如圖1b所示，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110共同位于發(fā)射線圈106內(nèi)。使用如圖1a所示的磁場(chǎng)108，正弦定向線圈112的環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118被定位為使得每個(gè)環(huán)路中的電壓之和抵消，從而使總vsin為0。如圖2a所示，在沒(méi)有金屬目標(biāo)124的情況下，環(huán)路114中的電壓vc可以被表示為1/2，環(huán)路116中的電壓(因?yàn)樵摥h(huán)路中的電流與環(huán)路114和環(huán)路118中的電流相反)可以被表示為vd＝-1，而環(huán)路118中的電壓可以表示為ve＝1/2。因此，線圈112中的電壓為vsin＝vc+vd+ve＝0。因此，如果不存在金屬目標(biāo)124，則來(lái)自正弦定向線圈112的輸出信號(hào)將為0。類似地，如果不存在金屬目標(biāo)124，則來(lái)自余弦定向環(huán)路110的輸出信號(hào)也為0，這是因?yàn)橛森h(huán)路120中的磁場(chǎng)108生成的電壓va＝-1抵消了由環(huán)路122中的磁場(chǎng)108所生成的電壓vb＝1，使得vcos＝va+vb＝0。如上文所討論的，此處提供的電壓描述是成比例的，并且被描述為完整環(huán)路(環(huán)路120、環(huán)路122和環(huán)路116)的比例可以具有大表示1，而環(huán)路114和環(huán)路118可以具有大表示1/2。符號(hào)環(huán)路的參考方向，其導(dǎo)致從該環(huán)路生成電壓。參考方向是任意的，并且無(wú)論選擇兩個(gè)可能的方向中的哪一個(gè)方向來(lái)表示正方向，都可以計(jì)算出一致的結(jié)果。然而。傳感器線圈的線圈在維護(hù)時(shí)需要檢查其絕緣狀態(tài)。安徽傳感器線圈直銷

    并且由于這種不均勻性，目標(biāo)和rx線圈之間的間隙允許許多磁通量無(wú)法正確地被目標(biāo)屏蔽。另一個(gè)效果是，pcb底部上的rx線圈部分比pcb的頂部中的對(duì)應(yīng)部分捕獲更少的感應(yīng)磁通量。后，允許與控制器芯片連接的rx線圈的出口也產(chǎn)生可感測(cè)的偏移誤差。在線性和弧形傳感器中，還存在在傳感器的端部產(chǎn)生巨大的雜散場(chǎng)的強(qiáng)烈效應(yīng)。這后的效應(yīng)是線性和弧形設(shè)計(jì)中大多數(shù)誤差的原因。如上所述，線圈設(shè)計(jì)的優(yōu)化始于算法700的步驟704中的良好仿真。在迭代中，對(duì)算法700的步驟702中所輸入的初始線圈設(shè)計(jì)執(zhí)行仿真。根據(jù)一些實(shí)施例，仿真包括在意大利烏迪內(nèi)大學(xué)開發(fā)的渦電流求解算法。具體地，仿真算法的示例使用在以下發(fā)表文章中介紹的邊界積分方法(bim)：，“aboundaryintegralmethodforcomputingeddycurrents1nthinconductorsforarbitrarytopology(任意拓?fù)涞谋?dǎo)體中的渦電流計(jì)算的邊界積分方法)”，ieee磁學(xué)學(xué)報(bào)(transactionsonmagnetics)，第41卷，第3期，7203904，2015年，其提供非?？焖俚姆抡?25個(gè)目標(biāo)位置需要數(shù)十秒)。可以對(duì)此類算法進(jìn)行調(diào)整，以仿真pcb上的跡線和感應(yīng)傳感器應(yīng)用。具體地。遼寧防爆傳感器線圈傳感器線圈用途，無(wú)錫東英電子有限公司。

對(duì)處在這個(gè)電磁場(chǎng)范圍的其他導(dǎo)線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號(hào)通過(guò)電感線圈時(shí)會(huì)遇到很大的阻力，很難通過(guò)；而對(duì)低頻信號(hào)通過(guò)它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號(hào)可以較容易的通過(guò)它。電感線圈對(duì)直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對(duì)于電路中電信號(hào)的流動(dòng)都會(huì)呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對(duì)電流信號(hào)所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時(shí)我們把它簡(jiǎn)稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時(shí)，所繞的線圈的圈數(shù)我們一般把它稱為線圈的“匝數(shù)“。

