國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運動
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動智慧機器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機遇并存
高性能的測試與測量設(shè)備(如高級示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀)本身就是對信號保真度要求比較高的電子系統(tǒng)。它們的模擬前端、采樣電路、時鐘系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理單元必須具有極低的噪聲和失真。超寬帶電容在這些設(shè)備中無處不在,用于穩(wěn)定電源、過濾噪聲、耦合信號以及構(gòu)建內(nèi)部高頻電路。它們的性能直接影響到設(shè)備的基線噪聲、動態(tài)范圍、測量精度和帶寬指標。可以說,沒有高性能的超寬帶電容,就無法制造出能夠精確測量GHz信號的前列測試設(shè)備。這些設(shè)備反過來又用于表征和驗證其他超寬帶電容的性能,形成了技術(shù)發(fā)展的正向循環(huán)。低ESL設(shè)計能減少高頻下電容自身的發(fā)熱和效率損耗。111XGA271K100TT

在現(xiàn)代高速電路設(shè)計中,憑借經(jīng)驗或簡單計算已無法設(shè)計出有效的超寬帶退耦網(wǎng)絡(luò)。必須借助先進的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導(dǎo)入實際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數(shù)模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優(yōu)化電容的數(shù)量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預(yù)測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發(fā)周期,降低風(fēng)險。118JJ680K100TT它與去耦電容網(wǎng)絡(luò)設(shè)計共同構(gòu)成完整的電源解決方案。

單一電容器無法在超寬頻帶內(nèi)始終保持低阻抗。因此,在實際電路中,需要構(gòu)建一個由多個不同容值電容器組成的退耦網(wǎng)絡(luò)。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負責(zé)濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF)或電解電容負責(zé)濾除低頻紋波和提供電荷儲備。這些電容并聯(lián)后,它們的阻抗曲線相互疊加,從而在從低頻到極高頻的整個范圍內(nèi)形成一條平坦的低阻抗路徑。PCB上的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)設(shè)計就是基于此原理,通過精心選擇不同容值、不同封裝的電容并合理布局,來實現(xiàn)超寬帶的低阻抗目標。
寄生參數(shù)是理解電容器頻率響應(yīng)的關(guān)鍵。一個非理想電容器的簡化模型是電容(C)、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)的串聯(lián)。其總阻抗Z = √(R2 + (2πfL - 1/(2πfC))2)。在低頻時,容抗(1/ωC)主導(dǎo),阻抗隨頻率升高而下降,表現(xiàn)出典型的電容特性。當(dāng)頻率達到自諧振頻率(fSRF = 1/(2π√(LC)))時,容抗與感抗相等,阻抗達到最小值,等于ESR。超過fSRF后,感抗(ωL)開始主導(dǎo),阻抗隨頻率升高而增加,器件表現(xiàn)出電感特性,退耦效果急劇惡化。超寬帶電容的重心目標就是通過技術(shù)手段將ESL和ESR降至極低,并將fSRF推向盡可能高的頻率,同時保證在寬頻帶內(nèi)阻抗都低于目標值。車規(guī)級超寬帶電容必須通過AEC-Q200等可靠性認證。

低ESL設(shè)計是超寬帶電容技術(shù)的重中之重。結(jié)構(gòu)創(chuàng)新包括采用多端電極設(shè)計,如三端電容或帶翼電極電容,將傳統(tǒng)的兩端子“進-出”電流路徑,改為“穿心”式或更低回路的路徑,從而抵消磁場、減小凈電感。內(nèi)部電極采用交錯堆疊和優(yōu)化布局,盡可能縮短內(nèi)部電流通路。在端電極方面,摒棄傳統(tǒng)的 wire-bond 或長引線,采用先進的倒裝芯片(Flip-Chip)或landing pad技術(shù),使電容能以短的路徑直接貼裝在PCB的電源-地平面之間,比較大限度地減少由封裝和安裝引入的額外電感。這些結(jié)構(gòu)上的精妙設(shè)計是達成皮亨利(pH)級別很低ESL的關(guān)鍵。它能夠有效抑制電磁干擾(EMI),提升產(chǎn)品合規(guī)性。118HCC7R5M100TT
構(gòu)建退耦網(wǎng)絡(luò)時,需并聯(lián)不同容值電容以覆蓋全頻段。111XGA271K100TT
微波電路應(yīng)用在微波領(lǐng)域,超寬帶電容發(fā)揮著關(guān)鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調(diào)諧電容廣泛應(yīng)用于雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信設(shè)備和微波收發(fā)模塊中。在這些應(yīng)用中,電容器需要處理GHz頻率的信號,傳統(tǒng)電容由于寄生參數(shù)的影響會導(dǎo)致信號失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計,采用共面電極和分布式電容結(jié)構(gòu),比較大限度地減少了寄生效應(yīng)。例如在微波功率放大器中,超寬帶電容用作偏置網(wǎng)絡(luò)的一部分,能夠有效隔離直流同時為射頻信號提供低阻抗通路。111XGA271K100TT
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