Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料，通過精密的摻雜和燒結(jié)工藝，形成了極其穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。這種材料基礎(chǔ)賦予了電容極高的介電常數(shù)和很低的介質(zhì)損耗，使其在高頻環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的容值表現(xiàn)。其介質(zhì)配方完全自主可控，避免了國內(nèi)外材料供應(yīng)鏈波動的風(fēng)險，為國產(chǎn)化替代提供了堅實的材料基礎(chǔ)，確保了產(chǎn)品批次間的高度一致性。在射頻微波應(yīng)用中，Dalicap電容展現(xiàn)出極低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL）。其三維多層電極設(shè)計優(yōu)化了電流路徑，將寄生參數(shù)降至比較低，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中，能有效降低信號傳輸?shù)牟迦霌p耗和能量反射，保證信號完整性，特別適用于5G基站和毫米波通信設(shè)備。具備優(yōu)異的高溫性能，可在105℃高溫下長時間穩(wěn)定工作。DLC75D1R8DW251NT

Dalicap電容通過了很全的可靠性測試，包括MIL-STD-202等標(biāo)準(zhǔn)下的溫度循環(huán)、機(jī)械沖擊、振動、耐濕等測試。其產(chǎn)品符合AEC-Q200汽車電子標(biāo)準(zhǔn)，能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求，如高溫、高濕和振動，適用于發(fā)動機(jī)ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域。在電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）中，Dalicap電容的低阻抗特性發(fā)揮了關(guān)鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開關(guān)噪聲（SSN），為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩(wěn)定的電壓，防止系統(tǒng)時序錯誤和數(shù)據(jù)損壞。DLC75B6R8CW501XT提供小型化、高容值電容，滿足消費電子緊湊空間需求。

在光通信模塊（如400G/800G光收發(fā)器）中，Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦，抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性，確保了射頻驅(qū)動電路的性能，對于維持高信噪比和低誤碼率至關(guān)重要。Dalicap電容的無壓電效應(yīng)特性徹底消除了傳統(tǒng)II類陶瓷電容因電壓變化產(chǎn)生的振動和嘯叫問題。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的，不會在交流電壓作用下發(fā)生形變，適用于高保真音頻設(shè)備和敏感測量儀器，提供了更純凈的信號處理能力。

極低的損耗角正切值（Dissipation Factor, DF）是Dalicap電容在高頻功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色的關(guān)鍵。其DF值可低至0.1%，意味著電容自身的能量損耗（轉(zhuǎn)化為熱能）極低。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中，這一特性直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率和更大的輸出功率能力，同時降低了熱失控風(fēng)險。通過半導(dǎo)體級別的精密制造工藝，Dalicap電容實現(xiàn)了納米級介質(zhì)層厚度控制和微米級的疊層精度。其流延成型和共燒技術(shù)確保了內(nèi)部多層介質(zhì)與電極結(jié)構(gòu)的完整性與可靠性，產(chǎn)品一致性和重復(fù)性極高。這對于需要大量配對使用的相位陣列雷達(dá)和多通道通信系統(tǒng)而言，確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定。不斷開發(fā)新產(chǎn)品，以滿足日益發(fā)展的電子技術(shù)需求。

在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中，Dalicap電容承擔(dān)著儲能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其高耐壓能力允許存儲高能量，低ESR確保了在極短時間內(nèi)（微秒或納秒級）能夠釋放出巨大的峰值電流，低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小，滿足了高功率雷達(dá)系統(tǒng)的需求。Dalicap電容的定制化能力強(qiáng)大，可根據(jù)客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數(shù)和封裝形式的產(chǎn)品。這種“量體裁衣”式的服務(wù)解決了客戶在前列產(chǎn)品研發(fā)中遇到的特種元件需求，加速了創(chuàng)新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。通過深耕射頻微波MLCC行業(yè)，Dalicap產(chǎn)品型號和性能日臻完善，逐步實現(xiàn)對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產(chǎn)品領(lǐng)域的對標(biāo)和覆蓋。2022年，其全球市場占有率位列中國企業(yè)第1位，成為為數(shù)不多的具有國際市場射頻微波MLCC產(chǎn)品供應(yīng)能力的中國企業(yè)之一。在功率因數(shù)校正（PFC）電路中是至關(guān)重要的組件。DLC75A100FW151NT

密封性能很好，有效防止電解液泄漏和干涸。DLC75D1R8DW251NT

Dalicap電容的微型化能力突出，其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現(xiàn)代消費電子、可穿戴設(shè)備及高級SiP（系統(tǒng)級封裝）對PCB空間的追求，為高密度集成電路設(shè)計提供了前所未有的靈活性。產(chǎn)品具有很好的抗老化特性，其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定，容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數(shù)衰減規(guī)律，確保了設(shè)備在十年甚至二十年的使用壽命內(nèi)關(guān)鍵電路參數(shù)的穩(wěn)定。完全無壓電效應(yīng)的特性使其區(qū)別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的，不會在交流電壓作用下發(fā)生形變，從而徹底避免了因振動或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲（嘯叫）和微觀機(jī)械噪聲，適合高保真音頻應(yīng)用。DLC75D1R8DW251NT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！