    利用在步驟1002中提供的其他參數(shù)來(lái)接收發(fā)射線圈的驅(qū)動(dòng)電壓和操作頻率。一旦確定了來(lái)自發(fā)射線圈的電磁場(chǎng)，在步驟1008中就可以確定由于這些場(chǎng)而在金屬目標(biāo)中生成的渦電流。根據(jù)渦電流，可以仿真由目標(biāo)生成的磁場(chǎng)。在步驟1010中，確定由于由發(fā)射線圈生成的場(chǎng)和由金屬目標(biāo)中的感應(yīng)渦電流生成的場(chǎng)的組合而在接收器線圈中生成的電壓。在步驟1011中，針對(duì)目標(biāo)的現(xiàn)行位置再次執(zhí)行電感l(wèi)的計(jì)算，以評(píng)估l相對(duì)于步驟1003的結(jié)果的變化。在步驟1012中，存儲(chǔ)響應(yīng)數(shù)據(jù)以供將來(lái)參考。在步驟1014中，算法704進(jìn)行檢查以查看掃描是否已經(jīng)完成。如果未完成，則算法704進(jìn)行到步驟1018，在步驟1018處，金屬目標(biāo)的當(dāng)前位置遞增，然后進(jìn)行到步驟1004，在步驟1004處開始對(duì)該位置的仿真。如果掃描完成，則算法704進(jìn)行到步驟1016，在步驟1016處，仿真結(jié)束，并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據(jù)仿真對(duì)線圈的重新配置(在圖7a中，仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設(shè)計(jì)調(diào)整步驟712)應(yīng)足夠快，以在短時(shí)間段內(nèi)測(cè)試大量的線圈設(shè)計(jì)配置。在通過(guò)算法700獲得經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)之前，可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此，存在一些模型簡(jiǎn)化，這盡管基本上不影響仿真的準(zhǔn)確性。傳感器線圈推薦，無(wú)錫東英電子有限公司值得信賴，歡迎您的光臨！

在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過(guò)處理vcos和vsin的值來(lái)確定角位置。如圖所示，通過(guò)從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來(lái)自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來(lái)確定，如圖2e所示。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無(wú)錫東英電子有限公司為您服務(wù)！歡迎各位新老朋友垂詢！安徽傳感器線圈直銷

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    例如塊體積元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效電路(peec)或基于體積積分公式的方法，其可以提供對(duì)由實(shí)際三維電流承載結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)進(jìn)行估計(jì)的進(jìn)一步的提高。金屬目標(biāo)通?？梢杂蓪?dǎo)電表面表示。如圖10a所示，算法704在步驟1002處開始。在步驟1002中，獲得描述tx線圈和rx線圈、目標(biāo)的幾何形狀、氣隙規(guī)范和掃描規(guī)范的pcb跡線設(shè)計(jì)。這些輸入?yún)?shù)例如可以由算法700提供，要么在算法700的輸入步驟702期間通過(guò)初始輸入，要么從來(lái)自算法700的線圈調(diào)整步驟712的經(jīng)調(diào)整的線圈設(shè)計(jì)來(lái)提供，如圖7a所示。算法704然后進(jìn)行到步驟1003。在步驟1003中，算法704以在步驟1002中設(shè)置的頻率參數(shù)計(jì)算發(fā)射線圈(tx)的跡線的電阻r和電感l(wèi)。在不存在目標(biāo)的情況下執(zhí)行計(jì)算，以給出品質(zhì)因數(shù)的估計(jì)q＝2πfl/r。在步驟1004中，設(shè)置參數(shù)以仿真特定線圈設(shè)計(jì)的性能和在步驟1002中接收的線圈設(shè)計(jì)的氣隙，其中金屬目標(biāo)如在掃描參數(shù)中定義的被設(shè)置在現(xiàn)行位置。如果這是次迭代，則將現(xiàn)行位置設(shè)置為在步驟1002中接收到的數(shù)據(jù)中所定義的掃描的起點(diǎn)。否則，將位置設(shè)置為掃描中的當(dāng)前定義的位置。在步驟1006中，確定由發(fā)射線圈生成的電磁場(chǎng)。安徽傳感器線圈直銷