光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開通時(shí)： 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通，減小開通損耗；2.導(dǎo)通期間：足夠的基極電流，使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗；關(guān)斷前調(diào)整基極電流，使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 ， 關(guān)斷快;驅(qū)動(dòng)電路是電子設(shè)備中的“動(dòng)力源泉”，它負(fù)責(zé)將微弱的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。靜安區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

驅(qū)動(dòng)，計(jì)算機(jī)軟件術(shù)語，是指驅(qū)使計(jì)算機(jī)里硬件動(dòng)作的軟件程序。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序，是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序，其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件，可以說沒有驅(qū)動(dòng)程序，計(jì)算機(jī)中的硬件就無法工作。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序，是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序，其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件，可以說沒有驅(qū)動(dòng)程序，計(jì)算機(jī)中的硬件就無法工作。操作系統(tǒng)不同，硬件的驅(qū)動(dòng)程序也不同，各個(gè)硬件廠商為了保證硬件的兼容性及增強(qiáng)硬件的功能會(huì)不斷地升級(jí)驅(qū)動(dòng)程序。虹口區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路圖片傳感器檢測到的物理量（如溫度、壓力等）可以通過驅(qū)動(dòng)電路轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，以便進(jìn)行后續(xù)處理和分析。

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時(shí)間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零，即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)式如式(3)所示。在斬波角為θ時(shí)，電路對(duì)應(yīng)的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值，Rin為等效輸入阻抗。假設(shè)電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。這種放大作用確保了信號(hào)具有足夠的能量去控制其他電子器件，如電機(jī)、LED顯示屏、傳感器等。

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。技術(shù)意義：在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，驅(qū)動(dòng)程序（Driver）是指一種軟件，它使操作系統(tǒng)能夠與硬件設(shè)備進(jìn)行通信。楊浦區(qū)制造驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

驅(qū)動(dòng)電路在現(xiàn)代電子技術(shù)中發(fā)揮著重要的作用，是實(shí)現(xiàn)各種功能和提升電子器件性能和效率的關(guān)鍵。靜安區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V 時(shí)要大一些(如圖2)。靜安區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路貨源充足

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