Dalicap電容的封裝工藝極其考究，采用氣密性陶瓷封裝，確保了元件在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。這種封裝不僅提供了極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力（可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊），還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能，適用于高濕、高鹽霧等苛刻環(huán)境，延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)表現(xiàn)在5G通信基站領(lǐng)域，Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠?yàn)楣臄?shù)百瓦的AAU（有源天線單元）和BBU（基帶處理單元）提供瞬時(shí)的大電流響應(yīng)，有效抑制電源噪聲和紋波，為高速SerDes和DSP芯片提供穩(wěn)定潔凈的電源，是維持高信噪比（SNR）和低誤碼率（BER）的基石。其電容在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中提供高效的電源濾波和能量緩沖。DLC70E1R0BRR362X

高超的絕緣電阻（IR） 是Dalicap電容很好的的體現(xiàn)。其IR值通常高達(dá)10^4兆歐姆·微法甚至更高，意味著在直流電路中的漏電流極小。這在高壓電源的濾波、采樣保持電路的能量保持以及高阻抗傳感器的信號(hào)讀取電路中至關(guān)重要，微小的漏電流即可導(dǎo)致明顯的測(cè)量誤差或電路功能失常，高IR特性有效避免了這一問(wèn)題。公司擁有的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，運(yùn)用射頻仿真技術(shù)、射頻高功率測(cè)試技術(shù)為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供保障。同時(shí)，它是國(guó)內(nèi)早采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測(cè)試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)的公司之一，這為其產(chǎn)品的高精度和一致性提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。DLC70G181GAR502XC技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)驗(yàn)豐富，能為客戶提供專業(yè)應(yīng)用建議。

容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢(shì)之一。其C0G（NP0）介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi)，容值變化率小于±0.5%。同時(shí)，容值隨時(shí)間的老化率遵循對(duì)數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，這對(duì)于需要長(zhǎng)壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用至關(guān)重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力，最高工作溫度可達(dá)+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性，避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能退化。這使得它們能夠直接應(yīng)用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域，簡(jiǎn)化了熱管理設(shè)計(jì)。

容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢(shì)之一。其C0G（NP0）介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi)，容值變化率小于±0.5%。同時(shí)，容值隨時(shí)間的老化率遵循對(duì)數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，這對(duì)于需要長(zhǎng)壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用至關(guān)重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力，最高工作溫度可達(dá)+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性，避免了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能退化。這使得它們能夠直接應(yīng)用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域，簡(jiǎn)化了熱管設(shè)計(jì)。幫助客戶優(yōu)化電源設(shè)計(jì)，提升整機(jī)產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品具備出色的高頻特性，其損耗角正切值（Dissipation Factor, DF）低于0.1%至2.5%，在高頻范圍內(nèi)仍能保持低能耗和高效率。這一特性在5G基站、雷達(dá)系統(tǒng)和高速通信設(shè)備中尤為重要，確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院驼w系統(tǒng)的能效，同時(shí)低損耗也意味著自身發(fā)熱少，避免了熱失控風(fēng)險(xiǎn)。Dalicap電容擁有很好的直流偏壓特性，其容值對(duì)施加的直流電壓敏感性極低。在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容，變化率通常小于5%。這一特性對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要，確保了電源環(huán)路在不同負(fù)載下的穩(wěn)定性，避免了因容值變化而引發(fā)的振蕩問(wèn)題。在能源管理系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的儲(chǔ)能和緩沖作用。DLC70C6R2CW252XT

提供不同尺寸和容量選擇，滿足多樣化電路設(shè)計(jì)需求。DLC70E1R0BRR362X

Dalicap電容展現(xiàn)出很好的抗輻射性能，能夠滿足太空電子設(shè)備在宇宙射線環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行要求。其材料結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)特殊優(yōu)化，抵御輻射帶來(lái)的性能衰減，為衛(wèi)星通信和航天器提供了關(guān)鍵元器件的國(guó)產(chǎn)化解決方案。公司采用全球公認(rèn)精細(xì)的“諧振腔”法測(cè)試電容Q值關(guān)鍵參數(shù)，確保了產(chǎn)品性能測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。其的射頻應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室運(yùn)用射頻仿真技術(shù)和射頻高功率測(cè)試技術(shù)，為研發(fā)和提升產(chǎn)品品質(zhì)提供了有力保障。Dalicap電容的直流偏壓特性優(yōu)異，其容值隨直流偏壓變化極小。普通高介電常數(shù)電容在高偏壓下容值會(huì)大幅下降，而Dalicap的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的輸出濾波電容至關(guān)重要，確保了電源環(huán)路在不同負(fù)載下的穩(wěn)定性。DLC70E1R0BRR362X

深圳市英翰森科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度，多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績(jī)讓我們喜悅，但不會(huì)讓我們止步，殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力，深圳市英翰森科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái)，回首過(guò)去，我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜，相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來(lái)！