容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢(shì)之一。其C0G（NP0）介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi)，容值變化率小于±0.5%。同時(shí)，容值隨時(shí)間的老化率遵循對(duì)數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，這對(duì)于需要長(zhǎng)壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用至關(guān)重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力，最高工作溫度可達(dá)+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性，避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能退化。這使得它們能夠直接應(yīng)用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域，簡(jiǎn)化了熱管理設(shè)計(jì)。所有產(chǎn)品符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足歐盟RoHS等法規(guī)要求。DLC75A391GW151NT

Dalicap電容的高耐壓特性使其能夠承受較高的工作電壓，確保電路的安全運(yùn)行。其介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，提供了高擊穿電壓和低泄漏電流，避免了在高電壓應(yīng)用中的失效風(fēng)險(xiǎn)，適用于工業(yè)控制和電力系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計(jì)算設(shè)備中，Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設(shè)計(jì)要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節(jié)點(diǎn)和通信模塊節(jié)省了寶貴空間，低ESR帶來(lái)的低自身功耗延長(zhǎng)了電池壽命。Dalicap電容的快速響應(yīng)能力使其能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的CPU/GSIC提供瞬時(shí)的大電流響應(yīng)，將電源平面阻抗控制在目標(biāo)范圍內(nèi)，防止芯片因瞬時(shí)負(fù)載變化而產(chǎn)生的電壓塌陷，保障了高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）加速器的穩(wěn)定運(yùn)行。DLC75A2R7AW151NT交期穩(wěn)定，能夠滿(mǎn)足客戶(hù)大規(guī)模生產(chǎn)的需求。

公司擁有完善的產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)資質(zhì)，如《裝備承制單位資格證書(shū)》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級(jí)保密資格單位證書(shū)》等。其產(chǎn)品在設(shè)備領(lǐng)域具有高可靠、定制化能力和生產(chǎn)全流程自主可控等優(yōu)勢(shì)，滿(mǎn)足了應(yīng)用的特定需求。Dalicap電容的電介質(zhì)吸收（DA）特性極低，典型值可低至0.02%。這種近乎無(wú)記憶效應(yīng)的特性使其成為精密積分電路、采樣保持電路和ADC參考電壓源的理想選擇，避免了殘余電壓導(dǎo)致的測(cè)量誤差。通過(guò)高級(jí)電子元器件產(chǎn)業(yè)化一期項(xiàng)目的建設(shè)，Dalic普擴(kuò)大了產(chǎn)能，提高了產(chǎn)品品質(zhì)和市場(chǎng)響應(yīng)速度。新工廠設(shè)計(jì)年產(chǎn)能為30億只瓷介電容器，更好地滿(mǎn)足了國(guó)內(nèi)5G通信等重點(diǎn)領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代的急迫需求。

Dalicap電容表現(xiàn)出的高溫性能。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)能夠承受高達(dá)+200°C甚至+250°C的持續(xù)工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優(yōu)異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、渦輪增壓器附近等高溫區(qū)域，無(wú)需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。極低的電介質(zhì)吸收（Dielectric Absorption, DA） 特性使其在精密模擬電路中表現(xiàn)出色。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”，會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%，遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容，這使其成為構(gòu)建高精度采樣保持電路（SHA）、積分器和精密ADC/DAC的理想選擇，有效避免了測(cè)量誤差。低ESR特性有效減少自身發(fā)熱，明顯提升電源轉(zhuǎn)換效率。

Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣，從低壓幾伏特到高壓數(shù)千伏特，能滿(mǎn)足不同電路等級(jí)的絕緣和耐壓需求。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計(jì)和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場(chǎng)集中效應(yīng)，顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW），保障了工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)等高壓應(yīng)用的安全。在微型化方面，Dalicap提供了0402（1.0mm x 0.5mm）、0201（0.6mm x 0.3mm）等超小尺寸封裝，滿(mǎn)足現(xiàn)代消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、微型傳感器及高級(jí)SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）對(duì)PCB空間的很好追求。盡管體積微小，但其性能并未妥協(xié)，為高密度集成電路設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活性。持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新確保其產(chǎn)品性能處于行業(yè)頭部水平。DLC70E0R6CW362XT

在高頻環(huán)境下仍能保持優(yōu)良的電性能表現(xiàn)。DLC75A391GW151NT

在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中，Dalicap電容的高精度和穩(wěn)定性直接決定了功率傳輸效率。其微小的容值公差（可至±0.1pF）和近乎為零的溫度系數(shù)，確保了匹配網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的精確性和環(huán)境適應(yīng)性，優(yōu)化了天線駐波比和功放效率。Dalicap電容符合RoHS和REACH等環(huán)保法規(guī)，其生產(chǎn)流程綠色化，產(chǎn)品不含鉛、汞、鎘等有害物質(zhì)。這不僅滿(mǎn)足了全球市場(chǎng)的準(zhǔn)入要求，也體現(xiàn)了公司對(duì)社會(huì)可持續(xù)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的責(zé)任擔(dān)當(dāng)。公司匯聚了來(lái)自三星、村田、ATC和英特爾等世界企業(yè)的技術(shù)人才，形成了強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。這種人才優(yōu)勢(shì)為公司的持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)突破提供了不竭動(dòng)力，奠定了其在行業(yè)中的地位。DLC75A391GW151NT

深圳市英翰森科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力，深圳市英翰森科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái)，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來(lái)！