化回流焊參數(shù)實測數(shù)據(jù)表明，該方案使FCBGA封裝良率提升22%，年節(jié)省質(zhì)損成本超800萬元。杭州國磊GEN測試系統(tǒng)研發(fā)