國(guó)磊半導(dǎo)體憑借其深厚的技術(shù)底蘊(yùn)，推出GM8800多通道絕緣電阻/導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)，旨在滿足市場(chǎng)對(duì)高性能、高性價(jià)比可靠性測(cè)試設(shè)備的迫切需求。該系統(tǒng)具備強(qiáng)大的擴(kuò)展能力，**多可支持256個(gè)通道同步進(jìn)行測(cè)試，電阻測(cè)量范圍覆蓋10^4~10^14Ω，測(cè)量精度依據(jù)不同區(qū)間保持在±3%至±10%的高水平，能夠精細(xì)捕捉絕緣材料在直流偏壓和環(huán)境應(yīng)力下的細(xì)微性能變化。GM8800提供從1V到3000V的寬范圍測(cè)試電壓，內(nèi)置精密電壓源精度優(yōu)異，外接高壓能力強(qiáng)大，且電壓上升速度快，穩(wěn)定時(shí)間可調(diào)，為用戶提供了高度靈活的測(cè)試條件配置空間。系統(tǒng)集成實(shí)時(shí)電流檢測(cè)（0.1μA~500μA）、溫濕度監(jiān)控功能，并通過(guò)完全屏蔽的線纜系統(tǒng)保證測(cè)量信號(hào)的完整性。在系統(tǒng)可靠性方面，多重硬件與軟件報(bào)警機(jī)制以及UPS斷電保護(hù)選項(xiàng)共同保障了長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試的連續(xù)性與安全性。相較于英國(guó)GEN3等進(jìn)口品牌，GM8800在實(shí)現(xiàn)技術(shù)對(duì)標(biāo)的同時(shí)，***降低了用戶的擁有成本，并能夠提供更快捷的售后響應(yīng)和定制化服務(wù)，完美契合國(guó)內(nèi)PCB制造業(yè)、汽車電子供應(yīng)商、光伏逆變器制造商以及科研機(jī)構(gòu)對(duì)**CAF測(cè)試設(shè)備的需求，加速了國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。具備多類報(bào)警功能，包括低阻、溫濕度異常等，保障測(cè)試安全。國(guó)產(chǎn)導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)工藝

面對(duì)AI眼鏡出貨量激增（IDC預(yù)計(jì)2025年全球達(dá)1280萬(wàn)副），量產(chǎn)測(cè)試效率成為關(guān)鍵瓶頸。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**512Sites并行測(cè)試，**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆SoC測(cè)試成本，滿足高量產(chǎn)型號(hào)的產(chǎn)能需求。其支持Access、Excel、CSV、STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式導(dǎo)出，便于測(cè)試數(shù)據(jù)與MES系統(tǒng)對(duì)接，實(shí)現(xiàn)良率追蹤與SPC分析。GPIB/TTL接口可同步探針臺(tái)與分選機(jī)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程，提升測(cè)試一致性與可靠性。對(duì)于集成了AI加速單元的MCU類SoC，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)可同時(shí)驗(yàn)證其神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理功能與低功耗行為，確保端側(cè)AI性能與續(xù)航的雙重達(dá)標(biāo)。深圳導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)價(jià)格選擇國(guó)磊，就是選擇了超預(yù)期的測(cè)試技術(shù)與成本控制。

HBM的集成不****是帶寬提升，更帶來(lái)了復(fù)雜的混合信號(hào)測(cè)試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號(hào)完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R（Skew）等問(wèn)題，直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì)，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡，實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測(cè)試。例如，通過(guò)GT-TMUHA04（10ps分辨率）精確測(cè)量HBM接口時(shí)序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成純凈激勵(lì)信號(hào)，**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問(wèn)題系統(tǒng)化解決，為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號(hào)的**測(cè)試保障，確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。

AI眼鏡的輕量化設(shè)計(jì)要求SoC具備極高的功能密度與能效比，其內(nèi)部狀態(tài)機(jī)復(fù)雜，需支持多種低功耗模式（如DeepSleep、Standby）與快速喚醒機(jī)制。GT600的GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元提供10ps分辨率與0.1%測(cè)量精度，可精確測(cè)量SoC從休眠到**的響應(yīng)延遲，確保用戶語(yǔ)音喚醒、手勢(shì)觸發(fā)等交互的實(shí)時(shí)性。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜狀態(tài)機(jī)序列測(cè)試，覆蓋AI推理、傳感器融合、無(wú)線傳輸?shù)榷嗳蝿?wù)并發(fā)場(chǎng)景。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持C++編程與VisualStudio開發(fā)環(huán)境，便于實(shí)現(xiàn)定制化低功耗測(cè)試流程，如周期性喚醒、事件驅(qū)動(dòng)中斷等典型AI眼鏡工作模式的自動(dòng)化驗(yàn)證。電壓設(shè)置靈活，測(cè)試電壓1–3000V可調(diào)，適應(yīng)多種實(shí)驗(yàn)條件。

    國(guó)產(chǎn)手機(jī)自研芯片體系——包括手機(jī)SoC（如麒麟系列）、服務(wù)器芯片（如鯤鵬）、AI加速芯片（如昇騰Ascend）——不僅是產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的**，更是中國(guó)半導(dǎo)體自主可控的戰(zhàn)略支點(diǎn)。這些芯片高度集成、性能***、功耗敏感，對(duì)測(cè)試設(shè)備的全面性、精度、效率和靈活性提出前所未有的挑戰(zhàn)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)，正是為這類**國(guó)產(chǎn)芯片量身打造的“全能考官”。國(guó)磊GT600不僅能驗(yàn)證手機(jī)SoC的CPU/GPU的基礎(chǔ)邏輯功能，更能通過(guò)可選配的AWG（任意波形發(fā)生器），模擬真實(shí)世界的模擬信號(hào)，精細(xì)測(cè)試ISP圖像處理單元對(duì)攝像頭輸入信號(hào)的響應(yīng)質(zhì)量，確保拍照清晰、色彩準(zhǔn)確；通過(guò)高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，精度達(dá)10ps），驗(yàn)證5G基帶芯片的信號(hào)時(shí)序與抖動(dòng)，保障通信穩(wěn)定低延遲；通過(guò)每通道PPMU，檢測(cè)NPU在待機(jī)與高負(fù)載下的微小漏電流，確保AI算力強(qiáng)勁的同時(shí)功耗可控。 國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可通過(guò)配置相應(yīng)板卡和開發(fā)測(cè)試程序?qū)崿F(xiàn)SoC全測(cè)試。湖州導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)按需定制

國(guó)磊GT600支持20/24bit高分辨率AWG與Digitizer板卡，可用于高精度ADC/DAC的INL、DNL、SNR、THD等參數(shù)測(cè)試。國(guó)產(chǎn)導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)工藝

低功耗SoC在先進(jìn)工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時(shí)序窗口，以及混合信號(hào)模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗(yàn)證要求。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量上。此時(shí)，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的價(jià)值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，**捕捉先進(jìn)工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試與電源域上電時(shí)序驗(yàn)證。國(guó)產(chǎn)導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)工藝