圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個(gè)矩形跡線1022的表示可以通過單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來實(shí)現(xiàn)?？梢钥闯?，該場(chǎng)與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點(diǎn)相對(duì)于發(fā)射線圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計(jì)算為代價(jià)將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的建模誤差減小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計(jì)算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級(jí)的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計(jì)算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計(jì)算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個(gè)網(wǎng)格元素)來達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。傳感器線圈的線圈在制造過程中需要精確控制質(zhì)量。安徽傳感器線圈廠家

   電感線圈的敏感性要通過使用單獨(dú)的前置放大線圈獲得。當(dāng)然，對(duì)于弱的磁場(chǎng)，使用者也可以通過增加音量來彌補(bǔ)。但是這樣不太方便，尤其是需要經(jīng)常切換麥克風(fēng)擋和電感擋時(shí)。此外，這需要助聽器有足夠的音量保留，同時(shí)在獲得足夠的增益時(shí)不會(huì)引起嘯叫。在電感位置，如果增益太大，也會(huì)引起嘯叫。就像聲波從授話器漏回麥克風(fēng)會(huì)引起反饋一樣，磁場(chǎng)引起的嘯叫也是從授話器漏回到電感線圈引起的。(三)感應(yīng)線圈回路的頻率響應(yīng)助聽器通過麥克風(fēng)接收到的頻率響應(yīng)與通過感應(yīng)線圈得到的頻率響應(yīng)之間存在著匹配的問題。助聽器的響度通常都通過仔細(xì)的調(diào)整，以適合佩戴者、假?zèng)]助聽器在聲音輸入是70dBSPL時(shí)和磁場(chǎng)強(qiáng)度是100mA/m時(shí)的輸出功率是一樣的話，助聽器佩戴者就可以方便地從麥克風(fēng)擋切換到電感擋，而無需改變音量。然而感應(yīng)線圈回路和助聽器電感系統(tǒng)的頻響有時(shí)仍不能令人滿意。但回路響應(yīng)和助聽器電感響應(yīng)結(jié)合時(shí)產(chǎn)生的聲音，不能與原來的聲音響應(yīng)區(qū)別太大。只有一個(gè)例外，即500Hz以下頻率聲音的減弱，在某些情況下對(duì)某些人可能是有利的，因?yàn)檫@個(gè)頻率范圍是磁場(chǎng)干擾容易發(fā)生的。但這也是對(duì)重度聽力損失的人很重要的頻率范圍。好在多記憶助聽器可以分開調(diào)整麥克風(fēng)和電感的響應(yīng)。防爆傳感器線圈廠家供貨小型傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL品質(zhì)因素品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線圈導(dǎo)線的直流電阻、線圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。分布電容任何電感線圈，其匝與匝之間、層與層之間，線圈與參考地之間，線圈與磁屏蔽罩間等都存在一定的電容，這些電容稱為電感線圈的分布電容。若將這些分布電容綜合在一起，就成為一個(gè)與電感線圈并聯(lián)的等效電容C。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。額定電流額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過的大電流值。若工作電流超過額定電流，則電感器就會(huì)因發(fā)熱而使性能參數(shù)發(fā)生改變，甚至還會(huì)因過流而燒毀。允許偏差允許偏差是指電感器上標(biāo)稱的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或?yàn)V波等電路中的電感器要求精度較高。

相對(duì)于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對(duì)關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計(jì)可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補(bǔ)償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號(hào)失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)線圈中的通孔比另一個(gè)線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對(duì)稱)時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動(dòng)時(shí)正弦信號(hào)相對(duì)于余弦信號(hào)的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長(zhǎng)度相同。此外，通孔相對(duì)于設(shè)計(jì)的對(duì)稱中心是對(duì)稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的來電！

為了簡(jiǎn)化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場(chǎng)之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通?？梢员唤楸〗饘倨Ｍǔ?，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測(cè)量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場(chǎng)的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈的自感和互感特性需要精確測(cè)量。貴州外殼傳感器線圈

傳感器線圈的線圈材料通常為銅或銀，以提高導(dǎo)電性。安徽傳感器線圈廠家

    可以替代地修改余弦接收線圈，并且相對(duì)于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對(duì)關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計(jì)可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補(bǔ)償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號(hào)失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)接收器線圈中的通孔比另一個(gè)接收器線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對(duì)稱)時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動(dòng)時(shí)正弦信號(hào)相對(duì)于余弦信號(hào)的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長(zhǎng)度相同。此外，通孔相對(duì)于設(shè)計(jì)的對(duì)稱中心是對(duì)稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中。安徽傳感器線圈廠家