它們允許將發(fā)射線圈802的跡線連接在pcb的側(cè)面之間。如圖8a和圖8b進(jìn)一步所示，接收線圈包括余弦定向線圈804和正弦定向線圈806。余弦定向線圈804包括通孔818，其允許余弦定向線圈804的導(dǎo)線跡線從pcb的一側(cè)過渡到另一側(cè)。類似地，正弦定向線圈806包括通孔820，其允許在pcb的側(cè)面之間過渡正弦定向線圈806的布線。線圈布局800中包括的另一個特征是阱808、810和812的增加，這些阱進(jìn)一步補償由發(fā)射線圈802生成的場的不均勻性以及由該不均勻性生成的所得偏移誤差。如線圈設(shè)計800中所示，提供阱808和阱810來調(diào)整正弦定向線圈804，并設(shè)置阱812來調(diào)整余弦定向線圈806。此外，可以提供通孔822和通孔824，使得阱808和阱812的跡線可以分別在pcb的任一側(cè)上。阱808、阱810和阱812可以例如補償由于發(fā)射線圈802生成的場中的不均勻性而引起的接收線圈804和接收線圈806中的偏差。圖9a、圖9b和圖9c示出根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的另一種線圈設(shè)計。與線圈設(shè)計800所示的線性位置系統(tǒng)不同，圖9a、圖9b和圖9c所示的線圈設(shè)計900示出旋轉(zhuǎn)位置系統(tǒng)。如線圈設(shè)計900中所示，發(fā)射線圈902、余弦定向接收線圈904和正弦定向接收器線圈906以圓形方式定向。此外，發(fā)射線圈902包括具有引線920的變形部分916。單向傳感器線圈芯，無錫東英電子有限公司。原裝傳感器線圈廠家

   電渦流傳感器的使用也有一些限制。舉例來講，對于不同的應(yīng)用，都需要做相應(yīng)的線性度校準(zhǔn)。而且，傳感器探頭的輸出信號也會受被測物體的電氣和機械性能影響。然而，正是這些使用過程中的限制，使德國米銥的電渦流傳感器擁有達(dá)到納米級別的分辨率。目前，德國米銥的電渦流傳感器可以滿足100μm到100mm的測量量程。根據(jù)量程的不同，安裝空間也可以達(dá)到2mm到140mm的范圍。離開位移傳感器的機械工程幾乎是很難想象的。這些位移傳感器被用來控制不同的運動，監(jiān)控液位，檢查產(chǎn)品質(zhì)量以及其他很多應(yīng)用。這里我們談?wù)剛鞲衅鞫伎赡苊鎸δ男┎煌那闆r以及惡劣的使用環(huán)境，以及如何客服不利因素。傳感器經(jīng)常被應(yīng)用于非常惡劣的環(huán)境，例如油污，熱蒸汽或者劇烈波動的溫度。一些傳感器還要在振動部件上使用，在強電磁場內(nèi)或者需要離開被測物體一定的距離使用。對一些重要的應(yīng)用，還需要對精度，溫度穩(wěn)定性，分辨率和截止頻率提出要求。針對這些限制，不同的測量原理各有優(yōu)劣。這也意味著沒有統(tǒng)一的優(yōu)化測量原理的方法。電渦流傳感器又可以細(xì)分為屏蔽和非屏蔽兩種。使用屏蔽傳感器，可以產(chǎn)生更窄的電磁場分布，而且傳感器不會受放射性金屬的靠近影響。對于非屏蔽傳感器。重慶工業(yè)傳感器線圈雙向傳感器線圈，無錫東英電子有限公司。

   即：聲音輸入一放大一感應(yīng)線圈電流一環(huán)繞線圈的電磁場一拾音線圈感應(yīng)電流一聲音輸出。這樣一來，聽障者可充分利用助聽器的T擋(拾音線圈，telecoil)，在進(jìn)入預(yù)先鋪設(shè)有線圈的室內(nèi)時，通過電磁感應(yīng)原理，接收到清晰的聲音，而不受距離和人數(shù)的限制。在絕大多數(shù)耳背式及一部分耳內(nèi)式助聽器中，都裝配有感應(yīng)線圈，即助聽器上的T擋(拾音線圈，tele—coil)。當(dāng)助聽器的輸人選擇開關(guān)置于T擋，該線圈就可以拾取周圍的電磁信號并把它轉(zhuǎn)換成電信號進(jìn)行放大。這一設(shè)計的本意是幫助患者更好地接聽電話：感應(yīng)線圈從電話聽筒的電磁式耳機中拾取電磁信號，而不需由電話聽筒中的耳機把電信號轉(zhuǎn)換成聲信號，再由助聽器的麥克風(fēng)將其轉(zhuǎn)換成電信號。省去這樣兩個多余的中間步驟，有助于提高信噪比，但是已知的電話機的磁場比較弱，用T擋聽電話會覺得聲音很微弱，需在聽筒上配備其他一些器件將磁場信號放大，而環(huán)路感應(yīng)線圈的磁場信號較強，可鋪設(shè)在一些場所，如在某些影戲院、禮堂、會議室、教室、教堂內(nèi)，聲音以電磁信號方式散布于環(huán)路之內(nèi)，使聽障者可以清晰地聽到聲音。[1]系統(tǒng)的構(gòu)造編輯(一)磁場的均勻和方向直線電流的磁場是從產(chǎn)生磁場的電流朝外擴展的，磁場的方向。

    圖10f示出正在算法704中進(jìn)行仿真的位置定位系統(tǒng)設(shè)計中的接收器線圈1028和接收器線圈1026上方的金屬目標(biāo)1204的定位。為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計800的示例，其中接收器線圈1028和接收器線圈1026分別與接收器線圈804和接收器線圈806的跡線的一維近似相對應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標(biāo)1024通?？梢员唤楸〗饘倨?。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。如果不是這種情況。傳感器線圈的電磁兼容性能是設(shè)計時需要考慮的因素。

vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。傳感器線圈的線圈繞制方向?qū)ζ湫阅苡屑?xì)微差別。江蘇傳感器線圈參數(shù)

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為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。原裝傳感器線圈廠家