Dalicap積極推行數(shù)字化和精益管理。通過(guò)重新規(guī)劃信息化系統(tǒng)架構(gòu)，搭建數(shù)據(jù)中心及數(shù)據(jù)安全系統(tǒng)，提高了生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)管理的效率和內(nèi)部控制制度的有效性。同時(shí)鼓勵(lì)全員參與改善提案，持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝，降低浪費(fèi)，提升效率和質(zhì)量。綜合競(jìng)爭(zhēng)力與未來(lái)發(fā)展Dalicap的核心競(jìng)爭(zhēng)力體現(xiàn)在其深厚的技術(shù)壁壘上。公司擁有33項(xiàng)（其中發(fā)明專利11項(xiàng)）和12項(xiàng)軟件著作權(quán)，并多次獲得中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽一等獎(jiǎng)、遼寧省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)等重要獎(jiǎng)項(xiàng)，展現(xiàn)了強(qiáng)大的創(chuàng)新和創(chuàng)造能力。品牌信譽(yù)卓著，是工程師和采購(gòu)商信賴的合作伙伴。DLC75B680JW501XT

產(chǎn)品具備出色的高頻特性，其損耗角正切值（Dissipation Factor, DF）低于0.1%至2.5%，在高頻范圍內(nèi)仍能保持低能耗和高效率。這一特性在5G基站、雷達(dá)系統(tǒng)和高速通信設(shè)備中尤為重要，確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院驼w系統(tǒng)的能效，同時(shí)低損耗也意味著自身發(fā)熱少，避免了熱失控風(fēng)險(xiǎn)。Dalicap電容擁有很好的直流偏壓特性，其容值對(duì)施加的直流電壓敏感性極低。在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容，變化率通常小于5%。這一特性對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要，確保了電源環(huán)路在不同負(fù)載下的穩(wěn)定性，避免了因容值變化而引發(fā)的振蕩問(wèn)題。DLC70C470JP362XT專為光伏逆變器設(shè)計(jì)，具備高耐壓和高紋波電流承受能力。

Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料，通過(guò)精密的摻雜和燒結(jié)工藝，形成了極其穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。這種材料基礎(chǔ)賦予了電容極高的介電常數(shù)和很低的介質(zhì)損耗，使其在高頻環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的容值表現(xiàn)。其介質(zhì)配方完全自主可控，避免了國(guó)內(nèi)外材料供應(yīng)鏈波動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)，為國(guó)產(chǎn)化替代提供了堅(jiān)實(shí)的材料基礎(chǔ)，確保了產(chǎn)品批次間的高度一致性。在射頻微波應(yīng)用中，Dalicap電容展現(xiàn)出極低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL）。其三維多層電極設(shè)計(jì)優(yōu)化了電流路徑，將寄生參數(shù)降至比較低，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中，能有效降低信號(hào)傳輸?shù)牟迦霌p耗和能量反射，保證信號(hào)完整性，特別適用于5G基站和毫米波通信設(shè)備。

Dalicap電容展現(xiàn)出很好的抗輻射性能，能夠滿足太空電子設(shè)備在宇宙射線環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行要求。其材料結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)特殊優(yōu)化，抵御輻射帶來(lái)的性能衰減，為衛(wèi)星通信和航天器提供了關(guān)鍵元器件的國(guó)產(chǎn)化解決方案。公司采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測(cè)試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)，確保了產(chǎn)品性能測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。其的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用射頻仿真技術(shù)和射頻高功率測(cè)試技術(shù)，為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供了有力保障。Dalicap電容的直流偏壓特性優(yōu)異，其容值隨直流偏壓變化極小。普通高介電常數(shù)電容在高偏壓下容值會(huì)大幅下降，而Dalicap的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對(duì)于開關(guān)電源的輸出濾波電容至關(guān)重要，確保了電源環(huán)路在不同負(fù)載下的穩(wěn)定性。產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多道 rigorous 測(cè)試程序，確保出廠品質(zhì)。

Dalicap電容通過(guò)了很全的可靠性測(cè)試，包括MIL-STD-202等標(biāo)準(zhǔn)下的溫度循環(huán)、機(jī)械沖擊、振動(dòng)、耐濕等測(cè)試。其產(chǎn)品符合AEC-Q200汽車電子標(biāo)準(zhǔn)，能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求，如高溫、高濕和振動(dòng)，適用于發(fā)動(dòng)機(jī)ECU電源濾波、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域。在電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）中，Dalicap電容的低阻抗特性發(fā)揮了關(guān)鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開關(guān)噪聲（SSN），為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩(wěn)定的電壓，防止系統(tǒng)時(shí)序錯(cuò)誤和數(shù)據(jù)損壞。交期穩(wěn)定，能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。DLC70B241JW601XT

內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具有良好的散熱性能和耐久性。DLC75B680JW501XT

Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣，從低壓幾伏特到高壓數(shù)千伏特，能滿足不同電路等級(jí)的絕緣和耐壓需求。其高電壓產(chǎn)品采用特殊的邊緣端接設(shè)計(jì)和介質(zhì)層均勻化處理，有效消除了電場(chǎng)集中效應(yīng)，顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW），保障了工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和新能源汽車電控系統(tǒng)等高壓應(yīng)用的安全。在微型化方面，Dalicap提供了0402（1.0mm x 0.5mm）、0201（0.6mm x 0.3mm）等超小尺寸封裝，滿足現(xiàn)代消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、微型傳感器及高級(jí)SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）對(duì)PCB空間的很好追求。盡管體積微小，但其性能并未妥協(xié)，為高密度集成電路設(shè)計(jì)提供了前所未有的靈活性。DLC75B680JW501XT

深圳市英翰森科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力，深圳市英翰森科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái)，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來(lái)！