從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋作用,兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)??煽毓鑼ㄖ?,它的導通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導通 狀態(tài)??刂菩盘?UGK 的作用**是觸發(fā)可控硅使其導通,導通之后,控制信號便失去控制 作用。單向可控硅的導通需要兩個條件:1) A、K 之間加正向電壓;2) G、K 之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號,無論是直流或脈沖信號??煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅??下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。高新區(qū)好的可控硅模塊廠家現(xiàn)貨
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C電設備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損耗***增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用??煽毓璧膬?yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。高新區(qū)好的可控硅模塊廠家現(xiàn)貨它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了應用。
雙向可控硅可被認為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2, 一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導通,因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅,需定量掌握其主要參數(shù),對雙向可控硅進行適當選用并采取相應措施以達到各參數(shù)的要求。 [1]·耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時,額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允許的操作過電壓裕量。 [1]
⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形(c)及(d),只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出??煽毓璧娜觞c:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體,功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能,功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊,配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡寫psoc),它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上,使其具有按照負載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際**把它的發(fā)展喻為第二次電子學**。控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。姑蘇區(qū)使用可控硅模塊私人定做
其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。高新區(qū)好的可控硅模塊廠家現(xiàn)貨
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導通可控硅。(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。按一機部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:高新區(qū)好的可控硅模塊廠家現(xiàn)貨
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