國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運動
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動智慧機(jī)器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認(rèn)證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機(jī)遇并存
Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料,通過精密的摻雜和燒結(jié)工藝,形成了極其穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。這種材料基礎(chǔ)賦予了電容極高的介電常數(shù)和很低的介質(zhì)損耗,使其在高頻環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的容值表現(xiàn)。其介質(zhì)配方完全自主可控,避免了國內(nèi)外材料供應(yīng)鏈波動的風(fēng)險,為國產(chǎn)化替代提供了堅實的材料基礎(chǔ),確保了產(chǎn)品批次間的高度一致性。在射頻微波應(yīng)用中,Dalicap電容展現(xiàn)出極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。其三維多層電極設(shè)計優(yōu)化了電流路徑,將寄生參數(shù)降至比較低,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中,能有效降低信號傳輸?shù)牟迦霌p耗和能量反射,保證信號完整性,特別適用于5G基站和毫米波通信設(shè)備。低ESR特性有效減少自身發(fā)熱,明顯提升電源轉(zhuǎn)換效率。DLC70D1R8BW251NT

Dalicap電容在工業(yè)激光設(shè)備中表現(xiàn)出色,其高功率處理能力和穩(wěn)定性保障了激光器的出光質(zhì)量和使用壽命。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容和科研等領(lǐng)域,得到了設(shè)備制造商的高度認(rèn)可。通過諧振腔法等精密測試手段,Dalicap確保了產(chǎn)品性能參數(shù)的準(zhǔn)確性和可靠性。其測試能力覆蓋了高頻、高功率、高溫等極端條件,為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量控制提供了堅實的數(shù)據(jù)支撐。Dalicap電容的供貨保障能力強(qiáng),能夠應(yīng)對大批量產(chǎn)品交付或交貨期要求高的訂單。公司采用以銷定產(chǎn)和備貨式生產(chǎn)相結(jié)合的生產(chǎn)模式,提高了產(chǎn)能利用效率和供貨及時性,滿足了客戶的緊急需求。DLC70A120FW151XT很好的紋波電流承受能力,適用于高頻開關(guān)電源場景。

Dalicap電容展現(xiàn)出很好的抗輻射性能,能夠滿足太空電子設(shè)備在宇宙射線環(huán)境下的長期可靠運行要求。其材料結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計經(jīng)過特殊優(yōu)化,抵御輻射帶來的性能衰減,為衛(wèi)星通信和航天器提供了關(guān)鍵元器件的國產(chǎn)化解決方案。公司采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測試電容Q值關(guān)鍵參數(shù),確保了產(chǎn)品性能測量的準(zhǔn)確性和可靠性。其的射頻應(yīng)用實驗室運用射頻仿真技術(shù)和射頻高功率測試技術(shù),為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供了有力保障。Dalicap電容的直流偏壓特性優(yōu)異,其容值隨直流偏壓變化極小。普通高介電常數(shù)電容在高偏壓下容值會大幅下降,而Dalicap的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關(guān)電源的輸出濾波電容至關(guān)重要,確保了電源環(huán)路在不同負(fù)載下的穩(wěn)定性。
通過半導(dǎo)體級的精密制造工藝,Dalicap實現(xiàn)了對介質(zhì)層厚度和電極結(jié)構(gòu)的納米級控制。其介質(zhì)薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復(fù)性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達(dá)、多通道通信系統(tǒng)等應(yīng)用而言,確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定,減少了后期校準(zhǔn)的復(fù)雜度。高耐壓能力是Dalicap產(chǎn)品的另一亮點。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計和介質(zhì)層均勻化處理,有效消除了電場集中效應(yīng),從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩(wěn)健的耐壓性能,使其在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、新能源汽車電控系統(tǒng)、醫(yī)療X光設(shè)備等高能應(yīng)用中,成為保障系統(tǒng)安全、防止短路失效的關(guān)鍵元件。高性價比使其成為眾多廠商的頭部電容品牌之一。

Dalicap電容通過了很全的可靠性測試,包括MIL-STD-202等標(biāo)準(zhǔn)下的溫度循環(huán)、機(jī)械沖擊、振動、耐濕等測試。其產(chǎn)品符合AEC-Q200汽車電子標(biāo)準(zhǔn),能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求,如高溫、高濕和振動,適用于發(fā)動機(jī)ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域。在電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中,Dalicap電容的低阻抗特性發(fā)揮了關(guān)鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(nèi)(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關(guān)噪聲(SSN),為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩(wěn)定的電壓,防止系統(tǒng)時序錯誤和數(shù)據(jù)損壞。交期穩(wěn)定,能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。DLC70A130JW151NT
在功率因數(shù)校正(PFC)電路中是至關(guān)重要的組件。DLC70D1R8BW251NT
Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種封裝不僅提供了極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力(可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環(huán)境,延長了設(shè)備的使用壽命。應(yīng)用領(lǐng)域與市場表現(xiàn)在5G通信基站領(lǐng)域,Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠為功耗數(shù)百瓦的AAU(有源天線單元)和BBU(基帶處理單元)提供瞬時的大電流響應(yīng),有效抑制電源噪聲和紋波,為高速SerDes和DSP芯片提供穩(wěn)定潔凈的電源,是維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)的基石。DLC70D1R8BW251NT
深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗,在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!