2025年云棲大會(huì)以“云智一體·碳硅共生”為主題，強(qiáng)調(diào)AI與實(shí)體產(chǎn)業(yè)的深度融合。在這一圖景中，SoC測(cè)試機(jī)如國(guó)磊GT600正扮演著“碳基世界與硅基智能”之間的關(guān)鍵橋梁角色。AI大模型、Agent與具身智能的落地，**終都依賴于高性能SoC芯片的支撐——無(wú)論是云端服務(wù)器的AI加速器，還是終端設(shè)備的智能處理器。然而，再先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)，若無(wú)法通過(guò)高精度、高效率的測(cè)試，便無(wú)法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)與應(yīng)用。國(guó)磊GT600等SoC測(cè)試機(jī)正是確保這些“智能硅基大腦”功能完整、性能達(dá)標(biāo)、功耗可控的“***質(zhì)檢官”?！疤脊韫采币馕吨摂M智能（碳基信息）與物理芯片（硅基載體）的協(xié)同進(jìn)化。國(guó)磊GT600可以通過(guò)400MHz高速測(cè)試、PPMU精密參數(shù)測(cè)量、混合信號(hào)驗(yàn)證等能力，保障AI芯片在真實(shí)場(chǎng)景中穩(wěn)定運(yùn)行，推動(dòng)大模型從云端走向終端。同時(shí)，其高同測(cè)能力與低功耗設(shè)計(jì)，也契合綠色計(jì)算與智能制造的可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)?？梢哉f(shuō)，沒(méi)有可靠的SoC測(cè)試，AI的產(chǎn)業(yè)落地就如同無(wú)源之水。在云棲大會(huì)展現(xiàn)的智能未來(lái)背后，國(guó)磊GT600這樣的SoC測(cè)試設(shè)備，正是讓“云智”真正“共生”的底層基石。 國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過(guò)地址/數(shù)據(jù)生成器驗(yàn)證片上存儲(chǔ)器（RAM/ROM）或寄存器配置接口完成ALPG測(cè)試。深圳絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)定制

天璣9000系列的成功，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在AI賽道的**崛起。而其背后，離不開(kāi)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的完整產(chǎn)業(yè)鏈支撐。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其高通道密度、高并行能力、混合信號(hào)支持與開(kāi)放C++軟件架構(gòu)，已成為**SoC測(cè)試的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。它不**支持STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率分析與AI模型訓(xùn)練反饋，還可通過(guò)GPIB/TTL接口與探針臺(tái)、分選機(jī)聯(lián)動(dòng)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程。選擇國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，就是選擇一條高效、自主、面向AI時(shí)代的SoC測(cè)試之路。廣東SIR測(cè)試系統(tǒng)市價(jià)國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)的10ps分辨率TMU可用于驗(yàn)證先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下更嚴(yán)格的時(shí)序窗口，如快速喚醒與電源切換延遲。

AI眼鏡SoC普遍采用40nm以下工藝，集成高精度ADC、DAC、PLL、LDO等模擬模塊，用于麥克風(fēng)陣列信號(hào)采集、骨傳導(dǎo)音頻輸出與電源穩(wěn)壓。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持可選配GT-AWGLP02任意波形發(fā)生器（THD-122dB，SNR110dB）與20/24bit分辨率Digitizer，可用于語(yǔ)音前端信號(hào)鏈的INL、DNL、THD、SNR等參數(shù)測(cè)試，確保AI語(yǔ)音識(shí)別輸入的準(zhǔn)確性。其高精度浮動(dòng)SMU板卡支持寬電壓范圍輸出，可用于LDO負(fù)載調(diào)整率、PSRR及上電時(shí)序驗(yàn)證，保障音頻與傳感模塊的電源穩(wěn)定性。GT600的模塊化16插槽架構(gòu)支持?jǐn)?shù)字、模擬、混合信號(hào)板卡混插，實(shí)現(xiàn)從NPU到傳感器接口的一站式測(cè)試，避免多設(shè)備切換帶來(lái)的數(shù)據(jù)割裂。

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司自主研發(fā)推出CAF測(cè)試系統(tǒng)GM8800。系統(tǒng)集成±100V內(nèi)置電源與3000V外置高壓模塊，采用三段式步進(jìn)電壓技術(shù)：0-100V區(qū)間0.01V微調(diào)、100-500V步進(jìn)0.1V、500-3000V步進(jìn)1V。電壓精度達(dá)±0.05V（1-100VDC），結(jié)合100V/2ms超快上升速度，精細(xì)模擬電動(dòng)汽車(chē)電控浪涌沖擊。1MΩ保護(hù)電阻與1-600秒可編程穩(wěn)定時(shí)間，有效消除容性負(fù)載誤差。測(cè)試范圍覆蓋10?-101?Ω，其中101?Ω極限測(cè)量精度±10%，為SiC功率模塊提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)絕緣驗(yàn)證方案。導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）現(xiàn)象是導(dǎo)致電路失效的重要原因之一。

HBM的集成不****是帶寬提升，更帶來(lái)了復(fù)雜的混合信號(hào)測(cè)試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號(hào)完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R（Skew）等問(wèn)題，直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì)，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡，實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測(cè)試。例如，通過(guò)GT-TMUHA04（10ps分辨率）精確測(cè)量HBM接口時(shí)序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成純凈激勵(lì)信號(hào)，**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問(wèn)題系統(tǒng)化解決，為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號(hào)的**測(cè)試保障，確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。國(guó)磊GT600在400MHz速率下測(cè)試SerDes、GPIO、I2C、SPI、UART等接口的通信功能完成高速接口功能驗(yàn)證。高性能高阻測(cè)試系統(tǒng)定制

超寬的電阻測(cè)試范圍，從10^4Ω至10^14Ω全覆蓋。深圳絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)定制

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司推出的GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)，是一款專為高精度絕緣電阻與電化學(xué)遷移測(cè)試設(shè)計(jì)的**國(guó)產(chǎn)設(shè)備。該系統(tǒng)支持16至256通道靈活配置，可同時(shí)對(duì)多達(dá)256個(gè)分立測(cè)量點(diǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，電阻測(cè)量范圍覆蓋10^6Ω至10^14Ω，測(cè)量精度在10^10Ω以下可達(dá)±3%，展現(xiàn)出優(yōu)異的測(cè)試一致性。GM8800具備1.0V至3000V的寬電壓測(cè)試能力，內(nèi)置0V~±100V電源，外接偏置電壓可達(dá)3000V，支持步進(jìn)電壓精細(xì)調(diào)節(jié)，電壓精度在100VDC內(nèi)達(dá)±0.05V，超出100VDC則為±0.5V，電壓上升速率高達(dá)100V/2ms，系統(tǒng)還集成多類(lèi)報(bào)警功能，包括低阻、溫濕度異常、電壓超限、AC斷電及軟件異常等，保障測(cè)試過(guò)程的安全與穩(wěn)定。相比進(jìn)口品牌如英國(guó)GEN3，GM8800在通道擴(kuò)展性、電壓范圍和成本控制方面表現(xiàn)更優(yōu)，尤其適合PCB、絕緣材料、焊接工藝及新能源汽車(chē)電子等領(lǐng)域的高阻測(cè)試需求，是國(guó)內(nèi)廠商實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的理想選擇。深圳絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)定制