國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動(dòng)態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動(dòng)智慧機(jī)器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級(jí)!
雅特力科技助力宇樹科技推動(dòng)智慧機(jī)器人創(chuàng)新應(yīng)用
矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認(rèn)證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機(jī)遇并存
中清航科IoT平臺(tái)通過振動(dòng)傳感器+電流波形分析,提前72小時(shí)預(yù)警主軸軸承磨損、刀片鈍化等故障。數(shù)字孿生模型模擬設(shè)備衰減曲線,備件更換周期精度達(dá)±5%,設(shè)備綜合效率(OEE)提升至95%。機(jī)械切割引發(fā)的殘余應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致芯片分層失效。中清航科創(chuàng)新采用超聲波輔助切割,高頻振動(dòng)(40kHz)使材料塑性分離,應(yīng)力峰值降低60%。該技術(shù)已獲ISO14649認(rèn)證,適用于汽車電子AEC-Q100可靠性要求。Chiplet架構(gòu)需對(duì)同片晶圓分區(qū)切割。中清航科多深度切割系統(tǒng)支持在單次制程中實(shí)現(xiàn)5-200μm差異化切割深度,精度±1.5μm。動(dòng)態(tài)焦距激光模塊配合高速振鏡,完成異構(gòu)芯片的高效分離。針對(duì)碳化硅晶圓,中清航科激光改質(zhì)切割技術(shù)突破硬度限制。杭州砷化鎵晶圓切割藍(lán)膜

UV膜殘膠導(dǎo)致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液,在50℃下選擇性分解膠層分子鏈,30秒清理99.9%殘膠且不損傷鋁焊盤,替代高污染溶劑清洗。針對(duì)3DNAND多層堆疊結(jié)構(gòu),中清航科采用紅外視覺穿透定位+自適應(yīng)焦距激光,實(shí)現(xiàn)128層晶圓的同步切割。垂直對(duì)齊精度±1.2μm,層間偏移誤差<0.3μm。中清航科綠色方案整合電絮凝+反滲透技術(shù),將切割廢水中的硅粉、金屬離子分離回收,凈化水重復(fù)利用率達(dá)98%,符合半導(dǎo)體廠零液體排放(ZLD)標(biāo)準(zhǔn)。蘇州sic晶圓切割企業(yè)切割粉塵回收模塊中清航科集成,重金屬污染減排90%以上。

面向磁傳感器制造,中清航科開發(fā)超導(dǎo)磁懸浮切割臺(tái)。晶圓在強(qiáng)磁場(0.5T)下懸浮,消除機(jī)械接觸應(yīng)力,切割后磁疇結(jié)構(gòu)畸變率<0.3%,靈敏度波動(dòng)控制在±0.5%。中清航科電化學(xué)回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達(dá)99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價(jià)值超$80萬,回收水符合SEMIF78標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)零廢液排放。針對(duì)HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(shù)(LCT)。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內(nèi)。
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動(dòng)切割機(jī)配備多軸聯(lián)動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng),通過實(shí)時(shí)監(jiān)測晶圓形變動(dòng)態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3DNAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產(chǎn)能瓶頸,良率99.3%。

為提升芯片產(chǎn)出量,中清航科通過刀片動(dòng)態(tài)平衡控制+激光輔助定位,將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi),使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%,明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級(jí)粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置,在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場,配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒,潔凈度達(dá)Class1標(biāo)準(zhǔn)(>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺)。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI(自動(dòng)光學(xué)檢測)模塊,采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識(shí)別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級(jí)判定,不良品自動(dòng)標(biāo)記,避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi),每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。第三代半導(dǎo)體切割中清航科提供全套解決方案,良率95%+。無錫碳化硅陶瓷晶圓切割藍(lán)膜
切割粉塵在線監(jiān)測中清航科傳感器精度達(dá)0.01μm顆粒物檢測。杭州砷化鎵晶圓切割藍(lán)膜
8英寸晶圓在功率半導(dǎo)體、MEMS等領(lǐng)域仍占據(jù)重要市場份額,中清航科針對(duì)這類成熟制程開發(fā)的切割設(shè)備,兼顧效率與性價(jià)比。設(shè)備采用雙主軸并行切割設(shè)計(jì),每小時(shí)可加工40片8英寸晶圓,且通過優(yōu)化機(jī)械結(jié)構(gòu)降低振動(dòng)噪聲至65分貝以下,為車間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境,深受中小半導(dǎo)體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數(shù)字化轉(zhuǎn)型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊,可實(shí)時(shí)采集切割壓力、溫度、速度等100余項(xiàng)工藝參數(shù),通過邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)進(jìn)行實(shí)時(shí)分析,生成工藝優(yōu)化建議??蛻艨赏ㄟ^云端平臺(tái)查看生產(chǎn)報(bào)表與趨勢分析,實(shí)現(xiàn)基于數(shù)據(jù)的精細(xì)化管理。杭州砷化鎵晶圓切割藍(lán)膜