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2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間,由于電路中其他部分的工作,會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào),這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。集成驅(qū)動(dòng)芯片:一些集成電路(IC)可以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),例如用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋驅(qū)動(dòng)IC。崇明區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路銷售廠

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,這就要在原來(lái)的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下,偶然加主電高壓,通過(guò)米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對(duì)于大功率IGBT,選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求:器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓 的變化對(duì)IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負(fù)偏壓則對(duì)關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計(jì)中,還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)。青浦區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)低邊驅(qū)動(dòng):通常用于將功率開關(guān)器件連接在電源負(fù)極(地)一側(cè)。

3.關(guān)斷瞬時(shí):足夠、反向基極電流—迅速抽出基區(qū)剩余載流子,減小 ;反偏截止電壓,使ic迅速下降,減小 。恒流驅(qū)動(dòng)電路恒定電路即基極電流恒定,功率管飽和導(dǎo)通。恒流驅(qū)動(dòng)優(yōu)點(diǎn):優(yōu)點(diǎn): 電路簡(jiǎn)單;普通恒流驅(qū)動(dòng)電路恒流驅(qū)動(dòng)缺點(diǎn):輕載時(shí)深度飽和,關(guān)斷時(shí)間長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)電路的實(shí)質(zhì)是給柵極電容充放電。 [2]開通:1.驅(qū)動(dòng)電壓足夠高,一般>10V;(減小RDS(on))2.足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流,快的上升沿; (加速開通)3.驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 (加速開通)關(guān)斷:1. 足夠的瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流,快的下降沿; (加速關(guān)斷)2. 驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗小。 (加速關(guān)斷)3. 驅(qū)動(dòng)加負(fù)壓。 (防止誤導(dǎo)通)
如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認(rèn)為Cin=2.2Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到)如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線,那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值:門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測(cè)試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2物理意義:指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如,汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。

調(diào)光原理市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,其工作原理如下:當(dāng)交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時(shí),由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個(gè)充電時(shí)間,電容上的電壓是從0V開始充電的,并且TRIAC的驅(qū)動(dòng)極串聯(lián)有一個(gè)DIAC(雙向觸發(fā)二極管,一般是30V左右),因此TRIAC可靠截止。當(dāng)Ct上的電壓上升到30V時(shí),DIAC觸發(fā)導(dǎo)通,TRIAC可靠導(dǎo)通,此時(shí)TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱?,Ct通過(guò)Rt迅速放電,當(dāng)Ct電壓跌落到30V以下時(shí),DIAC截止,如果TRIAC通過(guò)的電流大于其維持電流則繼續(xù)導(dǎo)通,如果低于其維持電流將會(huì)截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率,以抑制電磁干擾EMI問題。MOSFET驅(qū)動(dòng):MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源,其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。黃浦區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路現(xiàn)價(jià)
驅(qū)動(dòng)電路是電子設(shè)備中的“動(dòng)力源泉”,它負(fù)責(zé)將微弱的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。崇明區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路銷售廠
優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)變換器性能的影響驅(qū)動(dòng)電路1.提高系統(tǒng)可靠性2.提高變換效率(開關(guān)器件開關(guān)、導(dǎo)通損耗)3.減小開關(guān)器件應(yīng)力(開/關(guān)過(guò)程中)4.降低EMI/EMC驅(qū)動(dòng)電路為什么要采取隔離措施安規(guī)問題,驅(qū)動(dòng)電路副邊與主電路有耦合關(guān)系,而驅(qū)動(dòng)原邊是與控制電路連在一起, 主電路是一次電路,控制電路是ELV電路, 一次電路和ELV電路之間要做加強(qiáng)絕緣,實(shí)現(xiàn)絕緣要求一般就采取變壓器光耦等隔離措施。驅(qū)動(dòng)電路采取隔離措施的條件需要隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地(e極) 同—驅(qū)動(dòng)電路無(wú)需隔離;無(wú)需隔離控制參考地與驅(qū)動(dòng)信號(hào)參考地(e極)不同—驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)隔離。崇明區(qū)本地驅(qū)動(dòng)電路銷售廠
祥盛芯城(上海)半導(dǎo)體有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績(jī)讓我們喜悅,但不會(huì)讓我們止步,殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力,祥盛芯城供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái),回首過(guò)去,我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,要不畏困難,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來(lái)!